Механизм модель дислокационный

Рост из расплава. При росте кристалла из расплава движущей силой является относительное переохлаждение 8Т/Т = = (7 — То)/Т о на фронте кристаллизации. Поверхностная шероховатость кристалла, контактирующего с собственным расплавом, а также величина переохлаждения и определяют в основном вид зависимости скорости роста кристалла от 8Т/Т. Как показывает расчет, скорость роста кристалла может зависеть от ST/T линейно (модель нормального роста все поверхностные узлы активны), квадратично (модель дислокационного роста активными центрами являются, например, винтовые дислокации), экспоненциально (рост кристалла из расплава происходит по механизму двумерного зарождения). [c.484]

Далее кратко рассмотрим основные механизмы образования микротрещин, которые можно подразделить на дислокационные, диффузионные и в результате межзерен-ного сдвига. Дислокационные механизмы могут быть разделены на три группы. К первой группе относятся модели (Зинера, Стро, Коттерелла, Гилмана и др.), связывающие инициированные микротрещины со скоплением дислокаций в плоскостях скольжения. Эти скопления возникают в результате остановки движущихся дислокаций в различных барьерах, которыми являются границы зерен с большими углами разориентировки, включения, поля напряжений. Вторая группа моделей предполагает образование микротрещин в результате скопления дислокаций в окрестностях пересечения систем элементарных актов пластической деформации путем скольжения и двойникования (модель Коттерелла). В соответствии с концепциями моделей третьей группы микротрещины инициируются в результате взаимодействия дефектов кристаллической решетки при пластическом деформировании. Эта группа -барьерные механизмы, описывающие процесс развития трещин в результате объединения цепочек вакансий в движущихся дислокациях со ступенькой пересечение малоугловых границ аннигиляции дислокаций в близко расположенных плоскостях скольжения возникновения поля растягивающих напряжений от двух дислокационных скоплений противоположного знака. [c.86]

Процесс образования новых поверхностей в новом теле под нагрузкой связывают с явлением разрушения. Если тело изолировано от внешней среды, разрушение происходит без потери массы. В противном случае разрушение сопровождается с той или иной степенью потери массы в зависимости от активности внешней среды. В некоторых случаях для возникновения разрушения необязательно приложение внешней нагрузки, например, при коррозионном воздействии, хотя в ряде случаев существенно ускоряет его. Разрушение рассматривается не как элементарный акт, а как процесс постепенного образования новых поверхностей в микро- и макромасштабах. В связи с этим механизм разрушения изучают в двух аспектах физика разрушения, базирующаяся на атомных, дислокационных и других моделях и механика разрушения, в основу которой положены модели и реальные конструкции с макроскопическими дефектами (трещинами). В процессе нагружения твердого тела совершается работа и в материале возникают силы сопротивления деформированию, оцениваемые компонентами тензора напряжений и деформаций. В определенный момент времени какой-либо механический фактор Q (движущая сила разрушения) достигает некоторого критического значения К (рис.2.7), после чего конструкция переходит в новое состояние (текучесть, разрушение, изменение первоначаль- [c.75]

Дислокационная модель. Как было выяснено выше, модель одновременного сдвига одной атомной плоскости относительно соседней оказывается непригодной. В связи с этим был предложен другой атомный механизм пластической деформации, связанный с перемещением в кристаллической решетке особого типа линейных дефектов, называемых дислокациями. [c.179]

Описание процесса плавления с помощью дислокаций облегчает понимание процессов переноса в расплаве, которые совершаются по цепному механизму. Процессы переноса в расплаве вдоль пути локального плавления протекают только путем активированного перескока частиц с передачей импульсов, как следствия переноса массы. Дислокационная модель учитывает дополнительную передачу импульсов благодаря продвижению дислокаций по типу механизма застежки молния (Уббелоде). [c.194]

Как уже отмечалось ранее, рентгеновские данные указывают на ограниченную протяженность областей с правильным расположением атомов углерода. Дислокационный механизм упорядочения может помочь ответить на вопрос, почему полная графитизация невозможна при температуре 1600°С. Причины заторможенного роста в модели Франклина менее ясны, если не принять во внимание изменение прочности связей между рассматриваемыми слоями. При этом для объяснения отсутствия перескока плоскостей в новое положение при одной и той же температуре необходимо учесть изменение прочности связи между другими областями упорядочения. В работе [41] рассмотрен механизм роста нитевидных кристаллов графита на винтовых дислокациях (см. подразд. 1.7.2) образование спиралей при росте графита из парообразной фазы изучалось в [932]. [c.44]

Б. И. Костецкий, И. Г. Носовский и Л. И. Бершадский [36], руководствуясь положением о едином дислокационно-вакансионном механизме схватывания и окисления, считают, что модель износа при высоких температурах состоит из нескольких этапов пластической деформации (текстурирования), структурной и термической активации металла, образования вторичных структур, их разрушения. [c.9]

В области дислокационного транспорта Джонсон и Хирт [430] продемонстрировали, что взаимная аннигиляция переносящих водород дислокаций не может сама по себе привести к локальному обогащению водородом этот процесс не обсуждался в прежних работах [311—315]. Однако, как теперь пока-,зали Дженсен и Тиен [431], здесь важным моментом является существование энергии связи водорода с местами его накопления, такими как включения. Учет подобной энергии в теории Джонсона—Хирта дает очень сильный эффект накопления водорода, а если исключить энергию связи из модели Тиена и др. [314, 432], то существенного накопления водорода не получается. Поскольку в общем случае установлено, что такие металлургические особенности, как частицы и границы зерен, обладают подобной энергией связи [433, 434], то можно заключить, что обе имеющиеся работы, посвященные транспорту, [314, 430], могут предсказать накопление водорода на этих особенностях. Из экспериментальных данных по-прежнему следует [429, 436—438], что дислокационный транспорт имеет место на практике. С другой стороны, ряд авторов [421, 424, 439— 441] постепенно приходит к убеждению, что такой механизм переноса играет, по-видимому ие настолько центральную роль, как это было описано в тексте. [c.149]

Как известно, если каждое зерно пересекается примерно одной дислокацией в секунду, то этим нельзя объяснить высокое значение предела текучести в рамках представлений о формировании дислокационных скоплений. По этой причине наиболее подходящей моделью, объясняющей механическое поведение наноструктурных материалов, является модель, основьшающаяся на механизме изгиба дислокаций [342]. Согласно этой модели необходимым условием для начала цластической деформации является принятие дислокационными петлями формы полуокружности. Критическое напряжение, при котором вьшолняется данное условие, [c.193]

Приведенная схема разрушения является весьма общей и применима ко многим частным моделям. Что касается дислокационного механизма образования микротрещин в полимерах, то в кристаллических полимерах он возможен, но в аморфных полимерах дислокаций, по-видимому, не существует. К вопросу о дефектах недислокационного происхождения мы вернемся в гл. V, где рассматривается статистическая теория прочности твердых тел и полимеров. [c.21]

Важной вехой в области теории роста кристаллов было появление в 1939 г. работы М. Фольмера Кинетика фазообразования . В этой работе рассматриваются преимущественно теория зародышеобразования Беккера — Дёринга и рост кристаллов по механизму двумерного зародышеобразования, основанный на модели Косселя — Странского. Наиболее важным достижением теории роста кристаллов с 1939 г., несомненно, следует считать обнаружение зависимости скорости роста от несовершенств кристаллической решетки. Этим открытием мы обязаны главным образом Ф. Франку, который выдвинул концепцию роста кристаллов по дислокационному механизму. Интерес к росту кристаллов в последнее время значительно возрос благодаря увеличению потребности в промышленном получении монокристаллов для электроники и оптики. [c.5]

Объединенный механо-электрохимический механизм. Основная проблема в установлении модели распространения трещины в аустенитных сталях, включающей значительную стадию, связанную с механическим разрушением, состоит в объяснении хрупкого разрушения пластичных материалов. Предложен ряд моделей, в большинстве которых коррозия приводит к блокированию дислокаций и, следовательно, обусловливает хрупкое разрушение сплавов в условиях, при которых в других случаях будут иметь место пластическая деформация, или блокирование дислокаций понижает энергию, необходимую для разрушения [49, 60—64]. Такие предположения дают удовлетворительные объяснения коротких периодов развития трещин за счет механического разрушения, поскольку распространения трещины на более длинные расстояния не обнаружено [65]. Прямые доказательства разрушения по этому механизму отсутствуют. Больщинство наиболее веских доказательств относятся к корреляции между дислокационной структурой (или энергией дефектов упаковки) и чувствительностью к коррозионному растрескиванию. Тем не меиее те же самые дислокационные представления используются для объяснения степени влияния пластической деформации на скорость растворения. [c.258]

Большинство из этих объяснений, по-видимому, неверны, так как недавние фрактографические исследования [12, 13] показывают, что поверхность разрушения сталей с высоким сопротивлением коррозионному растрескиванию имеет более грубый излом, чем поверхность сталей с пониженным сопротивлением. Эти данные противоречат дислокационной теории, основанной на дефектах упаковки. Некоторые ферритные сплавы растрескиваются в растворах хлоридов так же, как и аустенитные стали, что-несовместимо с теориями, основанными на металлофизических концепциях. Поэтому, видимо, электрохимический механизм, основанный на модели Хора — Хайнеса, лучше всего объясняет наблюдаемые явления, несмотря на то, что эта модель не позволяет объяснить, каким образом изменение состава сплавов изменяет влияние пластической деформации на плотность тока. [c.258]

Существует несколько гипотез относительно механизма роста кристаллов. Например, нуклеарный механизм связывают с образованием двумерных зародышей, а дислокационный — с влиянием поверхностных дефектов на центрах кристаллизации эти два подхода совмещены в нз клеарно-дислокационный механиз.м. Это, естественно, не исчерпывает всех возможных моделей роста, но они являются наиболее распространенными. [c.57]

Относительно механизма ус15ореиия диффузии цри пластической деформации металлов существует две точки зрения. Согласно первой, ускорение происходит в результате быстрой диффузии атомов вдоль дислокаций, образующихся при деформировании 159—165]. При описании диффузии вдоль дислокацмй обычно используют следующую модель 1165] дислокация в кристаллической решетке — это узкая область (дислокационная трубка), в которой диффузионная лодви/Р-ность на несколько порядков выше, чем в матрице, что теоретически U экспериментально показано различными методами. [c.46]

Дисперсионное упрочнение Аод.у, или упрочнение дис-грсными частицами карбидов и нитридов в стали, описы-ается механизмом Орована. Согласно этой модели, дисло-ации при движении будут удерживаться на частицах до ех пор, пока прилагаемое напряжение не будет достаточ-ым для ТОГО, чтобы линия дислокаций изогнулась и про-1ла между частицами, оставив около них дислокационную етлю. Отдельные стадии этого процесса представлены на ис. 71, а взаимодействия, дислокаций с выделениями кар- [c.134]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология