Теплота поверхностной ионизации атомов

В процессе образования пучка ионов атом отдельного элемента в плазме высокочастотной искры или низковольтного разряда должен быть удален из твердого вещества и ионизован. Эффективность его испарения, или распыления, зависит от вида материала его основы, температуры электродов, скорости диффузии, коэффициентов распыления и теплоты сублимации элемента. Температура поверхностного слоя определяется теплопроводностью и размером образца. Испарение и ионизация зависят от многих факторов, в том числе от импульсного напряжения, градиента напряжения в межэлектродном зазоре, потенциала ионизации элемента и электропроводности основы. Все эти свойства, конечно, определяются электронной конфигурацией атомов рассматриваемых элементов и поэтому тесно взаимосвязаны. Возникновение искрового пробоя зависит от величины зазора и тонкой структуры поверхности катода, которая непрерывно изменяется из-за конденсации вещества. Значение того или иного фактора неодинаково для высокочастотной искры и [c.250]

В работах Бакулиной и Ионова [83, 84] методом поверхностной ионизации были определены разности в величинах сродства к электрону атомов всех галогенов (см. стр. 244). Однако абсолютное значение величины Л (Вг) не определялось, а было принято по работе [3330]. Бэйли [623] на основании масс-спектрометрического измерения концентрации ионов при испарении КВг нашел Л (Вг) = —80,9+ 1,5 ккал г-атом -. Кубиччотти [1229] получил Л(Вг) = — 79,5+ ккал г-атом в результате расчета по циклу Борна—Габерана основании известных в литературе теплот образования галоидных соединений щелочных металлов, одноатомных галогенов и щелочных металлов в газообразном состоянии и энергии кристаллической решетки соответствующих солей, вычисленной теоретически в работе [1229]" . [c.275]