Заявка Япония

Заявка Японии № 55-39233, кл. В 01Д 53/00. Процесс утилизации сероводорода из газов. Заявлено 11.09.78. Опубл. 19.03.80. [c.507]

При разработке щелочерастворимых композиций [пат. США 4148655 пат. Великобритании 1594030 заявка Японии 56—23144] основное внимание уделяли совершенствованию состава смол. Пленкообразующим компонентом служат НС, получаемые кислотной конденсацией формальдегида с замещенными фенолами, причем [c.149]

Сополимеры акриламида с диацетонакриламидом оказались удачной пленкообразующей основой водорастворимых композиций [пат. США 4332874 заявка Японии 52—39288, 52—39289, 53—325, 54—18933], содержащих арилазиды общей формулы [c.152]

Высокочувствительные фоторезисты, не содержащие неорганических ионов и поэтому рекомендуемые специально для полупроводникового производства, были разработаны [заявка Японии [c.165]

Резиновая смесь для изготовления протекторов высокоскоростных шин. / Сайто Т. и др. // Заявка Японии 3-31339. Заявл. 29.06.89 г. [c.538]

Протекторная резина для высокоскоростных шин. / Сайто Т, и др. // Заявка Японии 3-28244. Заявл. 27.06.89 г [c.538]

Резиновая смесь. / Судзуки Ф. и др. // Заявка Японии 2-300245. Заявл. 15.05.89 г. [c.540]

Сохранение размеров изображения, задаваемого фотошаблоном, в большой степени зависит от того, насколько уменьшен эффект стоячих волн, возникающих в слое фоторезиста при отражении света от подложки. Считается, что для точного воспроизведения размеров изображения, заданного фотошаблоном, важно сохранить значения поглощения света композиций во все время экспонирования, несмотря на падение по мере облучения оптической плотности собственно диазидного компонента. С этой целью в фоторезисты вводят соединения, повышающие экстинкшию всей системы в целом. Предлагается [пат. США 4287289, 4268603 заявка Японии 53—151842] в обычные композиции резистов вводить моно- и бисазокрасители, обладающие высокими коэффициентами экстинкции в области 330—430 нм, следующих формул [c.148]

Уменьшая светорассеяние в слое, эти добавки способствуют более полному структурированию экспонируемых участков [заявка Японии 55—34931]. Обычно при проявлении азидсодержащих фоторезистов уменьшение исходной толщины слоя может составлять до 50 %. В результате введения добавок замещенных азометинов толщина слоя уменьшается не более, чем на 10%, что в свою очередь улучшает кислотостойкость рельефа при травлении. [c.149]

Для поливинилциннаматных композиций рекомендуют включать в составы обычных проявителей, содержащих неполярные или низкополярные растворители, тетрагидрофуриловый спирт или кето-спирт [заявка Японии 58—3538] либо лактамы [пат. Великобри- [c.167]

Другим типом резистов, содержащих атомы кремния в боковых цепях, являются полимерные винилтриалкокси- и винилтриацило-ксисиланы [пат. США 4237208, 4301231 заявка Японии 54—24656]. Для нанесения полимера нз подложку и проявления используется хлороформ. Поливинилтриэтоксисилан с Мш — 1000-г-2000 показал чувствительность к электронному излучению (10 кВ), равную 10-5 Кл/см2. [c.244]

Этилендикарбоксильная группа, вводимая в боковую цепь, полимера в количестве 1—20 % от массы мономерного звена, повышает чувствительность полимера к электронному излучению [пат. США 4273858, 4349647 заявка Японии 54—24657]. Модифицированный таким образом сополимер бутадиена со стиролом показал чувствительность около 10 Кл/см и контрастность 1,38 (27 кВ) при ускоряющем напряжении 10 кВ чувствительность составляет 1,5-10- Кл/см2, разрешение 0,7 мкм чувствительность к рентгеновскому излучению 0,03 Дж/см . [c.254]

Протекторная резиновая смесь. / Масаёси С. и др. // Заявка Японии 2-142838. Заявл. 25.11.88 г. [c.538]

Резиновая смесь для изготовления шинного протектора./ Сугита И. и др. // Заявка Японии 3-12433. Заявл. 9.06.89 т. [c.540]

Протекторная резиновая смесь. / Охара Масаси. // Заявка Японии 2129240. Заявл. 9.11.88 г [c.540]

Сшивающий агент для каучукоподобного полимера. / Тэра-тани X. и др. // Заявка Японии 1234442. Заявл. 14.03.88 г [c.547]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология