АВТВУ

Эти реакционноспособные слои с увеличенными межплоскостными расстояниями действительно должны воспроизводиться при движении межфазной границы к центру зерна. Это вполне очевидно для процесса сублимации (или химической возгонки), но справедливо и для процесса термической диссоциации. Серей и Беруто впервые уточнили описание реакции термического разложения АВ в -> А в + Враз, отметив, что твердый начальный реагент АВ превращается в твердый продукт А, имеющий поры, проходящие сквозь него (рис. 5) [29, 30]. Тогда реакционная граница не столь тривиально однородна она включает и межфазную границу между АВтв и А в (через которую идет поток /а, образующий новую фазу Атв), и поверхность АВ, с которой в вакуум идет поток /в, образующий газовую фазу В аз. Эта поверхность АВ — дно поры, она движется внутрь зерна с ростом системы пор в слое твердого продукта А в- При разложении монокристалла СаСОз СаО + СОд торможение процесса затрудненной диффузией СО2 не наблюдается по крайней мере до толщины СаО в [c.16]

В литературе известны попытки установить корреляцию между шириной запрещенной зоны АЕ полупроводника АВ и тепловым эффектом его образования из простых веществ А и В [13]. Ранее ( IV.23) мы уже говорили о неправомерности попыток выводить какие бы то ни было свойства твердых фаз — хидгпческих соединений — из тепловых эффектов или свободных энергий их образования из простых веществ. Величина свойства данной фазы АВ может зависеть лишь от ее собственного состава, строения, от прочности ее связей и, значит, в случае решеток ионных — от величины борнов-ской энергии решетки С/дв. в случае решеток атомных — от величины энергии атомизации Одв- Энтальпия же или свободная энтальпия образования соединения АВ из простых веществ характеризует систему из нескольких фаз, в нашем примере — трех, ибо Атв + -Ь Втв = АВтв + //298- Мы уже приводили яркий пример отсутствия корреляции между очень высокой твердостью карбида вольфрама и близкими к нулю значениями его энтальпии и свободной энтальпии образования ( .23—25). [c.364]

Тип G II. Получение кристалла из вещества, образующегося одновременно в результате химической реакции, идущей вне объема роста кристалла (нанример, А-рВ = АВ АВ = АВтв) [c.423]

Из того, что химическая устойчивость соединения характеризуется свободной энтальпией его образования из простых веществ и при комнатной температуре разность между свободной энтальпией и энтальпией образования невелика, был сделан вывод [30], что химическая прочность связей в соединении определяется в первом приближении энтальпией образования из простых веществ. Так как энергетическая и механическая прочности связей должны быть взаимосвязаны, в [30] была сделана попытка установить корреляцию между энтальпией образования карбидов титана и вольфрама и их твердостью и получен парадоксальный результат энтальпия и свободная энтальпия образования карбида вольфрама ШС близки к нулю (—3 ккал ф. в.), тогда как для карбида титана это величины порядка — 43 ккал1ф. в. Между тем твердость, а значит прочность связей карбида вольфрама выше, чем карбида титана. Отсюда был сделан вывод, что твердость карбида титана вытекает из его энергетической характеристики, твердость же карбида вольфрама обусловлена не энергией связей, а дополнительным эффектом зацепления металлических атомов атомами углерода, играющими в этой структуре внедрения как бы роль песка в подшипниках. Эта концепция уязвима со многих точек зрения. Основной же ее недостаток состоит в том, что принципиально неправилен сам подход энтальпия и свободная энтальпия образования соединения из простых веществ, например + В в = АВ в, характеризуют не одну только фазу АВтв — химическое соединение, а систему из нескольких фаз Атв, В и АВ в. Поэтому прямая корреляция между любыми свойствами одной из фаз и свободной энтальпией или энтальпией ее образования из простых вешаете незакономерна. Остается сожалеть, что поиски такой корреляции в литературе очень широко распространены. [c.361]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология