Дислокации двойникующие краевые

На реальных металлах, обладающих несовершенствами структуры и имеющих примеси, рост зародышей зависит от многих факторов, что приводит к образованию различных типов микрокристаллов. Отдельные микрокристаллы за счет неравновесности процесса электроосаждения уже сами по себе могут иметь несовершенства структуры краевые и винтовые дислокации, двойники, включения атомов, вакансии. [c.34]

Линейные (одномерные) и поверхностные (двумерные) дефекты— это дислокации (линейная, краевая, винтовая и др.), границы блоков, зерен, двойников, доменов. Они являются определяющими в процессах кристаллизации, пластической деформации, зародышеобразования и диффузии. [c.33]

Интересуясь в основном качественными физическими результатами, будем анализировать те ситуации, которые приводят к наиболее простым математическим выражениям, но характеризуются достаточной общностью. Прежде всего предположим, что все дислокации в двойнике являются либо чисто краевыми, либо чисто винтовыми. Тогда вектор Бюргерса рассматриваемых дислокаций будет иметь только одну составляющую 6 = для краевой и, Ь = для винтовой дислокации. Поскольку в какой-то мере свободное перемещение рассматриваемых дислокаций может происходить только в плоскости двойникования, достаточно рассмотреть составляющие интересующих нас сил только вдоль оси J (в дальнейшем проекция силы на ось х будет обозначаться без указания индекса оси). [c.55]

Удалось, изменяя размеры и форму образцов, подобрать их таким образом, что образующиеся двойники состояли из прямолинейных отрезков винтовых или краевых дислокаций (рис. 4,1д, б). На образцах с большой протяженностью вдоль плоскости двойникования удалось образовать и удержать в равновесии двойник, оба конца которого находятся внутри кристалла. Такой двойник можно рассматривать как дислокационное скопление прямолинейных отрезков однотипных дислокаций разных знаков (рис. 4.1 в). При этом положительные и отрицательные дислокации находятся по разные стороны от места их зарождения. Таким [c.90]

Источники ступеней. Для роста сингулярных граней необходимы те или иные источники ступеней. Зачастую такими источниками служат дислокации ими могут стать также места соприкосновения между кристаллом и его контейнером или подставкой, границы зерен между двумя соприкасающимися кристаллами различной ориентации, инородные макроскопические частицы, двойники, двумерные зародыши, а в случае испарения или растворения края кристаллов и краевые дислокации. [c.444]

В [130, 156] методом математического моделирования рассмотрены краевые двойникующие дислокации в ОЦК решетке, обнаружено существование зональной двойникуюшей дислокации, рассмотрены также полная, частичная и дополнительная двойникующие дислокации. Существование таких дислокаций обусловлено соседством двойниковых границ разного типа (границ отражения и равнобедренных границ, получаемых взаимным сдвигом матрицы и двойника), которые отделяются друг от друга перечисленными дислокациями. Двойникующие дислокации расщепляются, и их разбегание ограничивается лишь размерами модели. Эти результаты согласуются с машинными расчетами структуры краевой и винтовой двойникующей дислокации в ОЦК металле [131]. Поскольку в вольфраме реализуется граница отражения, то неудивительно, что в нашем машинном эксперименте наблюдался лишь один тип двойникующих дислокаций. В экспериментах [154] с помощью полевой ионной микроскопии наблюдаЛось отсутствие заметного расщепления двойникующих дислокаций в вольфраме и наличие у них сравнительно компактного ядра (расщепление не превышает 4—6 А), что согласуется с расчетами [132,134]. [c.47]

Для всех видов искусственного и природного графита свойственны различные устойчивые дефекты структуры. К ним относятся дефекты слоевой укладки, двойники, винтовые и краевые дислокации, "дырочные" дефекты (отсутствие группы или одного атома), внедренные атомы элементов. Наличие дефектов обусловливает изменение в весьма широком диапаэойе механических, теплофизических, полупроводниковых и других практически важных свойств углеродных материалов. На некоторые свойства влияют также генероатомы, входящие в углеродные материалы в составе функциональных группировок, расположенных на призматических гранях кристаллов графита. [c.13]

Учитывая ограничения, накладываемые на область применения формулы (3,9 , постараемся оценить длину интервала вблизи конца застопоренного двойника, где эта формула несправедлива. Рассмотрим наиболее "опасный -.С этой точки зрения случай одаородной внешней нагрузки а(х) -Р = onst. Тогда плотность краевых дислокаций стопора равна [c.61]

Ри с. 4.1. Схема нагружения и крепления кристалла (7 - кристалл кальцита, 2 -зажимьь 3 - тяга, 4 - двойник) в - двойник из прямолинейных отрезков винтовых двойникующих дислокаций, б - двойник из прямолинейных отрезков краевых двойникующих дислокаций, в - двойник из прямолинейных отрезков винтовых двойникующих дислокаций внутри кристалла [c.90]

Напряженное состояние должно быть найдено путем решения соответствующей задачи теории упругости при граничных условиях, близких к реализуемым в эксперименте. Так как в теории тонких двойников в случае ограниченного кристалла удается рассмотреть доведение двойника, состоящего из винтовых дислокаций в условиях антипЛоской деформа ции, получено точное решение задачи об антишюской деформации пластины при следующих краевых условиях (рис 4-2). Верхняя и нижняя поверхности пластины при X < Ха закреплены (их смещешя точно равну нулю), верхняя поверхность пластины при х > Хд свободна, а на нижней поверхности в точке х = Хе > Лв приложена сила Р, параллельная рсИ 2- [c.91]

Рис. 4.5, Зависимость относительной длины упругого двойника, образованного краевыми дислокациями, от нагрузки светлые кружки - эi пepимeнтaльныe точки на первой гистерезисной петле, темные - на повторной

На рис, 4.5 показана экспериментальная кривая зависимости относительной длины двойника, образованного краевыми дислокациями, от макроскопической нагрузки, приходящейся на единицу площади лопереч-ного сечения образца. Поскольку теоретическое рассмотрение краевого двойника в ограниченном кристалле провести не удается, то определить о для краевой дислокации нельзя, но сравнение гистерезисных участков на рис. 4.4 и 4.5 дает косвенное указание на то, что сила сухого трения краевой дислокации больше,.чем таковая для винтовой. [c.94]

Динамика выхода упругого двойник а из кристалла под действием сил поверхностного натяжения исследоваласБ в [226]. Движение двойника при этом полностью определяется внутренними силами, и зависимость Ь ( ), полученная в рамках динамической теории, носит универсальный характер. Экспериментальная проверка ее возможна лишь в условиях, когда двойник сокращается в свободном от внешних напряжений кристалле. Создание таких условий было важным моментом при проведении данных экспериментов. С помошью сосредоточенной нагрузки в кристалле кальцита вызывался упругий двойник, образованный скоплением прямолинейных краевых двойникуюших дислокаций. Затем двойник переводился на распределенную нагрузку и удерживался в кристалле электромагнитом. Выключение электромагнита синхронизировано с запуском скоростной кинокамеры. В момент выключения электромагнита тяга, жестко связанная с якорем, приподнималась над поверхностью образца. Этот процесс кииематографировался. [c.124]

Обработка экспериментальных данных для участка небольших длин двойников (Ь < 0,45 см) показывает (рис. 4.23), что дислокационное описание динамики выхода упругого двойника из кристалла в диапазоне больших скоростей движения хорошо огшсывает этот процесс. Следует иметь в виду, что соотношение (3.73) получено для двойника в неограниченном кристалле эти результаты без изменения могут быть также перенесены на двойник вблизй поверхности, образованный винтовыми дислокациями. Поскольку в настоящих экспериментах исследовался двойник, состоящий из краевых дислокаций, то надежнее оценивать В по порядку величины -в 10" Пз (подробнее измерение параметра теории 5 и его физическая природа будут рассмотрены ниже). [c.124]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология