Дислокации двойникующие

РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА СИНТЕТИЧЕСКОГО КВАРЦА (ДИСЛОКАЦИИ, ДВОЙНИКИ, ВКЛЮЧЕНИЯ) [c.81]

Уже первые опыты по выращиванию кристаллов синтетического кварца показали, что они практически не нарастают по граням гексагональной призмы. Именно этим обстоятельством определяется необходимость использования протяженных перпендикулярно к оси 2 затравок для получения крупных кристаллов. Исследование морфологии граней т показало, что на этих гранях возможно только тангенциальное т-от-ложение вещества. Поэтому для нормального продвижения грани необходимы источники слоев. Такими источниками слоев могут быть винтовые дислокации, двойники и некоторые другие дефекты. [c.162]

Математическое моделирование акустической эмиссии на основе теории марковских процессов [46] позволяет описать наблюдающиеся закономерности изменения интенсивности АЭ со временем, в частности их немонотонный характер. Пуассоновский поток АЭ-событий рассматривался как частный случай марковского процесса, порожденного рождением и гибелью структурных эле -ментов материала в объеме или на поверхности твердого тела (дислокации, двойника, пятна контакта поверхностей при их взаимном трении и других). При определенных значениях параметров рассмотренной модели расчетные зависимости изменения скорости счета со временем соответствуют наблюдаемым при пластическом деформировании материалов, в процессе приработки поверхностей трения, при некоторых видах коррозии. В частности объяснено появление максимума на зависимости N(t), наблюдавшегося во многих случаях после начала процесса или скачкообразного изменения его интенсивности. [c.184]

На реальных металлах, обладающих несовершенствами структуры и имеющих примеси, рост зародышей зависит от многих факторов, что приводит к образованию различных типов микрокристаллов. Отдельные микрокристаллы за счет неравновесности процесса электроосаждения уже сами по себе могут иметь несовершенства структуры краевые и винтовые дислокации, двойники, включения атомов, вакансии. [c.34]

Плоские границы зерен, наклонные к поверхности фольги, границы двойников и дефектов упаковки обнаруживают один и тот же тип контраста—систему чередующихся светлых и темных полос. Обычно определение типа элемента структуры происходит без затруднений кроме дефектов упаковки и очень тонких двойников, а также случаев наложения изображений дефектов упаковки (в различных плоскостях скольжения одной системы) и некогерентной границы двойника, которую можно представить рядом частичных дислокаций (двойникующие [c.292]

Двойниковые границы имеют различную плотность и ориентацию. Ростовые двойники обычно широкие и свободны от дислокаций. Двойники деформации встречаются часто как близко расположенные линейные границы. Между ними имеется значительная плотность дислокаций. Могут быть выделены по крайней мере три причины образования двойников 1) частицы Si , захваченные растущей лентой 2) поверхность раздела затравка—растущий кристалл 3) нестабильности роста, наблюдаемые как отдельные изменения размеров ленты. [c.83]

Двойники наблюдаются у чешуйчатых графитов, которые состоят из кристаллитов с гексагональной упаковкой. Образование двойников при концентрации базисных дислокаций обусловливает напряжения, вызывающие скольжение плоскостей, которые приводят к дальнейшему развитию дислокаций и их диффузионному перемещению (прорастанию) через границы кристаллитов. Возникающие границы двойников препятствуют движению дислокаций, а продолжение деформации приводит к образованию трещин в кристаллитах. [c.241]

Области применения металлографических методов. Металлографический анализ —один из важнейших методов физико-химического исследования. Основные области его применения 1) определение количества фаз и последовательности их кристаллизации при построении диаграмм состояния 2) контроль качества полученного слитка (наличие двойников, поверхностных включений второй фазы и т. д.) при выращивании монокристаллов 3) определение платности дислокаций, дефектов упаковки и т. п. на монокристаллических материалах. [c.47]

На рис. 39 показан один из двойников при увеличении в 25 000 раз и схематически — профиль этого двойника. Видна ступенька на границе двойника (имеет вид темной полосы), образовавшаяся вследствие выхода дислокаций. На другой границе двойника имеется канавка травления дислокаций, которые не успели разрядиться, так как были заторможены двойником. Видны также следы полных дислокаций. По-видимому, при двойниковании создается достаточно высокий уровень касательных напряжений для возникновения таких дислокаций, а пониженный поверхностный потенциальный барьер еще более снижает этот необходимый уровень напряжений. [c.126]

Полные дислокации, образующиеся в матрице, препятствуют росту двойников в длину и ширину, и он со временем прекращается. Противодействие иногда бывает достаточным, чтобы локальные напряжения увеличились до величин, необходимых для зарождения новых двойников, которые затем растут вследствие механохимического растворения области накола. На рис. 40 показаны вновь возникающие двойники (угольные реплики с оттенением хромом). [c.126]

Таким образом, хемомеханический эффект в данном случае проявляется в два этапа химическое растворение поверхности вызывает поток двойникующих дислокаций и рост двойников, а следующее затем механохимическое растворение двойников вызывает, поток полных дислокаций, ранее заторможенных нэ двойниковых границах. [c.128]

На рис. 43 показан один из двойников при увеличении в 25000 раз и схематически — профиль этого двойника. Видна ступенька на границе двойника (имеет вид темной полосы), образовавшаяся вследствие выхода дислокаций. На другой границе двойника имеется канавка травления дислокаций, которые не успели разрядиться, так как были заторможены двойником. Видны также следы полных [c.128]

В то время как одни двойники увеличивались в размерах, другие, достигнув предельной длины, исчезали вследствие механохимического растворения (сглаживания) деформационного микрорельефа с течением времени исчезали все линии двойников, а также и след накола. Одновременно с ростом наиболее активных линий и исчезновением менее активных вблизи накола возникали выстроенные группы движущихся петель полных дислокаций, а также ямки травления вдоль исчезнувших при растворении двойниковых линий число дислокационных петель увеличивалось одновременно с увеличением их размеров и протяженности групп в длину и ширину. [c.129]

Хотя во время деформации и происходил некоторый рост зерен, он оставался менее 100 нм (рис. 5.14а). Зерна не были удлинены и не удалось обнаружить какого-либо свидетельства дислокационной активности внутри зерен, хотя тщательные исследования были проведены с помощью высокоразрешающей электронной микроскопии границ двойников отжига (рис. 5.14 ), которые образовались в некоторых зернах ИПД сплава при его нагреве перед деформацией. Подобные двойниковые границы известны своей способностью легко захватывать и сохранять решеточные дислокации [c.207]

Структура осадков меди, полученных при t = 1,1 А/дм, характеризовалась присутствием большого числа дефектов упаковки двойникового типа толщина двойников колебалась от 10 до 100 нм число дефектов деформационного типа и дислокаций было незначительным. Осадки, полученные при tj, = 5,4 А/дм , содержали [c.149]

ПАВ Средний размер зерна, мкм Плотность дислокаций на 1 СМ Интенсивность образования двойников НУ, ГПа [c.154]

Сингулярные минимумы. Им соответствуют грани с характерными признаками слоистой кристаллизации и конусовидными холмиками—акцессориями роста, а именно грани т, Я -я т. Несмотря на указанные морфологические признаки, представляется сомнительным, чтобы дислокационный механизм играл существенную роль в стимулировании процесса отложений вещества по этим граням. Как показывают данные рентгеновской топографии, для пирамид роста (Я) и (г) характерна относительно высокая плотность ростовых дислокаций (Ю —10 ), ориентированных почти нормально к поверхности роста, причем часть дислокаций имеет винтовую компоненту. На поверхности этих граней обычно присутствует лишь небольшое число холмиков роста. Что же касается нарастания грани Я, то для нее, как известно, основным стимулятором роста являются двойниковые акцессории (рост во входящих углах по границам дофинейских двойников). [c.155]

В [130, 156] методом математического моделирования рассмотрены краевые двойникующие дислокации в ОЦК решетке, обнаружено существование зональной двойникуюшей дислокации, рассмотрены также полная, частичная и дополнительная двойникующие дислокации. Существование таких дислокаций обусловлено соседством двойниковых границ разного типа (границ отражения и равнобедренных границ, получаемых взаимным сдвигом матрицы и двойника), которые отделяются друг от друга перечисленными дислокациями. Двойникующие дислокации расщепляются, и их разбегание ограничивается лишь размерами модели. Эти результаты согласуются с машинными расчетами структуры краевой и винтовой двойникующей дислокации в ОЦК металле [131]. Поскольку в вольфраме реализуется граница отражения, то неудивительно, что в нашем машинном эксперименте наблюдался лишь один тип двойникующих дислокаций. В экспериментах [154] с помощью полевой ионной микроскопии наблюдаЛось отсутствие заметного расщепления двойникующих дислокаций в вольфраме и наличие у них сравнительно компактного ядра (расщепление не превышает 4—6 А), что согласуется с расчетами [132,134]. [c.47]

Переходя к условному изображению дислокаций, двойник, изображенный на рйс. 3.1, можно з аменить совокупностью двойникующих дислокаций (рис. 3 4). Толщина двойника у выхода на поверхность Ао равна произведению полного числа дислокаций N, образующих двойник, и расстояния д Ао = Na. Размер ступеньки 5, возникающей на поверхности кристалла при двойниковании, подобным же образом связан с числом дислокации N и модулем вектора Бюргерса Ь. [c.53]

Магнитные свойства, как и все свойства тел, могут быть структурно чувствительными и структурно нечувствительными. Структурная чувствительность - зависимость свойств от структуры тела (величина зерна, его ориентировка, наличие двойников и дефектов упаковки, величина и разо-риентировка блоков, наличие дислокаций и точечных дефектов). В наиболее общей форме структурную чувствительность можно определить как зависимость свойства от дефектов решетки. [c.55]

Для всех видов искусственного и природного графита свойственны различные устойчивые дефекты структуры. К ним относятся дефекты слоевой укладки, двойники, винтовые и краевые дислокации, "дырочные" дефекты (отсутствие группы или одного атома), внедренные атомы элементов. Наличие дефектов обусловливает изменение в весьма широком диапаэойе механических, теплофизических, полупроводниковых и других практически важных свойств углеродных материалов. На некоторые свойства влияют также генероатомы, входящие в углеродные материалы в составе функциональных группировок, расположенных на призматических гранях кристаллов графита. [c.13]

Механизм наблюдаемого хемомеханического эффекта, исходя из теоретических и экспериментальных данных, можно представить следующим образом. Первоначальный пластический накол обусловил образование зародышей двойников сдвига, которые затем росли вследствие перемещения двойникующих дислокаций. связанного с химическим растворением поверхности кристалла, понижающим поверхностный потенциальный барьер и облегчающим движение этих дислокаций (хемомеханический эффект для двойникового сдвига). Полные дислокации, юзникавшие в матрице при деформировании, взаимодействовали с двойниковыми (в частности, препятствовали росту двойника, вызывая большие локальные напряжения), но, испытывая з>начительно большее сопротивление движению [c.127]

К качеству кристаллов, предназначенных для изготовления затравочных пластин для выращивания пьезокварца и оптически однородного кварца, предъявляются различные технические требования. Для изготовления пьезокварцевых затравок используются обычно синтетические кристаллы любой энантиоморфной разновидности, свободные от дофинейских и бразильских двойников, выращенные с различными, преимущественно повышенными скоростями. До последнего времени в пьезокварцевом затравочном кристаллосырье не лимитировались концентрация примесей, твердых включений, а также плотность ростовых дислокаций. По мере ужесточения требований к качеству резонаторов и вытеснения из производственной сферы дорогостоящего и дефицитного природного кварца синтетическим предпринимаются попытки нормирования плотности дислокаций в синтетическом пьезокварце. Однако выращивание пьезокварцевых кристаллов с контролируемой плотностью дислокаций на вертикально расположенных затравочных пластинах является чрезвычайно сложной технологической задачей, поскольку линейные несовершенства не только наследуются от затравок, но и образуются в больших количествах в местах врастания в кристаллы твердых включений. [c.51]

Синтетические аметисты характеризуются повышенной плотностью ростовых дислокаций (р 10 см ) по сравнению с кристаллами, выращенными из растворов карбоната и гидроокиси натрия, а также интенсивными дофинейскими двойникованиями. Массовое зарождение дислокаций стимулируется выпаданием на поверхность затравки в начальный период роста твердых включений, чаще всего гидроксидов железа, переносимых конвекционными потоками раствора в камеру кристаллизации из шихтовой смеси. Поскольку синтез аметиста осуществляется нз сильно пересыщенных растворов (при температурных перепадах до 20 °С) на сравнительно медленно растущие затравочные пластины, в системе, особенно в длительных (свыше 40—50 сут) циклах кристаллизации, зарождаются спонтанно и переносятся на ростовые поверхности микроскопические кристаллы кварца. Часть из них, закономерно прирастая к деловым кристаллам, дает начало двойниковым вросткам, которые клинообразно, в виде тригональных пирамид, обращенных вершинами к затравке, разрастаются тангенциально по мере продвижения фронта роста г-грани. Дофинейское и бразильское двойникование пирамид и проявляется интенсивно при увеличении температуры кристаллизации независимо от наличия примесных фаз в кристаллизационной среде. В природных кристаллах аметиста двойники также пользуются большим распространением, и присутствие их в синтетических аметистах не только не снижает качество кристаллосырья, но и, наоборот, приближает его по морфологическим признакам к натуральным камням. [c.185]

В синтетических аметистах, как и в природных, весьма широко распространены и бразильские двойники. Причем они также образуются лишь на / -гранях. Электронно-микроскопические исследования бразильских двойников показали, что они состоят из / -ламелей толщиной от 10 до 200 нм. Причина массового образования двойников в аметисте не ясна, можно полагать что они релаксируют напряжения, возникающие при вхождении в кварц структурной примеси железа. Данные рентгеновской топографии показывают, что кристаллы синтетического аметиста характеризуются высокой степенью дефектности плотность ростовых дислокаций в них не поддается непосредственному подсчету и заведомо превышает 10 /см . [c.195]

Предпочтительность применения рентгеновской топографии определяется слабым поглощением излучения углеродом, высоким разрешением метода, позволяющим фиксировать дефекты упаковки, блочность, единичные дислокации, вхождение примесей, границы двойников и др. Использовалось МоКа- и Си -излучение, выбранные отражения (404), (044), (404), (333), (440), (511) обеспечили получение картины сечений (100), (ПО) и (111) соответственное минимальными искажениями. [c.397]

Источником слоев роста, помимо отдельных дислокаций и их групп, могут служить и двумерные дефекты — сетки дислокаций вдоль границ макроблоков и залеченных трещин (рис. 1-19), а также двойниковые швы. Последние заслуживают несколько более подробного рассмотрения. Давно известно, что двойники, у которых между индивидами имеется входящий угол, растут значительно быстрее монокристаллов. Объясняют это явление более легким присоединением частиц во входящем углу двойника. В этом случае двойниковый шов должен служить линейным источником слоев роста. Однако при росте двойников винной кислоты из водного раствора мы наблюдали распространение слоев роста из двух-трех точечных источников, расположенных на двойниковом шве. Об аналогичном расположении центров роста на двойниках природного флюорита сообщал Ф. К. Франк [1950]. Таким образом, по крайней мере в некоторых случаях слои генерируются дислокациями, лежащими в плоскости двойниковой границы (по-види-мому, это имеет место для некогерентных границ). [c.34]

На слюде можно получить довольно совершенные монокристаллические эпитаксиальные пленки ряда металлов. Например, серебро, напыленное и отожженное при повышенных температурах, образует монокристаллические пленки с ориентацией [111]. Если пленки напылены при 570—670 и отожжены при 720— 920 К, образцы свободны от таких дефектов, как границы зерен и границы некогерентных двойников, хотя все-таки содержат по 10 —10 мм-2 дислокаций и по 40—300 мм дефектов упаковки и границ когерентных двойников [41]. В пленках, полученных при несколько более низких температурах, наблюдаются параллельные подложке двойниковые кристаллиты, некогерентные границы которых разрезают поверхность, образуя углубления и небольшие участки с ориентацией, отличающейся от идеальной [96]. Однако те переходные металлы, которые имеют наибольшее значение для катализа, в виде монокристаллических пленок на слюде не применяют, по-видимому, из-за ограниченной термостойкости стеклянной аппаратуры. Переходные металлы с г.ц.к. структурой, напыленные на слюду при 620—670 К в условиях высокого или сверхвысокого вакуума, образуют поликристалли-ческие пленки, в которых каждый кристаллит ориентирован осью < 111 > перпендикулярно поверхности подложки, но все кристаллиты разупорядочены в отношении поворота вокруг зтой оси [97]. Характерные данные электронно-микроскопического исследования поликристаллической пленки платины представлены [c.146]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология