Спираль зарождение

Образование дислокационных спиралей при низких пересыщениях может инициироваться микро- и макроскопическими примесями, например пылью. Джексон [23] отметил, что при обычном выращивании кристалла концентрация вакансий в нем недостаточна, чтобы инициировать зарождение дислокационных петель, петель частичных дислокаций или дискообразных скоплений вакансий. Однако при закалке кристалла от температур, близких к температурам плавления, возникает пересыщение вакансий, достаточное для зарождения дислокаций. Таким образом, если действует дислокационный механизм роста и используются незакаленные затравки, то дислокации не могут возникнуть путем агрегирования вакансий. В ряде случаев образование дислокаций инициируется растворимыми примесями. Заметим, однако, что плотность дислокаций в кристаллах, выращиваемых в тщательно контролируемых условиях, практически не зависит от концентрации в растворе растворимых примесей, в том числе при таких концентрациях последних, которые достаточны для возникновения концентрационного переохлаждения и даже ячеистой структуры (об образовании ячеистой структуры говорится в разд. 3.13). Возникновение дислокаций могут вызывать термические напряжения, но опять-таки известен рост кристаллов по дислокационному механизму даже при максимально низких температурных градиентах, так что, по-видимому, термические напряжения нельзя считать единственной причиной возникновения дислокаций. Методом исключения Джексон пришел к выводу, что в отсутствие других факторов дислокации зарождаются скорее всего на инородных частичках, например частицах пыли. Поскольку практически невозможно полностью избежать загрязнения пылью кристаллизационной среды, гомогенное зарождение при росте кристалла встречается, по-видимому, крайне редко, а в большинстве случаев преобладает гетерогенное зарождение на частицах пыли. [c.122]

Иногда можно наблюдать спиральный рост, при котором ступени настолько высоки, что видны с помощью световой микроскопии (рис. 79). Электролитический рост спиралей наблюдали Стейнберг [79] в 1952 г. при осаждении титана из расплавленных солей и затем Пик [75] в 1955 г. при электроосаждении меди из растворов. В дальнейшем спиральная форма роста наблюдалась и при электроосаждении других металлов. По-видимому, частота зарождения спиралей при прочих одинаковых условиях эксперимента зависит от ориентации плоскостей, на которых происходит осаждение зарождение спиралей наблюдается только на субстратах с плоскостями низшего индекса [73]. Витки спирали, располагающиеся часто прямо и параллельно определенным кристаллографическим направлениям, обычно представляют собой наиболее плотноупакованные ряды атомов. Однако они могут приобретать округлую и неправильную формы. Если использовать прямоугольные импульсы, частота спиралей увеличивается. Часто две спирали, возникающие близко друг к другу, закручиваются вместе, что приводит к более сложным спиральным формам [79]. Могут образоваться также и видимые петли [72] (см. раздел Х1П, 2). [c.335]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология