Механизм разряда окисно-марганцевого электрода

Воззрения на механизм образования соединений трехвалентного марганца при разряде окисно-марганцевого электрода остаются несколько спорными. Ряд авторов [Л. И, 19, 20] предполагает, что и в нейтральных средах первой стадией разряда является образование ионов Мп++. Двухвалентный марганец затем реагирует с оставшейся двуокисью марганца. По мнению С. С. Маркова [Л.. 19], эта реакция имеет хемосорбционный характер и лает сорбционные комплексы переменного состава (реакция 5) [c.70]

Хотя с отдельными сторонами графитной гипотезы нельзя полностью согласиться, однако в целом она является хорошим дополнением к электронному механизму разряда объяснение отдельных явлений в реальных окисно-марганцевых электродах можно дать, только использовав обе эти гипотезы. [c.73]

Механизм разряда окисно-марганцевого электрода через ионы Мп++ вызывает ряд серьезных возражений, на которых мы останавливаться не будем. Более удовлетворяет экспериментальному материалу электронный механизм разряда, разработанный П. Д. Луков-цевым [Л. 13, 22] для нейтральных и щелочных электролитов. Аналогичных воззрений придерживается и Восбург [Л. 23]. Согласно этой гипотезе, при соприкосновении кристаллика окисла с электролитом на поверхности раздела возникает двойной электрический слой, существенную роль в котором играют протоны (ионы Н+) раствора. В процессе разряда протоны переходят из раствора через электрическое поле двойного слоя в активное вещество, где нейтрализуются избыточными свободными электронами. При этом образуются низшие окислы марганца преимущественно типа манганита, первоначально внедряющиеся в кристалическую решетку двуокиси марганца. Электродная реакция только в начале разряда протекает на поверхности активных частиц электрода. В дальнейшем реакционная граница постепенно передвигается в глубину частицы. Только при обогащении [c.70]

Механизм разряда марганцево-цинковых элементов. Описанию механизма разряда окисно-марганцевого электрода посвящено много работ [7. .. 12]. Общепринятым считается механизм разряда, разработанный П. Д. Луковцевым для нейтральных и щелочных растворов [13]. Согласно этой точке зрения при соприкосновении кристалла двуокиси марганца с электролитом на поверхности раздела возникает двойной электрический слой. В процессе разряда протоны переходят из раствора через электрическое поле двойного слоя в двуокись марганца и здесь нейтрализуются избыточными свободными электронами, образуя низшие окислы переменного состава типа МпООН. [c.199]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология