Дефекты структуры дислокационные теории

Теория дислокаций исходит из того, что идеально правильный порядок расположения атомов (как это показано на рис. 94) в реальных кристаллах нарушается. Даже ничтожное отклонение от этого порядка может привести к тому, что в некоторых участках кристалла число атомов в соседних плоскостях неодинаково (рис. 95). Тогда вдоль всей плоскости скольжения АВ (в направлении, перпендикулярном плоскости чертежа) возникает дефект структуры, называемый дислокационной линией, или дислокацией. Если есть дислокации, атомные связи между плоскостями будут рваться под действием-Янещ-него усилия неодновременно, а поочередно. Следствием этого является передвижение дислокации из одного участка кристалла в другой. Когда дислокация выйдет на поверхность, там образуется ступенька атомного размера. Если на поверхность выйдет много дислокаций, [c.216]

Дефекты от дислокаций имеют сетчатую форму, причем часто дислокационные сетки оконтуривают зерна вследствие некоторой разориентировки структуры последних по обе стороны дислокационной линии. Теория контраста на дислокациях сложнее, чем в случае дефектов от упаковки атомов. [c.157]

Цудзуку и Кобаяси [50], используя современные представления о строении реального твердого тела, пытались объяснить процесс графитообразования в твердой фазе с точки зрения теории дислокаций. Авторы дислокационной теории графитации рассмотрели восемь основных типов внутри-кристаллических границ, которые различаются по расположению дислокаций и точечных дефектов. Они полагают, что боковой рост кристаллов, характерный для ранней стадии графитации, происходит благодаря движению и слиянию так называемых границ излома, которые возникают большей частью при вертикальном выравнивании краевых дислокаций. Возникающие напряжения сдвига, вызванные взаимным давлением анизотропно растущих в процессе графитации кристаллов, в значительной степени влияют на рост кристаллов. Завершение образования трехмерной структуры графита при высокой температуре (выше 2300° К) происходит благодаря слиянию винтовых дислокаций, что создает впечатление вращения сеток вокруг гексагональной оси с. Делая некоторые предположения, авторы дислокационной теории подсчитали, что движущие силы вращения кристаллов составляют более 10 кГ/м , т. е. имеют тот же порядок, что и напряжения сдвига. [c.145]

Полученный экспериментальный материал, показывающий определяющую роль электрического рельефа поверхности в процессах кристаллизации, приводит к необходимости рассмотрения с новых позиций теории Косселя—Странского и дислокационной теории роста кристаллов. Действительно, неактивность поверхности кристаллов-подложек или затравок (кроме элементов геометрического рельефа), постулированная в этих теориях для процессов кристаллизации, не подтверждается экспериментально. Наоборот, установлено, что активность поверхности кристаллов определяется их дефектной структурой, представляющей собой в первую очередь электрически активные точечные дефекты и их микро- и макроскопления. Активность геометрического рельефа (будь это линейные ступени роста или незарастающие ступеньки на месте выхода винтовых дислокаций) проявляется, как показали многочисленные эксперименты, через его электрический рельеф. Поэтому только в том случае, если электрические свойства элементов геометрического рельефа наиболее благоприятны для кристаллизации, рост кристаллов может протекать по механизму Косселя—Странского или по механизму дислокационной теории. Таким образом, эти теории следует рассматривать как относящиеся только к частным случаям роста кристаллов. [c.202]

Из вышесказанного следует, что механические свойства реальных твердых тел существенно отличаются от свойств, определяемых из теории идеального кристалла. Так, значения прочности, близкие к рассчитанным ио энергетической теории, получены только для нитевидных бездислокацион-ных кристаллов. Развитие современных теорий прочности идет по пути учета дислокационных структур, различного рода дефектов, примесей и других параметров, влияющих па механические свойства. [c.19]

Теория зарождения трещин в кристаллах в результате сдвига основывается на дислокационной модели. В общем случае, однако, применительно к развитию трещин можно, по-видимому, ввести представление о подвижных структурных дефектах атомного размера, характер движения и распределения которых таков же, как и в дислокационной модели. (Вектор Бюргерса-переменная величина). Тогда основные положения теории дислокации применимы и к хрупким аморфным телам, закономерности разрушения которых мало отличаются от закономерностей хрупкого разрушения кристаллических тел. О существовании многочисленных атомных дефектов в поверхностных слоях частиц измельченных материалов свидетельствуют описанные выше нарушёния кристаллической структуры, механохимические процессы, а также терыолюминесцен-ция, экзоэлектронная эмиссия и другие явления. [c.122]