Галлий Способы нанесения

Следует, однако, отметить, что галлий наносился на поверхность монокристалла цинка механически (натиранием), что не могло не привести к некоторому повреждению кристалла, особенно его поверхности в месте нанесения галлия при наличии такого рода повреждений процесс диспергирования может быть, как это уже показано в гл. V, 3, значительно облегчен. В аналогичных опытах, проведенных А. В. Перцовым при электролитическом нанесении галлия, монокристаллы цинка нри 30 Сне обнаружили в течение достаточно длительного времени сколько-нибудь заметного дробления на блоки. Напротив, в случае олово — галлий описываемая картина наблюдается при любом способе нанесения галлия как при механическом натирании , так и при электролитическом методе и при нанесении галлия путем погружения образца в насыщенный оловом жидкий галлий. [c.240]

Подготовка поверхностей деталей для склеивания металлическими клеями принципиально не отличается от подготовки для склеивания обычными клеями. Поверхность следует промыть спиртом или смесью спирта с петролейным эфиром в соотношении 1 1. Затем деталь надо просушить в термостате при 40 °С. Перед нанесением клея поверхности смачивают капелькой жидкого галлия, который наносят вольфрамовым острием. Вольфрам очень твердый и хорошо смачивается галлием, поэтому вольфрамовое острие легко прорывает окнсную пленку на металле и поверхностный слой керамики. Окнсную пленку можно удалить и другими, например химическими, способами, но обязательно в присутствии жидкого галлия. [c.212]

Были разработаны экспериментальные методы выравнивания температуры подложки. Они основаны на креплении подложки теплопроводящими составами. Хансон и др. [44] использовали для очень тонких стеклянных пластин проводящую окись олова. Авторы оказались способными ограничить изменения (разброс) температуры пределами 5° С на площади диаметром 2,5 см. Обычной практикой во многих лабораториях является приложение смеси индий — галлий к обратной стороне подложки. Эвтектика этих металлов остается жидкой при комнатной температуре, и достаточно толстый слой ее может быть легко нанесен на обратную сторону подложки, чтобы обеспечить тепловой контакт по всей площади. Полезный температурный интервал ограничен давлением паров этих двух металлов, являясь достаточно низким, чтобы в большинстве случаев им можно было бы пренебречь. Однако в результате сплавления с держателем или с металлом и полупроводниковой подложкой может происходить ухудшение теплового контакта (затвердевание ). Робби и Стоддарт [451 сообщили о максимально достижимой рабочей температуре, равной 250 С. Такие органические материалы, как высоковакуумные смазки, могут быть использованы таким же способом, но из-за их испарения и разложения температурные пределы получаются меньшими. В работе [46] было сообщено также об использовании высокотемпературного акрилового цемента. [c.516]

I благодаря высокому коэффициенту диффузии цинка в двуокиси кремния я в арсениде галлия (в сравнении с оловом при той же температуре) трудно реализовать бесконечный источник при проведении диффузии при 1000° С. Поскольку коэффициент диффузии цинка зависит от концентрации цинка, то глубина легирования в значительной степени зависит от толщины окисной пленки. Из рис. 10-16 следует, что глубина легирования зависит от толщины окиспого слоя, даже если время проведения диффузии всего 1 час. Подводя итог использованию алкоксисиланов и металлоорганических соединений для нанесения источника диффузии непосредственно на поверхность полупроводника, можно отметить следующие преимущества рассмотренного метода легирования [91]. Метод дает возможность регулировать поверхностную концентрацию, получать результаты с высокой воспроизводимостью, обеспечивает гибкость процесса селективной диффузии из твердого тела. Возможности и гибкость новой системы ярче всего проявляются при сравнении с обычными методами диффузии. На рис. 10-17 показана обычная последовательность процесса выращивание маски из двуокиси кремния, вытравливание окон с применением методов фотолитографии, проведение диффузии примесей с целью образования р — - -перехода. В отличие от рассмотренного выше использование твердого источника обеспечивает возможность выбора последовательных операций (рис. 10-18). Процесс можно провести либо обычным способом, либо изменить последовательность операций таким образом, чтобы твердый источник наносился на пластину и затем удалялся с применением метода фотолитографии с тех поверхностей, в которые нежелательно проводить диффузию, прежде чем температура пластины не будет доведена до температуры диффузии. Благодаря гибкости но- [c.422]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология