Фигуры травления

Довольно часто наблюдается влияние кристаллографической ориентации на скорость коррозии металлов. Так, медный моно-кристаллический - электрод, выточенный в форме шара, после анодного травления в растворах фосфорной и серной кислот принимает форму многогранника. При травлении металлографических шлифов на зернах с различной кристаллографической ориентировкой получают разные фигуры травления (рис. 224). [c.326]

Оранжевые прямоугольники, ромбы, квадраты, часто с фигурами травления Оранжево-красные шестиугольники Желто-оранжевые пластинки Желтые мелкие октаэдры [c.246]

При исследованиях в отраженном свете можно полнее и с большей объективностью, чем в проходящем свете, изучить кристаллическую структуру материалов. Это обусловлено тем, что в полированных шлифах просматриваются разрезы кристаллов, располагающиеся лишь в одной плоскости, тогда как в проходящем свете изучается слой материала толщиной до 300 мкм, в котором кристаллы часто накладываются друг на друга, в связи с чем возникают ошибки в определении границ зерен. В отраженном свете весьма отчетливо просматриваются плоскости двойникования, становятся контрастными края кристаллов и дефекты их поверхности и выявляется макроструктура зерен по фигурам травления. При применении косого освещения и проведения исследования в темном поле можно получить и некоторые дополнительные данные о строении отдельных кристаллов и зерен. В отраженном свете более точны и количественные определения содержания отдельных фаз. [c.118]

При этом морфологически образуется питтинг двух типов округлый или относительно бесформенный рис. 6.002—6.005) кристаллографический , образованный как бы перекрывающимися фигурами травления рис. 6.006, 6.008). Кристаллографический питтинг имеет тенденцию к преимущественному образованию на границах зерен рис. 6.006,6,6.007,6). [c.231]

Интервале ее режимов происходит травящее разрушение поверхности стекол (фото 79), аналогичное процессу химического травления. Было установлено наличие критического порога разрушения и распыления стекла. Следует отметить, что вообще применение ионной бомбардировки для выявления структуры поверхности электронно-микросКопических объектов в ряде случаев представляется весьма перспективным. Так, Крохиной и Спиваком [28] было показано, что путем ионной бомбардировки диэлектриков получаются фигуры травления, отображающие симметрию кристаллографического среза. [c.246]

ФИГУР ТРАВЛЕНИЯ АНАЛИЗ - [c.650]

Кристаллизацию проще всего вести очень медленным спокойным охлаждением насыщенного раствора [236]. Сосуд, в котором нахо -дится раствор, обычно снабжен толстой водяной или металлической рубашкой с высокой теплоемкостью для предохранения от быстрого охлаждения используют хорошую термическую изоляцию (сосуд Дьюара, оболочка из ваты и т. п.). По возможности следует устранять колебания температуры окружающей среды, которые могут стать причиной образования фигур травления. [c.222]

При электронной микроскопии монокристаллы с двойниковыми структурами представляют лишь второстепенный интерес. Этим методом может быть определено (по электронной дифракции) кристаллографическое направление плоскости [9, 10, 20]. Отметим далее, что поле наблюдения в электронных микроскопах настолько ограничено, что довольно редко встречаются случаи, когда полосы двойникования локализованы достаточно удобно для их сопоставления с интересующими нас фигурами травления. [c.132]

Фигуры травления обычно представляют собой спиральные ямки (см. разд. 5, Б). [c.143]

Следует отметить 1) линейное расположение шести гексагональных ямок травления на каждой поверхности скола, причем это расположение одинаково как на верхней, так и на нижней поверхности, и 2) заметное сходство фигур травления с полосами двойникования на поверхности травления. Эти микрофотографии ясно доказывают существование рядов небазисных дислокаций, проходящих сквозь графитовые слои, хотя сразу же возникают обоснованные возражения. Во-первых, можно предположить, что все ямки, из которых состоят эти ряды, возникли вследствие наличия незначительных следов каталитических примесей на противоположных плоскостях скола. Это равноценно мнению о том, что фигуры травления вообще не являются дислокационными ямками травления. Во-вторых, можно считать, что ямки, составляющие ряды, зародились на вакансиях в базисных плоскостях. Оба эти возражения опровергаются очень близким сходством локализации и группировки ямок в ряды статистически нельзя ожидать, что отдельные вакансии, петли вакансий или каталитические примеси будут иметь одинаковое расположение на двух плоскостях скола, за исключение.м случая, когда вакансии [97] или примеси [92] сами связаны с небазисными дислокациями. В-третьих, можно утверждать, что эффекты, наблюдаемые на рис. 92, являются следствием больших деформаций решетки на пересечениях линий двойникования. [c.166]

В случае кристаллитов больших размеров сведения о типе текстуры и ее рассеянии получают, определяя ориентировку каждого зерна в отдельности. Такие определения можно проводить следующим образом с помощью светового микроскопа по фигурам травления (при малой точности нахождения ориентировки) снимая и рассчитывая эпиграммы (или лауэграммы). Б. И. Овечкиным и А. П. Овсянниковым описана камера для прицельной съемки эпи- и лауэграмм от отдельного зерна размером более 20 мкм. Определение можно также проводить, используя точечные электронограммы, полученные методом микродифракции в просвечивающем электронном микроскопе (см. гл. 11 и 21). По известной ориентировке большого числа зерен (100—300) возмож- [c.336]

Таким образом, при гетерогенном катализе промежуточные соединения образуются на поверхности катализатора, Существонание активных центров на поверхности катализаторов подтверждается прямыми и косвенными данными. Известно, что для отравления катализатора бывает достаточно весьма малых количеств ядов, что указывает на активность не всей поверхности катализатора, а ее отдельных участков — активных центров. Неравноценность отдельных участков поверхности катализаторов обнаруживается по фигурам травления, а также методами рентгенографического анализа и электронной микроскопии. Адсорбция вещества происходит главным образом на этих центрах в силу наличия у них доиольно сильного неуравновешенного электрического поля. Все теории адсорбционного гетерогенного катализа сводятся к выяснению роли и строения активных центров, а также энергетического состояния молекул иа них. [c.164]

Вокруг дислокаций имеются упругие напряжения, в местах дислокаций скапливаются чужеродные атомы. Поэтому места выхода дислокаций на гговерхность кристалла легко травятся. По числу фигур травления можно подсчитать число дислокаций, выходящих на 1 см поверхности. В полупроводниках оно обычно меньше, чем в металлах, где плотность дислокаций даже в отожженных образцах достигает 10 см . Особыми методами научились получать монокристаллы с малым числом дислокаций (см. гл. X). [c.140]

Рис. 89. Диаграмма состояний ус- Рис. 90. Фигуры травления на пло-ловной системы Л—С скости (100) кристаллов ИАГ

Связь механизма растворения с энергетически выгодными то ками и узлами в кристаллической решетке полностью согласуете с обширными экспериментальными данными кристаллографии, иг копленными при изучении травления и растворения кристалло Известно, например, что растворение протекает более интенсивн у вершин и ребер, чем в серединах граней. Это доказывается тем что при растворении кристаллов получаются кривые поверхност -которые, пересекаясь между собой, образуют кривые ребра сложные фигуры растворения с закругленными вершинами. Поми МО того, грани кристалла при растворении теряют характер плос костей, покрываясь микроскопическими многогранными утлубле ниями — фигурами травления, и вследствие этого становятся ше роховатыми. Поэтому растворяемая кристаллическая грань пре вращается по существу в агрегат граней различного кристалле графического характера, что нивелирует разницу в скоростях рас творения отдельных граней кристалла, хотя известно, что скорост растворения зависит от направления, и иногда скорости растворе ния разных граней одного и того же кристалла различаются в не сколько раз. [c.76]

Практически это значение определяется путем подсчета числа так называемых ямок травления, образующихся в точках выхода линии дислокации, например на поверхность кристалла при химической обработке этой поверхности подходящим реагентом (трави-телем). При такой обработке кристалла растворение вещества происходит повсеместно, однако избыточная энергия деформации вблизи дислокации приводит к более быстрому растворению вещества в этом месте, вызывая образование углубления (ямки) у выхода каждой линии дислокации. В результате этого на поверхности грани кристалла возникают так называемые фигуры травления. Число ямок на единице площади подсчитывается под микроскопом. [c.92]

Для определения температуры насыщения порция раствора отбирается из кристаллизатора пипеткой и помещается в кювету. Пипетка должна быть сухой и предварительно нагретой. Рас-1 ор в кристаллизаторе должен быть перегрет на 5—10° С. Изменяя температуру в кювете, можно переходить от роста к растворению и обратно. Для роста характерна прямореберность, зеркальность граней, иногда видны центры роста для растворения — появление фигур травления, округление ребер, искривление граней, оплав-ленность кристалла. Иногда можно видеть движение слоев разрастание слоев при росте и отступание тех же слоев при растворении (Не путать Требуется навык ). Эта методика определения температуры насыщения наиболее чувствительна и довольно обычно дает вилку 0,05° С. Длительность определения при некотором навыке меньше, чем по предыдущему способу. [c.145]

Известные работы, разбирающие вопрос о скорости растворения граней кристаллов в их маточном растворе, не дали определенных результатов [2]. Одни исследователи нашли, что различные грани кристаллов растворяются с различными скоростями, другие —что скорость растворения различных граней в их маточном растворе одинакова. Например, Г. В. Вульф [3] для кристаллов Fe NH4][S04]2 6H20 показал, что в пределах точности измерений скорости растворения различных граней кристаллов одинаковы, тогда как скорости роста разных граней сильно отличаются друг от друга. Несколько работ, проведенных с целью выявления анизотропии скорости растворения кристаллов щелочногалоидных солей в воде [4, 5], не дали положительных результатов. В то же время имеются многочисленные доказательства того, что отделение частиц, вызываемое растворителем, происходит по одним направлениям легче, а следовательно, и скорее, чем по другим. Например, при опускании кристалла Na l в раствор метилового спирта можно наблюдать появление фигур травления на гранях куба в виде квадратных пирамидок, обращенных вершинами в глубь кристалла [2]. Аналогичные квадратики наблюдаются на поверхности кристаллов щелочногалоидных солей при их травлении с целью выявления дислокаций. П. Грот [6] наблюдал появление на кристаллах под воздействием тонкой струи воды угловатого углубления, имеющего определенный вид и определенное положение, однако эти наблюдения не были подтверждены опытами В. Д. Кузнецова [2]. [c.179]

Эта плоскость в дальнейшем служит опорной плоскостью для ориентировки любых других граней кристаллической пластинки. Далее ее погружают на 20—33 мин. в техническую плавиковую кислоту для проверки на отсутствие двойников, присутствие которых абсолютно недопустимо на пластинках, используемых в спектрографе. После удаления двойниковой части пластины оставшаяся монокристаль-ная ее часть подвергается дальнейшей обработке для получения пластинок с ориентировкой на плоскости (ЮГО). Для этого на одной из плоскостей пластины вышлифовывают сферическую ямку и эту сторону погружают в плавиковую кислоту на 8—10 час. После травления ее помещают в асте-риоскоп [66] для определения методом астеризма от фигур травления оси х, которая параллельна плоскости (1010). Направление этой оси отмечается, на блоке карандашом. Шлифовкой параллельно нанесенной линии и перпендикулярно (по угольнику) к плоскости (0001) создается искусственная грань призмы (1010) (рис. 27, б). [c.82]

На рис. 89 и 90 речь идет о гранях , являющихся гранями тпригоналъной бипирамиды. По ним кристаллы лёвого и правого кварца можно различить лишь в том случае, если они заштрихованы, как на приведенных рисуннах. Если в кристалле хорошо выражены грани трапецоэдра, то левый и правый кварц легче всего различить но ним. Если отсутствуют такого типа грани, то, помимо определения оптической вращательной способности, левый и правый кварц можно различать еще на основании фигур травления, образующихся при обработке кварца плавиковой кислотой. [c.529]

Если считать, что центрами образования ямок травления во время окисления могут быть только групповые или одиночные вакансии, то при окислении двух плоскостей сколотого кристалла нельзя ожидать соответствия в распределении ямок, пока петли вакансий имеют заметную тенденцию группироваться одна под другой на расстояниях нескольких слоев [37, 95]. Б основном эти расстояния при сколе и последующем окислении очень мало или вообще не соответствуют рисункам травления на каждой из плоскостей. Однако на основании этого нельзя сделать вывода, что одиночные дислокации по осям с, если таковые имеются, не являются инициаторами образования ямок травления. Так как разрушение кристалла преимущественно происходит по плоскостям с большим числом двойниковых окончаний (т. е. по трещинам), то вероятно, что линии дислокаций, не лежащие в базисной плоскости, не будут пересекать таких границ или микротрещин это означает, что небазисные дпслокации в подобных местах обрываются. (В связи с этим необходимо вспомнить замечание Хенига [33] о том, что с-осевые винтовые дислокации начинаются и оканчиваются, очевидно, на трещинах раскола, поскольку топологически невозможно существование дислокаций, оканчивающихся внутри любого кристалла, в том числе и графита.) Таким образом, слабое совпадение (или отсутствие совпадения) фигур травления на соответствующих [c.165]

Хениг и Кантер [33], работая на очень чистых сколах, установили, что центры с-осевых винтовых дислокаций с большими векторами Бюргерса взаимодействуют с Ог. Таким образом, если на настоящем монокристалле, свободном от трещин, произвести осторожный скол и затем окисление, можно наблюдать на поверхностях скола соответствующие фигуры травления. В работе [95] сделан вывод, что по крайней мере часть образующихся под действием Оа ямок травления зарождается на небазисных дислокациях. [c.166]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология