Полевой ионный микроскоп

Полевой ионный микроскоп [c.50]

Рис. 2.10. Схема полевого ионного микроскопа 1 — острие эмиттера 2 — микроканальная пластина 3 — люминесцентный экран 4 — силовые линии поля

FIM полевая ионная микроскопия [c.20]

Полевая ионная микроскопия с атомным зондом Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) [c.366]

Высокие локальные электрические поля на поверхности материала могут привести к процессам ионизации либо газов, контактирующих с поверхностью, либо атомов самого материала. Эти процессы составляют основу полевой ионной микроскопии (ПИМ) и ПИМ с атомным зондом. Другое влияние высоких локальных полей заключается в эффекте индуцирования электрических токов, который лежит в основе сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). В принципе, различные методы сканирующей силовой микроскопии, наиболее важным из которых является атомная силовая микроскопия (АСМ), также принадлежат к этой группе, поскольку измеряемые силы тоже возникают в результате действия локализованных электрических полей. В табл. 10.4-1 приведен обзор полевых зондовых методов. Однако благодаря уникальным свойствам СТМ и АСМ эти методы рассмотрены отдельно в разд. 10.5 ( Методы сканирующей зондовой микроскопии ). [c.365]

Полевая ионная микроскопия (ПИМ) и ПИМ с атомным зондом [c.365]

Полевой ионный микроскоп также был создан Мюллером в 1951 г. [5]. [c.50]

Полевая ионная микроскопия (ПИМ) [c.366]

В ионном микроскопе тонкое острие, подобное аналогичному устройству в электронном полевом микроскопе, является анодом. В основе метода лежит явление ионизации на поверхности металла молекул или атомов газа в сильном электрическом поле за счет туннелирования валентных электронов в металл. В качестве газа изображения применяется гелий и другие инертные газы. Ионы газа, ускоряясь полем 10 Ч-10 В/см дают на экране изображение атомной структуры поверхности. На рис. 2.10 показана схема полевого ионного микроскопа с усилением изображения. [c.50]

Рис. 2.12. Изображение поверхности кристалла платины при Т = 78 К, полученное с помощью полевого ионного микроскопа. Стрелкой показана вакансия в плоскости (202)

Наибольшее распространение получили вторично-ионная масс-спектрометрия (поток ионов вызывает эмиссию иоиов), электронная оже-спектроскопия (поток электронов вызывает эмиссию электронов), полевая ионная микроскопия (ионизадняи испарение атомов поверхности под действием электрического поля) и др. Теория и пркмененяе этих методов, интерпретация получаемвй [c.246]

Методы вторично-ионной масс-спектрометрии, атомного зонда в полевом ионном микроскопе и полевой ионной масс-спектрохмет-рии разрушают поверхность. Методы же электронной Оже-спектро-скопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, дифракции электронов низкой энергии и рассеяния медленных ионов не разрушают поверхность. При исследовании адсорбентов часто желательно применение методов, минимально возмущающих поверхность, а при использовании методов, требующих распыления вещества поверхности, необходимо обращать особое внимание на то, чтобы исследуемая поверхность не оказалась разрушенной, прежде чем будут получены этими методами сведения о ее состоянии и диффузии к ней атомов из глубины твердого тела. [c.110]

Большинство современных работ в области полевой ионной микроскопии ведется с применением гелия. Однако переходные и благородные металлы могут испарятся в электрическом поле, соот-ветствуюшем ионизации гелия со скоростью около атомного слоя в секунду. [c.53]

Качественный и количественный анализ атомов мишени, десорбируемых с поверхности выбранного наноучастка, осуществляется во времяпролетном масс-спектрометре. Ионы направляются в спектрометр через небольшое отверстие в экране. Выбор анализируемого участка осуществляется в режиме полевого ионного изображения (при помощи ионов гелия) при движении острия образца или экрана. Благодаря высокому увеличению полевого ионного микроскопа входное отверстие ВП-масс-спектрометра можно уменьшить до очень малых размеров. Пространственное разрешение для качественного и количественного анализа составляет 2 нм. В участке такого размера содержится около 100 атомов в одном атомное слое. Однако вследствие того, что выход иониза- [c.367]

Убывание энергии в глубь кристалла хорошо описьшается экспоненциальной зависимостью (рис. 2.8) Е - оехр(—г/го), где "о = 0,2 эВ/атом, / (, - параметр убывания (го = 8 А), г - расстояние от границы. Эти данные позволяют оценить физическую толщину границь как постоянную решетки а. Смещения атомов от их исходных позиций при наличии геометрически резкой границы также экспоненциально убывают в глубь кристалла (рис. 2.9). Смещения, превышающие 10" А, сосредоточены на расстояниях 2а от границы. Эти машинные расчеты подтверждают предположение о существовании резкой двойниковой границы и очень небольшой толщине переходного слоя. Об этом же свидетельствуют экспериментальные данные полевой ионной микроскопии [152]. [c.42]

В [130, 156] методом математического моделирования рассмотрены краевые двойникующие дислокации в ОЦК решетке, обнаружено существование зональной двойникуюшей дислокации, рассмотрены также полная, частичная и дополнительная двойникующие дислокации. Существование таких дислокаций обусловлено соседством двойниковых границ разного типа (границ отражения и равнобедренных границ, получаемых взаимным сдвигом матрицы и двойника), которые отделяются друг от друга перечисленными дислокациями. Двойникующие дислокации расщепляются, и их разбегание ограничивается лишь размерами модели. Эти результаты согласуются с машинными расчетами структуры краевой и винтовой двойникующей дислокации в ОЦК металле [131]. Поскольку в вольфраме реализуется граница отражения, то неудивительно, что в нашем машинном эксперименте наблюдался лишь один тип двойникующих дислокаций. В экспериментах [154] с помощью полевой ионной микроскопии наблюдаЛось отсутствие заметного расщепления двойникующих дислокаций в вольфраме и наличие у них сравнительно компактного ядра (расщепление не превышает 4—6 А), что согласуется с расчетами [132,134]. [c.47]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология