Параметры полупроводниковой подложки

Параметры полупроводниковой подложки [c.172]

При идентичности материала подложки и наращиваемого слоя, при правильно выбранных технологических режимах эпитаксиальный слой должен быть в кристаллографическом отношении естественным продолжением подложки, включая и все ее несовершенства. Эпитаксиальная технология в настоящее время является одним из важнейших средств повышения параметров полупроводниковых приборов (транзисторов, диодов), а также для создания сложных полупроводниковых устройств (например, твердых схем). [c.271]

Фоторезисторы — полупроводниковые резисторы, изменение электрического сопротивления которых происходит под действием электромагнитного излучения. Светочувствительный элемент фоторезистора выполняется из полупроводниковых материалов на основе сернистого или селенистого свинца и кадмия в виде тонкой пленки на стеклянной подложке или прессованной таблетки. Основными характеристиками фоторезистора являются спектральная, люкс-амперная, вольт-амперная и частотная. К основным параметрам относятся кратность изменения сопротивления, темповой и световой фототок, номинальная мощность рассеяния, рабочее напряжение, постоянная времени и др. Фоторезисторы выпускаются в пластмассовых и металлических корпусах, а конструктивное исполнение некоторых типов позволяет устанавливать их в стандартные ламповые панели. [c.13]

Поскольку испарение защитного- покрытия фоторезиста происходит довольно быстро и не требует большого числа ручных операций в сравнении с удалением фоторезистов с помощью растворителей, применение сухого процесса окисления в большинстве случаев предпочтительнее. При этом маловероятно образование органических остатков и более вероятно внесение следов неорганических примесей самим фоторезистом. Количество этих примесей изменяется, в зависимости от чистоты фоторезиста. Они могут быть удалены быстрым окунанием подложки в разбавленную фтористоводородную кислоту [119]. Окисление поверхности металлической пленки и ухудшение параметров чувствительных полупроводниковых приборов — вопросы, которые необходимо разрешать. На основании экспериментов исследователи должны решить вопрос о том, оказывает ли сухое окисление вредное воздействие на электрические характеристики приборов или нет, [c.614]

По идее В. Л. Гинзбурга [13], в слоистых структурах ( сэндвичах ) должен действовать экситонный механизм сверхпроводимости, который сможет обеспечить высокие Т ( 10 К и выше). Изготовить сэндвич с благоприятными параметрами в контролируемых условиях пока не удалось. По чисто техническим причинам действительно очень трудно получить совершенный ультра-тонкий металлический слой ( 2—3 атомных слоя) на диэлектрической или полупроводниковой подложке. Но если, например, на предварительно окисленную кремниевую подложку напылить тонкий слой селена, то последующее напыление металла позво-" ляет получить достаточно однородные ультратонкие слои. Следовательно, создание подходящих сэндвичей хотя технически и очень трудная, но вполне разрешимая задача. Для ее осуществле-ния необходимы <очень чистые условия (сверхвысокий вакуум, сверхчистые вещества, очень совершенные подложки). [c.506]

Тонкопленочные интегральные микросхемы получают осаждением п.ченок различных материалов на изоляционную подложку, в качестве которой наиболее часто используют боросиликатное стекло и и ситалл. Функциональные узлы получают в результате последовательного осаждения на подложку тонких пленок проводниковых, диэлектрических, полупроводниковых, магнитных и магнптодиэлектрических материалов из газопаровой фазы в вакууме. Для получения рисунка схемы используются специальные металлические маски. Ведется непрерывный контроль параметров образующихся элементов. Испарение осаждаемых материалов получается при нагревании их с помощью подогревателей, электронной бомбардировки или лазерного излучения. [c.34]

Наряду с автоэпитаксией, для получения полупроводниковых устройств может быть использована ориентиро1ванная кристаллизация на чужеродных подложках. Отметим, что соединения. между двумя различными полупроводниками принято называть смешанными (гетеросоединениями) в отличие гомосоединений одного и того же полупроводника с различными типами проводимости. Из гетеросоединений, полученных путем ориентированной кристаллизации, наиболее подробно изучены переходы Ge — GaAs [136, 139]. GaAs имеет подобную германию кристаллическую структуру, близкий параметр решетки [c.404]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология