Правило постоянства симметрии

На самых ранних этапах развития кристаллографии уже было установлено, что наиболее важной характеристикой внешней симметрии кристаллов в действительности является не сама форма, а скорее два явления, выраженные в двух правилах. Первое правило состоит в постоянстве углов между гранями кристаллов. Другое представляет собой закон кратных отрезков, или закон рациональных индексов. [c.406]

Обычные характеристики кристаллических веществ — симметрия, координационное число и постоянные длины связей — не обязательны при рассмотрении поверхности кристалла [121]. Таким -образом, ионы или группы, находящиеся на поверхности, представляют собой дефектные структуры, отличающиеся от структуры всей массы кристаллов, так как они подвергаются несимметричному притяжению [129]. Поэтому некоторые правила, обсуждаемые выше, на поверхности не соблюдаются, например постоянство координационного числа или длины связей. Вероятно, это относится как к аморфным так и к кристаллическим катализаторам крекинга, в которых отношение поверхностных ионов к ионам всей фазы значительно выше, чем в непористых кристаллических веществах. [c.64]

Переходы в верхние состояния с к О возможны, если основное электронное состояние [см. уравнение (12)] имеет связанные с ним колебания решетки или же если кристалл имеет дефекты или содержит примеси. В случае колебаний решетки, связанных с основным электронным состоянием, формальное требование постоянства вектора к при переходе может выполняться, если в верхнем состоянии волновой вектор равен волновому вектору колебания решетки в основном состоянии. Такие переходы проявляются в спектрах поглощения слабо, так как их интенсивность зависит от способности колебания решетки вызвать в электронной волновой функции компонент не равного нулю вектора к. Однако изучение соответствующего момента перехода показывает, что правила отбора, как можно было ожидать, выводятся из группы волнового вектора. Если группа волнового вектора не имеет элементов симметрии, то направление поляризации не связано с осями кристалла. В противном случае направление поляризации может быть ограничено определенной плоскостью или осью кристалла. В каждом из случаев, приведенных в табл. 4, поглощение происходит только в направлении оси Ь или в плоскости ас в кристаллах [c.524]