Кристаллов ступень роста скорость перемещения

Известно несколько л1етодов измерения поверхностной энергии, связанных с кристаллизацией и зародышеобразованием нри кристаллизации [14, 49—51]. Рост кристаллов из газовой фазы в ряде случаев илтеет слоисто-спиральный характер, и нри этом скорость перемещения изолированной ступени определяется кривизной ступени и поверхностной энергией. Измерив равновесный радиус критического зародыша при фиксированном значении давления паров, можно рассчитать поверхностную анергию [14]. На этом же принципе основано измерение поверхностной энергии твердых тел по релаксационным явлениям, например по кинетике залечивания царапин [14, 52, 53]. [c.56]

Бургерса. Эта ступень не может исчезнуть, пока там присутствует дислокация. Кристалл может продолжать расти неопределенно долго путем добавления новых молекул к ступени таким образом, эта ступень перемещается вдоль поверхности кристалла. Очевидно, что ступень не будет оставаться прямой в этом процессе, потому что это потребовало бы пропорциональности скорости ее перемещения расстоянию ее от дислокации, тогда как эта скорость фактически почти постоянна. В результате ступень отстает в росте во внешних частях и закручивается в спираль. В конечном установившемся состоянии, которое достигается при однородном пересыщении, расстояние между витками спирали обратно пропорционально пересыщению. Скорость роста обратно пропорциональна этому расстоянию и прямо пропорциональна скорости продвижения витков. Последняя пропорциональна пересыщению, если ступени находятся на достаточном расстоянии друг от друга, но становится независимой от пересыщения, если они достаточно близки, чтобы конкурировать в поглощении материала из среды. Следовательно, скорость роста пропорциональна квадрату пересыщения, если оно мало, и его первой степени при более высоких пересыщениях. [c.17]

Механизм Хиллига и Торнбалла приводит к квадратичной зависимости скорости роста от переохлаждения А Г. Такого соотношения между скоростью роста и переохлаждением можно ожидать на основе дислокационной теории роста, и это можно показать следующим образом. Поскольку число столкновений молекул расплава с поверхностью кристалла согласно уравнению (VII.33) пропорционально ДГ, то рассуждения, использованные в г.т. VI при рассмотрении закона роста из паровой фазы, можно, очевидно, применить и для расплава, заменив только Ар на ДГ. Если, как предполагалось выше, расстояние между ступенями велико (i/g велико но сравнению со средним перемещением по поверхности), то теория спирального роста приведет к квадратичной зависимости скорости роста от переохлаждения А Г. [c.245]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология