Плоскость изображения концентрация ионов

Если для определения г использовать экспериментальное заполнение поверхности анионами, то получается сдвиг т. н. з., составляющий около 200 мв при изменении концентрации на порядок, т. е. в два раза больше, чем на опыте. Это расхождение связано с тем, что О. А. Есин и В. М. Шихов рассматривали как дискретные также заряды катионов на внешней плоскости Гельмгольца, тогда как в действительности дискретность внутренней плоскости Гельмгольца проявляется значительно сильнее, чем на внешней плоскости Гельмгольца. Б. В. Эршлер впервые получил теоретически правильный результат, приняв, что заряд слоя катионов является равномерно размазанным зарядом. Расчет был выполнен при использовании метода зеркального изображения. Этот метод представляет собой математический прием, позволяющий рассчитать взаимодействие ионов с металлом и ионами внешней обкладки двойного слоя. В дальнейшем Д. Грэм распространил [c.127]

Весьма часто двойной слой имеет более сложное строение, чем схематически изображенное на рис. 58. Ионы двойного слоя вырьшаются тепловым движением из плоскости закрепленных обкладок конденсатора и уносятся в глубину раствора. Притягиваемым зарядом поверхности они возвращаются обратно, но под влиянием броунского движения и интерионного взаимодействия снова вырываются. В результате часть избыточных ионов определенного знака, компенсирующих заряд поверхности металла, оказывается расположенной не в закрепленной обкладке раствора, а в толще электролита. Концентрация избыточных ионов по мере удаления от поверхности металла, естественно, будет уменьшаться. Согласно взглядам Гуи, внешняя обкладка двойного слоя представляет собой ионную атмосферу (см. теорию Дебая — Гюккеля в гл. V). Толщина двойного слоя б определяется уравнением [c.201]

Весьма часто двойной слой имеет гораздо более сложное строение, чем схематически изображенное на рис. 10. Тепловое движение ионов стремится распределить их равномерно в объеме. Ионы двойного слоя вырываются тепловым движением из плоскости двойного слоя и уносятся в толщу электролита. Притягиваемые зарядом поверхности, они возвращаются обратно и опять вырываются. В результате часть избыточных ионов данного знака, компенсирующих заряд металлической поверхности, оказывается расположенной не в плоскости двойного слоя, а в толще электролита. Концентрация избыточных ионов по мере удаления от поверхности, естественно, будет уменьшаться. В описанном случае на первый слой ионов будет приходиться только часть падения потедциала, а остальная часть, постепенно убывая, распределится в толще электролита. На рис. 14 приведена схема такого строения двойного слоя. Часть ионной обкладки, в которой падает основная часть потенциала (при больших значениях 9), остается плоской. [c.55]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология