Метод Чохральского и аналогичные методы

МЕТОД ЧОХРАЛЬСКОГО И АНАЛОГИЧНЫЕ МЕТОДЫ [c.189]

Вначале была предпринята попытка получать монокристаллы диаметром 6- -12 мм обычным методом Чохральского с применением калибровочного графитового кольца-ограничителя с диаметром на 1—2 мм больше диаметра выращиваемого кристалла. В дальнейшем схема выращивания была усовершенствована использованием эффекта пропускания постоянного электрического тока. Однако все эти меры не позволили снизить колебания диаметра меньше чем +1 мм, а производительность процесса оставалась ниже, чем в методе Чохральского, так как выращивался один кристалл за процесс. Аналогичные результаты показал емкостной датчик диаметра кристалла из тугоплавкого металла (тантал, молибден), рекомендованный в [257]. [c.162]

Бартон и др. [254] исследовали влияние потока жидкости на распределение примеси в кристаллах, которые выращивались из расплава с примесью или специально введенной добавкой по методу Чохральского (см. также статью Бартона и Слихтера [289]). Как оказалось [254], задача о потоках, которые возникают в расплаве при вращении цилиндрического кристалла, погруженного своим концом в расплав, аналогична задаче о вращающемся диске, погруженном в жидкость. Задача о вращающемся диске была исследована Карманом и Кокреном (см. [283]) это одна из тех немногочисленных задач, для которых известно точное решение уравнений Навье — Стокса. Задача о диске в свою очередь близка к задаче о.действии центробежного насоса, в котором слой жидкости около диска переносится параллельно его поверхности силами трения, а затем выбрасывается наружу под действием центробежной силы. На место отброшенной жидкости [c.516]

В работе [114] для выращивания монокристаллов W использовали комбинацию метода выращивания из расплава вспомогательного металла и. метода Бриджмена, согласно которому форма с продольной осью в вертикальном направлении медленно опускается в печь, причем затвердевание начинается либо в оттянутом конце формы, либо на затравке, помещенной в суженном отростке (рис. 28) [341]. В [114], аналогично модифицированному методу Чохральского [338], использовался трехкомпонентный сплав Со—W—С. Содержание кобальта в сплаве составляло 40 вес.%, остальное —вольфрам и углерод. Опыты проводились в вертикальной печи с молибденовым нагревателем в среде аргона. Образцы из кобальта и вольфрама с углеродом погружали в графитовый тигель или тигель из АЬОз, который помещали в горячую зону печи в закрытой трубе из AI2O3. [c.101]

Известны ранние работы, в которых выращивались профилированные кристаллы из расплава с использованием модифицированного метода Чохральского. Так, Гомперц [12] в 1922 г. вытягивал через отверстие в слюдяной пластинке, плавающей на поверхности расплава, проволоку РЬ, 2п, Зп, А1, Сс1 и В1. В ряде опытов проволока имела монокристаллическую структуру. Несколько позднее подобные результаты были получены в работе [13]. В [14] для выратцивания цинка определенной ориелтации впервые применена монокристаллическая затравка. Исследованию ориентации монокристаллических проволок посвящены статьи [15, 16]. В 1928 г. П. Л. Капица применил аналогичный способ для выращивания стерженьков висмута [17]. Формообразование жидкого столба расплава не был0 Ц( ью исследования в этих работах, в них решалась лишь частная техническая задача — получение проволоки и стерженьков. Важное значение формообразователя не рассматривалось авторами. Так, Гомперц считал, что. отверстие в поплавке необходимо лишь для обеспечения отсутствия перетяжек на проволоке, которую можно в принципе вытягивать и обычным методом Чохральского. [c.12]

Аналогичный принцип положен в основу так называемого метода вытягивания Чохральского . Интересным вариантом процесса является визко-теьшературная зонная плавка, применяемая длн глубокой очистки жидких веществ при температуре, близкой к их точке замерзания. [c.15]

В виде плотного слитка ОаР получают сплавлением Са с Р под давлением паров Р, в виде пористого слитка-действием РНз на расплав Оа. Монокристаллы выращивают методами зонной плавки или вытягиванием по Чохральскому из-под флюса В Оз под давлением Аг, небольшие монокристаллы-из р-ров ОаР в расплаве Оа. Порошкообразный СаР получают восстановлением ОаРОд водородом или СО при 800-1 ООО °С. Эпитаксиальные пленки ОаР наносят аналогично пленкам галлия арсенида. Для легирования монокристаллов и пленок ОаР используют добавки Те, 8е, 8, Зп, Сй, Ое. [c.482]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология