Зарождение двойникующих дислокаций

Имеется значительное число работ, авторы которых пытаются переход от первой стадии ко второй описать на дислокационном уровне. В работе [65] содержится краткий обзор этих исследований, включающий десять различных вариантов зарождения двойникующих дислокаций, в каждом из которых приходится полагать, что О/ имеет очень большие значения (порядка (10 - 10" )м). Следует заметить, что если для объяснения легкого скольжения при пластической деформации успешно используется представление о наличии в кристаллах дислокаций, то для объяснения двойникования на второй стадии обычно исключают возможность существования в кристаллах двойникующих дислокаций, являющихся зародышами двойникования. Двойникующие дислокации, по мнению авторов, на которых содержатся ссылки в [65], порождаются под влиянием указанных огромных напряжений в области сосредоточения нагрузок. Экспериментальных доказательств наличия в недеформированных кристаллах двойникующих дислокаций, по-видимому, не имеется. [c.25]

О зарождении двойникующих дислокаций в процессе упругого двойникования. При нагружении сосредоточенной нагрузкой в районе основания Ш [c.104]

Может иметь место и другая ситуация, а именно может случиться, что при некоторой внешней нагрузке зарождение дислокаций в точке X = До прекратится. Тем самым будет зафиксирована толщина двойника у выхода на поверхность, или, что то же самое, величина б. Если к тому же по какой-либо причине на поверхности тела образуется стопор для двойникующих дислокаций, то при разгрузке в точке х - q появляется сосредоточенная сила, сдерживающая выходящие из кристалла дислокации, Тогда у функции р(х) появится особенность в этой точке, и профиль двойника будет иметь в этой области форму, показанную на рис, Ъ.1б. [c.60]

Из экспериментов [234, 241, 245] следует, что, например, в кальците имеется достаточно широкий интервал нагрузок, в котором скорость перемещения границы определяется движением дислокаций, а зарождение новых двойникующих дислокаций еще не является определяющим фактором процесса. Именно в этой области нагрузок и применима рассматриваемая система уравнений. [c.118]

Полные дислокации, образующиеся в матрице, препятствуют росту двойников в длину и ширину, и он со временем прекращается. Противодействие иногда бывает достаточным, чтобы локальные напряжения увеличились до величин, необходимых для зарождения новых двойников, которые затем растут вследствие механохимического растворения области накола. На рис. 40 показаны вновь возникающие двойники (угольные реплики с оттенением хромом). [c.126]

Удалось, изменяя размеры и форму образцов, подобрать их таким образом, что образующиеся двойники состояли из прямолинейных отрезков винтовых или краевых дислокаций (рис. 4,1д, б). На образцах с большой протяженностью вдоль плоскости двойникования удалось образовать и удержать в равновесии двойник, оба конца которого находятся внутри кристалла. Такой двойник можно рассматривать как дислокационное скопление прямолинейных отрезков однотипных дислокаций разных знаков (рис. 4.1 в). При этом положительные и отрицательные дислокации находятся по разные стороны от места их зарождения. Таким [c.90]

Факторами, лимитируюхцими скорость перемещения границы, может являться как скорость зарождения новых дислокаций превращения, так и их подвижность. В случае двойникования, как показано в [241], чем выше уровень напряжений, тем все в большей и большей степени лимитирующую роль в процессах перемещения границы играет зарождение двойникующих дислокаций. Поэтом) при малых скоростях деформации, когда скорости перемещения межфазных границ невелики (такая ситуация, как правило, имеет место при измерении сверхупругих петель), логично использовать подход, развитый для описания движения остаточной границы двойника (см. гл. 4), [c.178]

Перемещение двойниковой границы ( поверхностной дислокации ) pa ioтpeнo Сумино [236] как результат термофлуктуационного зарождения и движения перегибов на поверхностной дислокации ими являются обычные двойникуюшие дислокации. В отличие от обычных перегибов двойникующие дислокации обладают дальнодействующим упругим полем, что делает важным учет взаимодействия между дислокациями. Последнее, однако, в рамках подхода [236] не учитывается. [c.115]

По мере увеличения скорости деформации скорости перемещения дислокаций превращения растут, их плотность на границе падает, и на каком-то этапе распределение дислокаций на границе уже нельзя охарактеризовать с помощью непрерьшной функции р (л ). Лимитирующим движение границы фактором становится размножение дислокаций. Развитый выше подход в этой ситуации уже неприменим, и следует использовать подход, развитый в цикле работ Сумино и др. [236, 326-328], В этом подходе двойниковая граница рассматривается как поверхностная дислокация. Процессом, лимитирующим ее распространение, является зарождение перегибов на такой поверхностной дислокации, которое происходит термоактивируемым образом. Этими перегибами, по существу, являются обычные двойникующие дислокации. После возникновения петли такой дислокации она очень быстро распространяется вдоль границы, и дальше ситуация воспроизводится заново. Ни характер движения двойникующей дислокации, ни взаимодействие между ними не рассматриваются. Простое [c.179]

Синтетические аметисты характеризуются повышенной плотностью ростовых дислокаций (р 10 см ) по сравнению с кристаллами, выращенными из растворов карбоната и гидроокиси натрия, а также интенсивными дофинейскими двойникованиями. Массовое зарождение дислокаций стимулируется выпаданием на поверхность затравки в начальный период роста твердых включений, чаще всего гидроксидов железа, переносимых конвекционными потоками раствора в камеру кристаллизации из шихтовой смеси. Поскольку синтез аметиста осуществляется нз сильно пересыщенных растворов (при температурных перепадах до 20 °С) на сравнительно медленно растущие затравочные пластины, в системе, особенно в длительных (свыше 40—50 сут) циклах кристаллизации, зарождаются спонтанно и переносятся на ростовые поверхности микроскопические кристаллы кварца. Часть из них, закономерно прирастая к деловым кристаллам, дает начало двойниковым вросткам, которые клинообразно, в виде тригональных пирамид, обращенных вершинами к затравке, разрастаются тангенциально по мере продвижения фронта роста г-грани. Дофинейское и бразильское двойникование пирамид и проявляется интенсивно при увеличении температуры кристаллизации независимо от наличия примесных фаз в кристаллизационной среде. В природных кристаллах аметиста двойники также пользуются большим распространением, и присутствие их в синтетических аметистах не только не снижает качество кристаллосырья, но и, наоборот, приближает его по морфологическим признакам к натуральным камням. [c.185]

Разрушение при коррозионной усталости под действием среды и циклических нагрузок происходит в два периода зарождение трещины (4) и ее развитие до критического размера (/р) с последующим лавинным разрушением. В инкубационной стадии первого периода под действием циклических нагрузок происходит накопление пластической деформации и упрочнение металла, сопровождающееся ростом локальных напряжений. Механические процессы инкубационного периода определяются возникновением и движением дислокаций и вакансий-дефектов на атомном уровне — без разрыва межатомных связей. Эти процессы усиливают химическую и электрохимическую микронеоднородность поверхности. Это, в свою очередь, приводит к появлению первичных коррозионных пар и возникновению коррозионных углублений, перерастающих в дальнейшем в первичные концентраторы напряжений. Вторая стадия первого периода характеризуется нарушениями сплошности в связи с появлением субмикро- и микротрещин в результате механических процессов (слияние дислокаций и вакансий, образование разрывов, обусловленных концентрацией напряжений) и коррозионных процессов (в зонах с высоким градиентом микроэлектрохимической гетерогенности поверхности, преимущественно в местах скоплений дислокаций в полосах скольжения, границ блоков, зерен, у двойников, частичек второй фазы, включений и т. д.). [c.114]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология