Методы твердофазного выращивания кристаллов

МЕТОДЫ ТВЕРДОФАЗНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ [c.133]

Настоящая глава посвящена анализу твердофазных процессов выращивания кристаллов, часто объединяемых понятием рекристаллизации. В ней рассматриваются методы рекристаллизации как в одно-, так и в многокомпонентных системах, поскольку независимо от числа компонентов методика и основные трудности, встречающиеся при выращивании кристаллов этим путем, во многом сходны. К тому же методы рекристаллизации в многокомпонентной системе получили столь ограниченное применение, что выделять их в самостоятельную главу нецелесообразно. [c.133]

Существуют пять основных твердофазных методов выращивания кристаллов [c.133]

Остановимся на главных преимуществах твердофазных методов выращивания кристаллов. Эти методы позволяют вести процессы выращивания при низких температурах беЗ [c.133]

Если полиморфные превращения связаны с незначительным изменением симметрии (см. разд. 2.3), часто возможно провести монокристалл через фазовый переход без возникновения поликристаллов, двойников, больших деформаций и других дефектов ). В случае же переходов, связанных со значительным изменением симметрии, часто возникают дефекты упаковки и политипия при этом нельзя даже гарантировать сохранение монокристальности образца. Без растворителей такие системы обычно метастабильны. Таким образом, чем больше различаются между собой по структуре две фазы, тем труднее вырастить монокристалл твердофазным способом. Обычно температуру поддерживают постоянной вдоль всего кристалла, а подъем и понижение температуры осуществляется для всей печи в целом. При этом часто наблюдается зарождение новой фазы одновременно во многих точках матрицы, что приводит к образованию двойников или поликристаллов. Ясно, что гораздо целесообразнее было бы инициировать зарождение новой фазы в каком-либо одном месте, а затем обеспечивать возникшему зародышу главную роль в создании фазовой границы между модификациями. Таким образом, хотя это и не принято, но полиморфный переход эффективнее осуществлять методом, аналогичным методу Бриджмена— Стокбаргера при выращивании кристаллов из расплава (см. разд. 5.3). Кристалл, помещенный в одном конце печи, следовало бы перемещать через зону с температурным градиентом или же двигать печь относительно неподвижного кристалла. [c.164]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология