Пересыщение вакансий

С увеличением времени спекания величина А монотонно уменьшается вследствие приближения системы к равновесию. Поскольку Гкр 1/А, в предельном случае при А = 0 величина Гкр=оо, т. е. при отсутствии пересыщения вакансиями процесс коалесценции прекращается (как и вообще прекращается процесс твердофазового спекания). [c.340]

Если в кристалле поддерживается некоторое малое пересыщение вакансий бс, то вдали от поры [c.311]

Представим себе, что все поры имеют одинаковый радиус. При выполнении условия ра > Т (бс/со) они уменьшаются, повышая концентрацию точечных дефектов, т. е. увеличивая пересыщение вакансий бс. Когда относительное пересыщение становится равным [c.313]

Таким образом, с одной стороны, внешнее гидростатическое давление не всегда способно задавливать поры. С другой стороны, под действием постоянного давления в кристалле, содержащем поры, может возникнуть вынужденное пересыщение вакансий, определяемое формулой типа (20.16). [c.313]

Если в кристалле распределен ансамбль пор разных размеров, то возникает их интенсивное диффузионное взаимодействие через среднее пересыщение вакансий. Эволюция системы таких пор в общих чертах сводится к росту больших пор за счет растворения [c.313]

Наличие пересыщения вакансий вдали от дислокации учитывается условием (20.9) на бесконечности. [c.316]

Подставляя (20.26) и (21.1) в (21.2), получаем стационарное пересыщение вакансий в кристалле - [c.318]

Образование дислокационных спиралей при низких пересыщениях может инициироваться микро- и макроскопическими примесями, например пылью. Джексон [23] отметил, что при обычном выращивании кристалла концентрация вакансий в нем недостаточна, чтобы инициировать зарождение дислокационных петель, петель частичных дислокаций или дискообразных скоплений вакансий. Однако при закалке кристалла от температур, близких к температурам плавления, возникает пересыщение вакансий, достаточное для зарождения дислокаций. Таким образом, если действует дислокационный механизм роста и используются незакаленные затравки, то дислокации не могут возникнуть путем агрегирования вакансий. В ряде случаев образование дислокаций инициируется растворимыми примесями. Заметим, однако, что плотность дислокаций в кристаллах, выращиваемых в тщательно контролируемых условиях, практически не зависит от концентрации в растворе растворимых примесей, в том числе при таких концентрациях последних, которые достаточны для возникновения концентрационного переохлаждения и даже ячеистой структуры (об образовании ячеистой структуры говорится в разд. 3.13). Возникновение дислокаций могут вызывать термические напряжения, но опять-таки известен рост кристаллов по дислокационному механизму даже при максимально низких температурных градиентах, так что, по-видимому, термические напряжения нельзя считать единственной причиной возникновения дислокаций. Методом исключения Джексон пришел к выводу, что в отсутствие других факторов дислокации зарождаются скорее всего на инородных частичках, например частицах пыли. Поскольку практически невозможно полностью избежать загрязнения пылью кристаллизационной среды, гомогенное зарождение при росте кристалла встречается, по-видимому, крайне редко, а в большинстве случаев преобладает гетерогенное зарождение на частицах пыли. [c.122]

В сплавах зарождение пор может происходить на границе раздела матрицы и частиц второй фазы [139, 183, 230, 237, 244, 263, 264]. В литературе часто обсуждается механизм зарождения пор благодаря конденсации вакансий, образующихся при пластической деформации. Однако проведенные оценки пока-запи [30, 130], что этот механизм требует нереально высокой степени пересыщения вакансиями. Поэтому предпочтение отдается дислокационным механизмам зарождения пор. В отличие от пор, зарождающихся в объеме зерен, на границах они непрерывно и плавно растут с момента зарождения в течение всего времени ползучести [30]. [c.20]

При этом большинство легируюш,их добавок переходит в твердый раствор г. ц. к., как это видно на рис. 85. В результате быстрого охлаждения до комнатной температуры может быть получен твердый раствор, пересыщенный вакансиями, медью и другими легирующими добавками. Во время старения ири температурах от комнатной до температуры, соответствующей линии предельного растворения (см. рис. 85), пересыщенной твердый раствор распадается. В определенных условиях это может приводить к значительному упрочнению сплава. Распределение медн в сплаве оказывает также определяющее влияние на сопротивление межкристаллитной коррозии и КР- Термодинамически устойчивый конечный продукт распада пересыщенного твердого раствора А1 — Си представляет собой двухфазную структуру, состоящую из насыщенного твердого раствора а (г. ц. к.) и равновесной фазы 9, имеющей тетрагональную кристаллическую решетку и близкой по составу соединению СиАЬ. Из-за различия кристаллических решеток равновесная фаза 0 некогерентна с твердым раствором г. ц. к. Высокая межфазная энергия поверхности раздела фаз (>1000 эрг/см ) [119] приводит к высокой энергии активации для зарождения фазы 0. Поэтому образованию равновесной фазы может предшествовать ряд превращений метастабильных фаз, энергия активации которых при зарождении ниже. Последовательность образования выделений достаточно полно была изучена и может быть представлена в виде следующего ряда [97, 119, 120] [c.235]

Дефекты, обусловленные чужеродными атомами, и нерегулярности собственной структуры графита взаимосвязаны. Известно, например, что облучение способствует диффузии бора в графит [98], что при закалке графита поверхностный слой его пересыщен вакансиями за счет химического взаимодействия атомов углерода с молекулами газа [89]. Примесные атомы, по-видимому, концентрируются вокруг точечных де( ктов структуры графита и дислокаций и образуют так называемые облака Коттрелла. Сгущение последних может привести к конденсации и выпадению примесей. Можно предполагать, что так образуются слоистые соединения графита. Это явление используется также в известных методах наблюдения дислокаций (декорирование). [c.33]

Считается, что важными источниками дислокаций в кристаллах, выращиваемых из расплава, являются призматические дислокационные петли. Эти петли образуются в условиях пересыщения вакансиями при температурах ниже точки плавления в результате захлопывания вакансионных дисков радиусом —10Ь и могут служить источниками дислокаций при последующей деформации кристалла [67]. Теоретический анализ, п])Оведенный в [68], показывает, что корщенсация неравновесных вакансий является реальным механизмом зарождения дислокаций в г.ц.к.-металлах, выращиваемых из расплава. В монокристаллах элементарных полупроводников отсутствуют прямые экспериментальные доказательства действия призматических вакансионных петель в качестве источников дислокаций, хотя принципиально такая воз-монлпость пе исключена. В случае выращивания кристаллов полупроводниковых соединений, содержащих летучий компонент, важным дополнительным источником дислокаций может являться отклонение состава от стехиометрии, что было продемонстрировано па примере GaAs [5, 69]. [c.90]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология