Дефекты параметры решетки

Помимо типа и параметров решётки, существенное влияние на люминесцентные свойства оказывает степень совершенства самой структуры. Увеличение размера кристаллов до известных пределов влечёт за собой увеличение люминесцентной способности и, в частности, фосфоресценции. Необходимо при этом учитывать, что рост кристаллов обусловлен обыкновенно термической обработкой. Последняя систематически уменьшает поликристалличность материала, но скорее увеличивает число дефектов решётки. Эти дефекты, представляющие собой чисто локальные нарушения структуры и состава, могут быть вызваны различными-причинами. Помимо намеренно вносимых загрязняющих примесей, нарушения обусловливаются, например, ослаблением связи или ошибочным расположением элементов самого кристалла в решетке. Независимо от природы, места нарушений оказывают существенное влияние на ход люминесценции, так как искажают нормальное периодическое поле кристалла и служат местами для выделения и фиксации свободных электронов. Они оказываются также непроходимым барьером для резонансных процессов, которые принимают широкое участие в транспортировке энергии по кристаллу. [c.272]

Неквантовые кристаллы. В неквантовых кристаллах эффекты, связанные с деформацией решётки вблизи изотопической примеси, практически не дают заметного вклада в тепловое сопротивление. Первые эксперименты с контролируемым изменением изотопического состава кристаллов сделали Р. Берман с коллегами [167] на фториде лития (LiF). Полученные данные анализировались в работе [168] в рамках упрощённой модели Каллауэя. Удовлетворительное согласие было получено лишь при выборе значения параметра изотопического беспорядка в 5 раз больше, чем расчётное значение. Позже были проведены измерения на целом ряде образцов LiF с различным содержанием изотопов лития Li и Li от 0,01 % до 50% в широком интервале температур от 1 до 300 К [169]. Эти эксперименты показали в частности, что в области максимума теплопроводность изотонически и химически очень чистых кристаллов резко изменяется с концентрацией точечных дефектов. Этот результат был подтверждён в работе [170]. Такое поведение очень чистых кристаллов связано с особой ролью так называемых нормальных трёхфононных процессов рассеяния, которые не меняют суммарного квазиимпульса фононной подсистемы. Роль нормальных процессов в связи с изотопическим рассеянием фононов обсуждали также B. . Оскотский с коллегами в работе [171] при анализе своих экспериментальных данных по теплопроводности монокристаллов теллура. Они провели измерения я Т) для кристаллов с двумя различными изотопическими составами — природный состав и обогащённый до 92% по изотопу Те. Было найдено, что в области [c.82]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология