Оксид азота травлении

Диоксид азота образуется также при травлении металлов в гальванических цехах и в других промышленных процессах. Применяются различные процессы промывки промышленных и отходящих газов, содержащих оксиды азота в небольших концентрациях, но лишь с ограниченным успехом. [c.152]

Операции по травлению черных и цветных металлов могут сопровождаться выделением водорода, оксидов азота, брызг и паров кислот (серной, соляной и азотной). [c.261]

Неравновесные плазмохимические процессы осуществляют в плазме электрич. разряда пост, тока, высокочастотных и СВЧ газоразрядных устройств при пониж. давлении (менее 30 кПа). Хотя возможность проведения газофазных синтезов в неравновесной плазме показана вполне убедительно (напр., получение озона, фторидов металлов, оксидов азота и др.), П. т. используют в осн. для осуществления гетерофазных процессов получения и травления тонких пленок из орг. и неорг. материалов, обработки и модификации пов-сти изделий с целью придания им требуемых эксплуатац. св-в (антикоррозионных, термостойких, износостойких, антифрикционных и т.п.). [c.555]

Азотная кислота приводит к очень болезненным ожогам, трудно и долго заживающим. При травлении металлов образуются оксиды азота, поражающие кровь и нервную систему. Азотная кислота — сильный окислитель одежда, политая этой кислотой, может загореться. Пары азотной кислоты раздражают слизистую оболочку глаз и дыхательных путей и могут вызвать конъюнктивит и повреждение роговицы, воспалние легких и бронхов, а также отек легких. [c.200]

Известно шесть стабильных оксидов азота ЫгО, N0, N02, N204, НгОз и НзОб, из которых N0 образуется главным образом при горении, а N02, НгОз и N205 выделяются в некоторых промышленных процессах, например, травление металлов азотной кислотой перед анодированием. Объемы образующихся газов сравнительно невелики для их очистки используются щелочные растворы гидроксида кальция или натрия, карбонат натрия или аммония и др., но эффективность этих процессов составляет лишь около 70%. Перспективными являются системы очистки, в [c.161]

Таким образом, исходя из условий формирования электронодырочных переходов в полупроводниковых структурах, композиции фоторезистов-диффузантов могут быть основаны на соединениях, состоящих исключительно из атомов кислорода, азота, углерода и водорода, в которые должны быть включены нужные легирующие атомы, например, II, III, V, VIII групп, редкоземельных элементов и т. д. Первоначально заданное количество атомов легирующего элемента в композиции легко может быть сохранено в рисунке полимерного фоторельефа. Последний после защиты оксидом используется как источник диффузии для создания определенной поверхностной концентрации примеси нужной глубины залегания. Технология изготовления полупроводниковой структуры упрощается сокращается число используемых материалов и операций, в частности, исключается наиболее критичная операция — травление [50]. [c.197]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология