Диффузия поверхностная но чужеродной поверхности

Атомный механизм диффузии в кристаллах можно представить как особый механизм обмена мест. Процессы диффузии могут происходить в веществах, состоящих из атомов одного вида, например, путем выравнивания различных кинетических энергий атомов (аналогично броуновскому движению молекул в жидкостях). Этот процесс обмена мест называется самодиффузией. Чтобы частица, находящаяся в узле решетки, могла покинуть свое нормальное место, необходимо, чтобы частица приобрела определенную энергию (энергию активации). Энергии активации особенно низки для частиц кристалла, находящихся на поверхности, так как они имеют меньше связей, чем атомы внутри кристалла. Поэтому нужно учитывать повышенную подвижность на поверхности (поверхностная диффузия или диффузия Фоль.мера). Повышенная подвижность собственных и чужеродных частиц на поверхности кристалла будет подробно изложена в главе 14.3. [c.233]

Наличие добавочных рефлексов, по Хаазе, может вызываться и химическими веществами из электролита после электрополировки. Дифракционная картина свидетельствует о закономерном расположении частиц этих веществ. Увеличение интенсивности дополнительных рефлексов при нагреве до 200° С может быть объяснено упорядочением чужеродного вещества последующий нагрев приводит либо к его испарению, либо к диффузии внутрь кристалла. Бомбардировка поверхности ионами удаляет поверхностный слой. Отметим, что дополнительные рефлексы аналогичной природы наблюдались ранее от различных подложек [31—34]. [c.215]

Идет ли речь об ионных или ковалентных кристаллах, поверхностные эффекты имеют большое значение. Действительно, первый закон Фика показывает, что диффузионный поток невозможен без градиента концентрации. Если имеется диффузия из газообразной фазы в твердую, то на поверхности кристалла возникает градиент от осаждения моноатомной пленки атомов газовой среды. Это явление, названное хемосорбцией, может быть определено как активная адсорбция или адсорбция с установлением химических связей. Иначе говоря, чужеродное тело фиксируется таким образом, что как бы составляет продолжение кристаллической решетки хозяина. [c.61]

Диффузия при реакциях в твердом состоянии. Диффузионные процессы, протекающие в твердых телах, отличаются большим разнообразием. Различают самодиффузию и гетеродиффузию в зависимости от того, происходит ли в кристаллической решетке перемещение элементов (атомов) этой же решетки или чужеродных атомов либо ионов. В зависимости от направления перемещения элементов различают объемную диффузию, диффузию вдоль граней или дефектов кристаллов (по внутренним поверхностям кристалла) и поверхностную диффузию (по внешней поверхности). Поверхностная диффузия обычно происходит легче, чем объемная диффузия и диффузия вдоль граней кристаллов. [c.161]

Диффузионные процессы перемещения структурных элементов в твердых телах отличаются большим разнообразием. Различают самодиффузию — перемещение в кристаллической решетке ее же элементов и гетеродиффузию — перемещение чужеродных ионов, атомов или молекул. В зависимости от направленности процесса перемещения частиц различают объемную диффузию (в глубине решетки), поверхностную диффузию (по внешней поверхности зерен) и диффузию вдоль граней и дефектов кристаллов (по внутренним поверхностям тела). [c.255]

Неоднородность структуры поверхности кристалла предопределяет возможность наличия вдоль нее градиента химического потенциала. Это приводит к поверхностной самодиффузии (диффузии вещества кристалла) и гетеродиффузии (диффузии чужеродных частиц). Эти процессы идут в направлении выравнивания поверхности граней, залечивания их дефектов. Кроме того, распространению вещества по поверхности (его ползучести, растеканию) способствуют неровности, которые служат стоками для диффундирующих частиц. [c.342]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология