Импеданс переходе, реакции

Рис. 113. Эквивалентная схема электрода с перенапряжениями перехода (Еа), диффузии (Дд, Сд) и реакции (2 р, Ср) (или кристаллизации Ск), учитывающая емкость двойного слоя Сдв и омическое сопротивление электролита Лом- ( д — импеданс диффузии 2р — импеданс реакции — концентрационный импеданс — фарадеевский импеданс.)

Приняв, что процесс не осложнен адсорбцией и импеданс реакции (кристаллизации) равен нулю, найти сопротивление перехода и ток обмена. [c.127]

В результате электрохимического превращения по реакции перехода при Яо Жо переменный ток будет вызывать периодические колебания концентрации ад-атомов, почти равномерно распределенных но всей поверхности за исключением очень узких участков на ступенях роста. Существенного накопления или расходования атомов на ступенях роста не происходит. Поэтому следует учитывать, что омическая или емкостная компоненты импеданса кристаллизации не зависят от частоты. Величина представляет собой сопротивление перехода, а — емкость [c.359]

Рис. 114. Эквивалентная схема фарадеевского импеданса Zф при замедленном протекании реакции перехода п диффузии.

Рис. 119. Эквивалентная схема фарадеевского импеданса при замедленном протекании перехода i п), диффузии (Дд, Сд) и реакции (Др, Ср) или кристаллизации (Дк> Ск).

При рассмотрении различных сопротивлений и импедансов поляризации сопротивления перехода (см. 54), импеданса диффузии (см. 61, 62), импеданса реакции (см. 71, 72), импеданса кристаллизации (см. 77) и фарадеевского импеданса (см. 81) предполагалось, что плотность тока является линейной функцией перенапряжения. Это предположение приближенно справедливо только при малых величинах перенапряжения т] I < КТ пР. [c.397]

Механизм Фольмера—Тафеля также приводит к качественно той же зависимости фарадеевского импеданса от частоты. В этом случае, как это обсуждалось в 81 и 72, складываются перенапряжения перехода и гетерогенной реакции il = Tin + т)р. Учет степени заполнения 0, которая здесь не должна быть очень малой, приводит еще к небольшому изменению по сравнению с уравнением (2. 314). [c.626]

Схема рис. 19 с учетом уравнений (14.21) допускает переход к различным предельным случаям. Пусть, например, сопротивление реакции переноса заряда бесконечно велико. Это означает, что реакция переноса заряда запрещена и на электроде идет только одновременная адсорбция двух поверхностно-активных веществ. В этом случае связь через двухполюсник разрывается, импеданс последовательно соединенных двухполюсников Х равен Zu — Zi2, а импеданс двухполюсников Х + Х равен Z22 — Zi2- В итоге приходим к схеме, полностью совпадающей с рис. 13 для процесса одновременной адсорбции двух веществ. [c.62]

В гл. 7 было получено полное уравнение для импеданса 1Т [уравнение (7.41)] в простейшем случае системы из двух уравнений, соответствующих двум стадиям реакции. Предположим, что поверхностная реакция, в результате которой ион кислорода из решетки переходит в состояние слабой адсорбции на поверхности, является определяющей для всей реакции. Тогда 1/аг = О, и вы- [c.349]

Эквивалентная схема фарадеевского импеданса при замедленности одновременно перехода, реакции (кристаллизации) и диффузии показана на рис. 119 (см. такдае рис. ИЗ). Омическая компонента Лф фарадеевского импеданса аддитивно складывается из омических компонент сопротивлений перехода, диффузии и реакции (кристаллизации) [c.377]

Во-вторых, поскольку, согласно принципу Франка—Кондона, электронные переходы в ходе электрохимической реакции на межфазной границе происходят между уровнями равной энергии [6], то для эффективного переноса зарядов (т. е. протекания электрохимической реакции на границе раздела) необходимо перекрывание уровней энергии в растворе электролита и в разрешенной зоне в твердом теле. Поэтому, например, электродные реакции, уровень электрохимического потенциала которых лежит вблизи потолка валентной зоны , обменивают заряды между раствором и алмазом весьма эффективно. Это согласуется с обсуждавшейся выше (рис. 27) зависимостью скорости реакции от равновесного потенциала окислительно-восстановительных систем. Мы видим, в частности, что уровень электрохимического потенциала системы Ре(СК) расположен близко к валентной зоне и очень далеко от зоны проводимости. Очевидно поэтому, что электродные реакции с участием ионов Fe( N)g и Ре(СК) протекают с участием валентных электронов алмаза, а не электронов зоны проводимости. Более детальньгн анализ годографов импеданса, подобных изображенным на рис. 31а (см. так- [c.56]

Зависимость общего фарадеевского импеданса от частоты как омической, так и емкостной компонент можно получить комбинированием рис. 115 с рис. 117 в рис. 120 для замедленного протекания гомогенной и комбинированием рис. 115 с рис. 118 в рис. 121—для гетерогенной реакции. Вообще при этом остаются справедливыми уравнения (2.523а, б). Для сопротивления перехода при наличии только одной реакции перехода применимо уравнение (2. 74) с валентностью [c.378]

Для вычисления величин компонентов Я и 1/(соСд) импеданса диффузии нужно использовать уравнение (2. 178а). В более сложных случаях, в которых вещество Зц или 8в реакции перехода находится в равновесии с веществами 8 - суммарной электродной реакции, и концентрация которого велика по сравнению с су, сопротивление диффузии более точно описывается уравнением [c.379]

ДЛЯ перенапряжений перехода, диффузии, реакции и кристаллизации. Поляризационный импеданс, который может быть измерен только при очень малой амплитуде перенапряжения в несколько мв в области линейности поляризационной кривой при равновесном потенциале, как это уже было разобрано в 54, 62, 72, 77 и 81, содержит омическую йпол и емкостную 1/ Споп компоненты. После расчетного устранения емкости двойного слоя Сдв и омического сопротивления Дом, согласно 81, остается фарадеевский импеданс с омической (ДфУ и емкостной (1/(оСф) компонентами. Из зависимости этих величин от частоты, данной Геришером можно определить вид перенапряжения при протекании переменного тока. [c.443]

Кинетика электрода Hg/Hg с нормальным потенциалом Е = = +0,800 в первоначально была исследована Розенталь и Эршлером и Геришером методом измерения импеданса. В работах определялись плотности тока обмена о из сопротивления перехода Ra- При этом была подтверждена линейная зависимость омической Ra + Лд) и емкостной 1/((оС д) составляющих фарадеевского импеданса от 1/ /<и по уравнению (2. 520). Это означает, что в рассматриваемом случае не проявляются ни перенапряжение реакции, ни перенапряжение кристаллизации ( 75, 76) и, таким образом, отсутствует какой-либо кристаллизационный контроль. Однако разность == R — 1/(соСф) [ур. (2. 520 в)] оказалась столь ничтожной, что для величины плотности тока обмена исследователям удалось указать только нижнюю границу ( 0 0,4 по данным Розенталь и Эршлера , и [c.676]

На рис. 1.1 показана эквивалентная схема ячейки с фотоэлектродом. (Импеданс вспомогательного электрода выбран достаточно малым, так что его можно не учитывать.) Схема собственно фотоэлектрода представлена параллельным соединением емкости С и сопротивления реакции . Переход между гальвано- и потен-циостатическим режимом измерений определяется соотношением между импедансом Z фотоэлектрода на данной частоте и суммой всех внешних, по отношению к фотоэлектроду, сопротивлений [c.21]

Сложнее обстоит дело в случае металлов с низким и средним перенапряжением водорода, особенно принадлежащих к группе платины и железа. Несмотря на большое количество проделанных работ, в целом пе удалось еще получить однозначных результатов. Так, Кнорр и его сотрудники [90], широко использовавшие методы измерения импеданса и кривых заряжения для исследования процессов, происходящих при выделении водорода и ого ионизации на металлах группы платины и на золоте, в согласии с результатами П. И. Долина и Б. В. Эршлера [1] приходят к выводу, что разряд ионов водорода протекает с конечной и измеримой скоростью наряду с этим необходимо учитывать и медленность установления равновесия между молекулами и атомами водорода, а также медленность процессов диффузии, причем соотношение скоростей этих стадий сильно изменяетс>[ в зависимости от состояния поверхности. Исследование кинетики ионизации молекулярного водорода на вращающемся активном платиновом электроде привело автора и Э.А.Айказяна [15] к выводу, что на большей части поверхности лимитирующей стадией является стадия перехода молекулы На в адсорбированные атомы, а на активных центрах, где указанная реакция протекает беспрепятственно,— некоторая последующая реакхщя (ионизация или поверхностная диффузия). [c.18]

Учет влияния влагосодержания перфторированных мембран на кинетику переноса противоионов в рамках теории абсолютных скоростей реакции предпринят Пурсели и соавт, [59]. Предложенная авторами [59] модель позволяет не только объяснить рост сопротивления межкластерных каналов с уменьшением влагосодержания мембраны (растет энергетический барьер, который должен преодолеть противоион, чтобы перескочить из одного кластера в другой), но и дает интерпретацию трансформации формы спектра импеданса мембраны при уменьшении ее влагосодержания. Переход от чисто активного сопротивления при высоком влагосодержании к спектру с полукругом авторы [59] объясняют скоплением противоионов на границе кластера с межкластерным каналом, что приводит к появлению электрической емкости на участке кластер/канал/кластер эквивалентная электрическая схема такого участка представляется [59] последовательно включенными сопротивлением (/ ]) и сопротивлением (/ 2) в параллели с емкостью (С2). Данное объяснение хорошо согласуется со свидетельствами [60] о росте роли эстафетного механизма в переносе противоинов при снижении влагосодержания мембраны. [c.182]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология