Кристаллы бездислокационные, получение

Получение бездислокационных кристаллов [c.39]

Исследование условий получения бездислокационных монокристаллов кремния и германия показало, что возникновение дислокаций зависит главным образом от условий охлаждения растущего кристалла до комнатной температуры и от степени совершенства затравки. Наличие больших температурных градиентов, а также термоударов являются основными факторами, вызывающими образование дислокаций. [c.299]

Для характеристики реальной структуры, содержащей дислокации, используют понятие плотности дислокаций, понимая под этим число дислокаций, которые проходят через единицу поверхности в 1 см . Плотность дислокаций у кристаллов может колебаться от О до 10 см . Она зависит от условий получения кристаллов и последующей их обработки. Плотность дислокаций сильно повышается благодаря механическим воздействиям. При выполнении надлежащих условий выращивания кристаллов сейчас удается изготовлять большие бездислокационные кристаллы некоторых веществ, например кремния и германия. [c.225]

Для получения наиболее совершенных монокристаллов с минимальным числом дислокаций и межблочных поверхностей следует избегать всего того, что может вызвать внутренние напряжения в кристалле, а именно, колебаний температуры и концентрации расплава, неравномерности движения кристалла, наличия посторонних неизоморфных примесей, обрывающих его рост, и т. д. Отметим, что существуют способы получения бездислокационных нитевидных кристаллов, растущих обычно на пористом основании. [c.252]

Изложенное подтверждает, что получение бездислокационных кристаллов зависит не только от технологических факторов, но и от кристаллографических. [c.296]

Освещены воаросы тепло- и массообмена в процессах получения монокристаллов вытягиванием из расплава. Приведены основные уравнения процесса и их анализ на базе теории подобия. Большое внимание уделено вопросам кинетики расплава. Рассматривается влияние сил поверхностного натяжения на геометрию новерхности раздела фаз и дефекты структуры слитка. Освещены результаты экспериментального и аналитического исследований тепловых полей в монокристаллах. Рассмотрены задачи диффузии легирующих примесей в твердой фазе кристалла. Приведены результаты экспериментальных работ, связанных с выращиванием монокристаллов германия с равномерными свойствами по сечению слитка, получением бездислокационных и с малой плотностью дислокаций монокристаллов. [c.2]

На практике наилучшим методом получения бездислокационных кристаллов, по-видимому, является разновидность метода вытягивания —так называемый метод перетяжек. Сущность его заключается в том, что в начале процесса диаметр кристалла уменьшают. При этом небольшое число дислокаций, первоначально присутствовавших в кристалле, выходит за пределы кристалла (заканчивается на его поверхности), а в дальнейшем при увеличении диаметра кристалла дислокации в нем уже не возникают [148]. [c.39]

На атомногладкой фани кристалла его рост происходит путем образования двумерного критич. зародыша и его последующего разрастания. Возникновение двумерного зародыша требует определенного перенапряжения Т1, связанного с возникновением новой пов-сти - ступени роста и, соотв., избыточной краевой энергии. Распространение раст чцего слоя по пов-сти грани происходит тангенциально, путем присоединения атомов к местам роста (изломам на ступени). Такая Э. наблюдается на бездислокационных фанях монокристаллов Ag, полученных электролизом в капиллярах. При повышении [c.430]

Легирование кристаллов также может оказывать существенное влияние па их дислокационную структуру. В монокристаллах Si [70, 71], Ge [72], GaAs [73] и InSb [74], легированных донорными примесями в определенном диапазоне концентраций, гарантирующем отсутствие ячеистой субструктуры и включений, наблюдается закономерное снижение плотности дислокаций, что значительно облегчает получение бездислокационных или малодислокацион- [c.90]

Ранее было показано, что использование бездислокационных затравочных пластин и специальных технологических приемов выращивания обеспечивает получение крупных практически бездислокационных пирамид <с>. При этом было замечено, что рельеф типа булыжная мостовая возникает обычно на с-грани бездислокационных кристаллов, в то время как базисная поверхность кристаллов с дислокациями покрывается акцессориями с точечными вершинами. Тот факт, что скорость роста поверхности базиса бездислокационных кристаллов по порядку величины равна скорости роста этой поверхности для кристаллов, содержащих дислокации, свидетельствует об ином, недислокационном механизме нарастания пинакоида. Можно присоединиться к мнению К- Джексона [27], который полагает, что на пинакоидальной поверхности кварца имеет место нормальное отложение вещества (с образованием характерного для неустойчивого фронта роста ячеистого рельефа), типичное для шероховатых граней. Подтверждение упомянутой точки зрения найдено при анализе морфологических деталей поверхности пинакоида бездислокационных кристаллов кварца. Для таких кристаллов характерно несколько порядков ячеистой структуры поверхность каждой ячейки сложена более мелкими ячейками, на которых, в свою очередь, иногда удается рассмотреть еще более мелкую ячеистую структуру (рис. 51). Очевидно, именно так должны проявляться неустойчивости, возникающие на протяжении всего времени роста кристалла. [c.158]

В результате исследования ростовых дислокаций в синтетическом кварце методом термодекорирования были выявлены механизмы формирования однородных бездислокационных областей в природных кварцевых кристаллах. В частности, было показано, что дислокации наследуются из затравок, изменяя свое положение в наросшем слое в соответствии с принципом создания минимума свободной энергии, ориентируясь по направлениям, близким к нормам и поверхности растущей грани. Значительное их количество зарождалось также над поверхностью макроскопических примесных сегрегатов, оседающих на поверхности граней растущих кристаллов, а также в местах зарастания капиллярных и щелевидных каналов и трещин, вероятно, за счет некогерентного срастания встречных тангенциально распространяющихся микроскопических слоев, перекрывающих полости и включения посторонних твердых фаз. На основе этих наблюдений были разработаны и внедрены в промышленную практику технологические приемы получения бездислокационного оптического кварца, а также произведена целенаправленная подготовка кристаллов и препаратов для рентгенотопографических исследований. Это позволило экспериментально установить наличие ростовых дисло-164 [c.164]

Бездислокационные кристаллы Si и Ge впервые были выращены Дэшем [61]. Недавно были получены бездислокационные кристаллы и таких соединений, как GaAs. По-видимому, это наиболее совершенные кристаллы из когда-либо полученных. Следует уточнить, что под бездислокационными кристаллами подразумеваются кристаллы, не имеющие дислокаций, выявляемых травлением и декорированием. Вполне возможно (хотя и не обязательно), что дефекты могут быть выявлены другими методами. Кристаллы, конечно, не свободны от вакансий и, будучи очень чистыми, не свободны все же от химических примесей. Тем не менее работу Дэша, безусловно, следует считать заметной вехой на пути управления свойствами твердотельных материалов. Для получения бездислокационного материала используется следующая методика. [c.214]

В 1964г. Вагнер и Эллис открыли новый механизм роста кристалла в системе пар-жидкость-кристалл (ПЖК). Особенности этого метода, по которому растут многие кристаллы металлов и полупроводников (Ge, GaAs, Si , ZnS, Си, Sn, В и др.), приводят к получению нитевидных (диаметр — 0,1-2 мкм, длина — 2-10мм) кристаллов — усов , имеюших совершенную кристаллическую бездислокационную структуру. [c.329]

В опытах [141 по получению лгуара от налолхепных друг на друга сво бодных кристаллов использовался бездислокационный кремний высокой чистоты и однородности. В сэнд [c.191]

Важное место в статье уделено рассмотрению условий формирования дислокационной структуры в кристаллах при выращивании из расплава, вопросам получения бездислокационных и малодислокационных кристаллов. Излагаются современные представления о природе малоугло-Еых границ в кристаллах. Рассмотрены вопросы образования и природы точечных дефектов в полупроводниках. Значительное внимание уделено изучению сегрегации примесей в связи с совершенством структуры монокристаллов. Рассмотрена природа слоистой неоднородности, примесной субструктуры, включений второй фазы и эффекта грани в легированных кристаллах. [c.401]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология