К а и ш е в. Спиральный рост и перенапряжение при электрокристаллизации серебра

Для бездислокационных граней между стационарной скоростью распространения ступени роста и перенапряжением при небольших т] существует линейная зависимость [=kL , где Ь — длина растущей ступени. Для кристаллов с винтовой дислокацией была найдена линейная зависимость между током и г) , которая объясняется тем, что при спиральном росте общая длина L спирального фронта обратно пропорциональна расстоянию между последовательными витками спирали и, следовательно, пропорциональна перенапряжению. Зная эти зависимости, можно приготовить поверхности с точно известной плотностью ступеней роста. Согласно импедансным измерениям на таких поверхностях плотность тока обмена пропорциональна длине ступеней. Это означает, что осаждение адатомов на ступенях является более быстрым процессом, чем осаждение на кристаллической плоскости, а найденная плотность тока обмена, составляющая 600 А/см , характеризует обмен между адатомами в местах роста и ионами в растворе. С другой стороны, импедансные измерения на идеально гладких поверхностях позволили определить ток обмена адатомов на кристаллической плоскости с ионами раствора, который оказался равным всего 0,06 А/см . Таким образом, при электрокристаллизации серебра из концентрированных растворов осуществляется преимущественно механизм непосредственного вхождения адатомов в места роста, вклад же поверхностной диффузии даже при наивысшей плотности ступеней не превышает нескольких процентов. [c.327]

СПИРАЛЬНЫЙ РОСТ и ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЕ ПРИ ЭЛЕКТРОКРИСТАЛЛИЗАЦИИ СЕРЕБРА [c.371]

Спиральный рост и перенапряжение при электрокристаллизации серебра 377 [c.377]

Вместе с тем известны случаи — при изучении роста монокристаллов серебра [4], — когда процесс электрокристаллизации протекает без заметного перенапряжения и образования новых зародышей. Такие условия реализуются, если на поверхности растущего кристалла имеются участки (дислокации) с иным расположением структурных элементов по сравнению с идеальной решеткой данного кристалла. При этом кристаллическая решетка будет строиться за счет спирально передвигающегося роста грани кристалла, а также путем распределения адсорбированных атомов на атомарно-шероховатой поверхности. Таким образом, на активной поверхности кристалла всегда имеется значительное число участков, способных к росту, и, следовательно, для такой поверхности кристалла не всегда требуется значительное пересыщение, необходимое для образования новых зародышей. [c.337]

Более подробные исследования спирального роста при электрокристаллизации серебра, с целью оценки величины кристаллизационного перенапряжения, были предприняты Каишевым, Будевским, Малиновским, Мутафчиевым и Неновыми 1953—1955 гг. [9—11]. [c.374]

К а и ш е в Р, Спиральный рост и перенапряжение при электрокристаллизации серебра. Труды четвертого оовещания по элект1р0 химии. Изд. АН СССР, 1959, 371. [c.388]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология