Дислокационная стенка

Таким образом, при частично когерентном сопряжении фаз происходит уменьшение энергии внутренних напряжений и увеличение энергии, связанное с образованием дислокационной стенки. [c.195]

Иллюстрацией сказанного является взаимосвязь клиновой дисклинации с так называемой дислокационной стенкой. Под стенкой обычно понимают большое число одинаковых параллельных прямолинейных краевых дислокаций, расположенных в одной плоскости, перпендикулярной их векторам Бюргерса (рис. 88). Дислокации лежат в параллельных плоскостях скольжения, расстояния между которыми в простейшем случае принимаются одинаковыми, равными Н. [c.257]

Легко понять геометрический смысл деформации кристалла, порожденный такой системой дислокации. Наличие стенки приводит к разориентации двух частей кристалла, разделенных плоскостью, проходящей через рассматриваемую систему дислокаций (рис. 88). Если к — расстояние между дислокациями (в макроскопической теории обязательно /г Ь), то угол разориентации двух частей кристалла г[) == ЫН. Таким образом, дислокационная стенка служит моделью границы двух блоков или субзерен с малой [c.257]

Сравнивая (15.46) с (15.45), мы можем заключить, что при макроскопическом рассмотрении дислокационная стенка на рис. 89 эквивалентна отрицательной клиновой дисклинации с вектором Франка йг = —ЫН и осью поворота, совпадающей с линией А. Естественно, что величина вектора Франка в данном случае равна углу разориентации двух частей кристалла. [c.258]

Рис. 89. Дислокационная стенка заканчивается на линии А.

Рассмотрим поле прямолинейной клиновой дисклинации, ось поворота которой совпадает с осью г, а угол поворота равен 2. Мы убедились, что такой дисклинации можно поставить в соответствие полубесконечную дислокационную стенку (рис. 93) с однородной средней плотностью вектора Бюргерса [c.264]

Именно эта проекция представляет наибольший интерес, так как только в плоскости скольжения перемещение дислокации может иметь характер механического движения. Обращение в нуль этой проекции силы соответствует равновесной по отношению к скольжению конфигурации двух дислокаций. Из формулы (19.1) вытекает, что обращается в нуль при ф = л/2 и ф = я/4. Легко проверить, что первое из этих положений (рис. 98, а) отвечает условию устойчивого равновесия двух дислокаций одного знака ( х г > 0). а второе (рис. 98, б) — двух дислокаций разных знаков ( 1 2 < 0). Очевидно, что первая конфигурация (рис. 98, а) остается устойчиво равновесной и в случае числа дислокаций больше двух. Данное обстоятельство является причиной того, что дислокационная стенка, упомянутая в 15 и изображенная на рис. 88 или рис. 89, является равновесной и устойчивой структурой. [c.293]

Наличие блоков и дислокационных стенок сильно влияет на многие свойства кристалла электропроводность, поглощение ультразвука, когерентность светового пучка, проходящего через кристалл, и т. д. [c.349]

Еще более нагляден, но и более сложен по технике эксперимента метод декорирования, в котором дислокации делаются видимыми, потому что на них осаждаются чужеродные частицы (см. рис. 310). Так, если кристалл кремния подвергнуть отжигу в парах золота, то частицы золота осаждаются вдоль дислокационных стенок, делая их видимыми. В отличие от метода травления метод декорирования позволяет наблюдать дислокационную структуру не только на поверхности, но и в глубине кристалла. На рис. 310 видны два отрезка одной дислокационной петли и рождаемые ими новые дислокационные петли. Такая конфигурация называется источником Франка—Рида. [c.353]

Рис. 88. Дислокационная стенка как малоугольная граница зерен в кристалле.

Рис. 90. Замена конечной дислокационной стенки клиновым дис-к клинационным диполем.

Поэтому система одноименных краевых дислокаций в параллельных плоскостях скольжения механически наиболее устойчива, когда дислокации расположены одна над другой (в положениях А на рис. 302) и образуют дислокационную стенку (рис. 303). Такие стабильные конфигурации дислокаций, или малоугловые границы, обычно разделяют области кристалла, ориентация которых отличается друг от друга очень незначительно. В пределах такой области, или блока, кристаллическая структура может считаться идеальной, на границе же существует легкая разо-риентировка решетки, в результате чего образуется ряд дислокаций. В любом реальном кристалле наблюдаются обычно блоки размером 10" —10 м, разорп-ентированные (от нескольких угловых секзпад до 3—5°) и разделенные малоугловыми границами. Угол между направлениями ориентации двух блоков определяется по формуле [c.349]

РЕШЕНИЯ ЛЕ-КЛЕРА-РАБИНОВИЧА ДИСЛОКАЦИОННАЯ СТЕНКА [c.165]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология