Частично когерентный прие

Частично когерентный прием [c.243]

Совокупность сигналов называется ортогональной, если Реи = Р и = О для всех I Ф /. Исследование качества некогерентного приема Ж-значных ортогональных равновероятных сигналов с одинаковой энергией выполняется точно так же, как и в случае двоичных ортогональных сигналов в 7.5, за исключением того, что там рассматривался частично когерентный прием. Однако выражения (7.56) — (7.63) можно применить в случае некогерентного приема, положив а = 0. (Можно было бы рассмотреть и частично когерентный прием, но получаемое для вероятности Рош выражение было бы значительно сложнее.) Затем, предполагая, что был передан сигнал V (О и обобщая формулы (7.61) и (7.62) для а = О, получаем, что отсчеты на выходах корреляторов Rj, / = 1,. . ., М, представляют независимые случайные величины с плотностями вероятностей [c.303]

Случай полностью когерентного и некогерентного излучения встречается редко, на практике всегда наблюдается частично когерентное освещение. Оно имеет место даже при полном согласовании апертур осветительной системы и объектива, т. е. при полном заполнении входного зрачка объектива. При уменьшении степени заполнения зрачка степень когерентности б увеличивается, а при заполнении зрачка в виде точки освещение приближается к когерентному случаю. Этим приемом начинают пользоваться на практике при конструировании современной фотолитографической аппаратуры, причем стремятся выбрать оптимальное заполнение зрачка, оптимальную степень когерентности [32]. [c.30]

Таким образом, при частично когерентном сопряжении фаз происходит уменьшение энергии внутренних напряжений и увеличение энергии, связанное с образованием дислокационной стенки. [c.195]

Конкуренция двух этих факторов определяет необходимые энергетические условия для реализации когерентного и частично когерентного сопряжения фаз. Когерентное сопряжение имеет место при малых размерах включения на ранних стадиях фазового превращения. Увеличение размеров включения создает условия для образования частично когерентного сопряжения. [c.196]

Кроме когерентного и частично когерентного сопряжения возможно еще существование полностью некогерентного сопряжения. При полностью некогерентном сопряжении границы не держат тангенциальные сдвиговые напряжения. Моделью некогерентного включения может служить частица новой фазы, вставленная в соответствующую полость в матрице, в которой отсутствует трение между поверхностью зтой частицы и внутренней поверхностью полости. В зтих условиях границы могут свободно проскальзывать относительно друг друга. [c.196]

По-видимому, в большинстве наиболее интересных случаев мы встречаемся с когерентным или частично когерентным способом сопряжения фаз. Оба зти способа могут быть рассмотрены с единой точки зрения, так как присутствие дислокаций несоответствия при частично когерентном сопряжении сводится к простому увеличению коэффициентов поверхностного натяжения и к уменьшению эффективной разницы в размерах сопрягающихся плоскостей. В этом смысле ситуации когерентного и частично когерентного сопряжения отличаются только в количественном, но не качественном отношении. Поэтому в дальнейшем мы будем обсуждать только случаи когерентного сопряжения фаз, Х [c.196]

Если С = оо, то апертура освещения равна оо это значит, что источник помещен в плоскости щели. При промежуточных значениях С осуществляется частично когерентное освещение. [c.159]

Случаи полностью или частично когерентного освещения также представляют определенный интерес. При щели в два — четыре раза шире нормальной полуширина АФ спектрографа оказывается заметно меньше, чем при некогерентном освещении, и возрастает с шириной щелей тем медленнее, чем меньше коэ( х )ициент некогерентности с. [c.67]

Сравнительно простой вид имеет функция аппарата а(х) для предельных случаев, когда щель спектрографа освещена вполне когерентным или вполне некогерентным светом. Практически же при освещении щели спектрографа с использованием конденсорной линзы, как это обычно делается при исследовании спектров комбинационного рассеяния, свет, падающий на щель, может быть частично когерентным. В этих промежуточных условиях освещения функция аппарата имеет весьма сложный вид. [c.14]

В гл. 7 определяется оптимальный приемник или детектор для двоичной системы связи и рассмотрено его качество при различной степени когерентности фазы несущей, если частота несущей известна. Сперва будут рассмотрены два крайних случая, когда фаза несущей либо известна точно, либо же ее оценки не существует. Их обычно называют соответственно когерентным и некогерентным приемом. Затем будет рассмотрена ситуация, когда имеется оценка фазы в виде сигнала на выходе системы фазовой автоподстройки, следящей за немодулированной вспомогательной несущей. Этот метод приема назовем частично когерентным. Другой метод состоит в получении оценки фазы по сигналу, соответствующему предшествующему символу, и в использовании этой оценки при приеме символа, передаваемого в данный момент. Эта система, называемая разностно когерентным приемом, успешно применялась в коммерческих линиях буквопечатающей связи. Для всех этих случаев будут определены оптимальные приемники или детекторы и рассмотрено их качество. [c.228]

Следовательно, обнаружитель не будет отличаться от обнаружителя для когерентного приема, за исключением того, что к Ху следует прибавить постоянную величину а. Два варианта блок-схем показаны на рис. 7.4 для случая равновероятных сигналов с одинаковой энергией и при воздействии белого нормального шума. В обоих случаях выбор решения по максимуму апостериорной вероятности соответствует выбору того значения /, для которого имеет большее значение. Вторая схема более наглядная, так как она показывает, что оптимальный частично когерентный обнаружитель представляет просто линейную комбинацию оптимального когерентного и оптимального некогерентного обнаружителей с весовыми функциями 2а и 1 соответственно. Очевидно, что при а О получаем некогерентный приемник, а при аоо нижний коррелятор можно опустить и получается когерентный обнаружитель. [c.245]

Рис. 7.5. Вероятность ошибки при частично когерентном приеме при р = 0, Рс < О ( /Л о = 4,80)-

Рис. 7.6. Вероятность ошибки при частично когерентном приеме при рв = 0, Рс < О (E Nn = 9, 10).

Рис. 7.7. Геометрическая интерпретация формулы (7.82), когда р = Рс при частично когерентном приеме.

Рис. 7.8. Вероятность ошибки при частично когерентном приеме Рс = -0,5, I р, I = (Е Ы = 9,10).

Вероятность ошибки при разностно когерентном приеме показана на рис. 7.2 вместе с вероятностью ошибки при когерентном и некогерентном приемах. Следует заметить, что для обеспечения заданного значения вероятности Рош требуется вдвое меньшая энергия по сравнению с некогерентным приемом. Получаемая из формулы (7.91) вероятность ошибки изображена также в виде прямой линии на графиках (рис. 7.5 и 7.6) для случая частично когерентного приема. Заметим, что для достижения лучшей работы частично когерентной системы по сравнению с разностно когерентной необходимо обеспечить отношение сигнал/шум [c.263]

Рассказ о современных материалах и о роли химии в их разработке и получении можно существенно расширить и дополнить, если рассматривать и классифицировать их по структурному признаку. В твердофазном материаловедении понятие структуры — собирательное название характеристик материалов. Оно может означать как пространственное взаимное расположение атомов или ионов относительно друг друга (кристаллическая или рентгенографическая структура), так и взаимное расположение структурных элементов и фаз в поликристаллическом материале (микроструктура или керамическая структура). Иногда еще говорят о тонкой (реальной) кристаллической структуре, или субструктуре, имея в виду поверхностные и объемные несовершенства типа областей когерентного рассеяния, остаточных микроискажений и дефектов упаковки. Обычно твердые тела делят на две большие группы — кристаллические и некристаллические (аморфные или стеклообразные). Первые характеризуются наличием дальнего порядка в расположении атомов, ионов или молекул, а вторые — отсутствием такового. Согласно современной терминологии стеклом называют все аморфные тела, полученные путем переохлаждения расплава независимо от их химического состава и температурной области затвердевания, обладающие в результате постоянного увеличения вязкости механическими свойствами твердых тел. При этом процесс перехода из жидкого в стеклообразное состояние обратим. Промежуточную группу образуют стеклокристаллические материалы, многие из которых уже рассматривались. Это ситаллы, в том числе и шлакоситалл. В группу некристаллических материалов, помимо хорошо всем известных стекол, в последнее время входят аморфные металлы и сплавы переходных металлов с неметаллами. Аморфные металлы можно получать различными методами, но среди них лишь способ быстрой закалки из жидкого состояния имеет пока практическое значение, В настоящее время применяют два основных метода 1) расплющивание капель 2) быстрая закалка расплава на вращающемся металлическом диске или барабане, охлаждаемом до очень низких температур (чаще всего до температуры жидкого азота—196 " С). Аморфные металлические материалы, полученные в виде ленты, называют металлическими стеклами. Для изготовления массовых изделий из аморфных металлов чаще всего применяют метод ударного сжатия при прессовании аморфных порошков. Среди металлических стекол, находящих практическое применение, в первую очередь интересны материалы, сочетающие свойства сверхпроводников с удовлетворительными механическими свойствами, в частности высокой прочностью и определенной степенью деформируемости. Интересно, что и в этой области используют приемы частичной кристаллизации металлических стекол. По сути дела так получают стеклокристаллические материалы с требуемыми меха- [c.157]

Для проекционного метода значение имеет качество всей оптической системы, причем в настоящее время лимитирующими являются не аберрация объектива, строящего изображение, а дифракционные ограничения, определяемые волновой природой света, и явления, связанные с рассеянием света (в том числе и в толще светочувствительного материала), интерференционными эффектами и когерентностью (частичной) света [29]. При этом необходимо учитывать, что объективы, используемые в высококачественных фотолитографических системах, являются дифракционно ограниченными. [c.26]

В изотропном приближении изменение свободной энергии при таком фазовом превращении для двух случаев полного или частичного сохранения и полного нарушения когерентности границ — равно [c.306]

Акустический сигнал частично генерировался протечкой теплоносителя в лабиринтном уплотнении, изменялся по высоте и зависел от колебаний корзины. Когерентность между огибающей акустического сигнала, обусловленного потоком теплоносителя, и шумовыми сигналами ионизационных камер может существовать только при движении сборки, а не при коллективном движении корзины со сборками (рис. 11.4). Последующая инспекция подтвердила выводы шумовой диагностики. Взаимообусловленность вибраций различных узлов и агрегатов АЭС позволяет на единой методической и аппаратурной основе осуществлять контроль крупных узлов. [c.261]

Отсюда ясны трудности, возникающие в том направлении исследования турбулентности, которое связано с исследованием детальной картины течения. Действительно, численное интегрирование уравнений Навье — Стокса возможно при не столь больших числах Рейнольдса, какие представляют основной интерес в конкретных научных и прикладных задачах. Для преодоления этих трудностей предложен ряд так называемых подсеточных моделей турбулентности, в которых непосредственно рассматриваются частично осредненные характеристики течения. Вычисление этих характеристик основано на уравнениях движения, в которых влияние колебаний с длинами волн, меньшими масштаба осреднения, описывается с помощью коэффициента турбулентной (точнее, микро турбулентной) вязкости. Однако ясно, что с помощью подсеточных моделей нельзя решить всех проблем, поскольку, как уже отмечалось, перемежаемость приводит к тому, что не существует объективного способа нахождения частично осредненной диссипации энергии. По той же причине нельзя дать и замкнутого описания когерентных структур. [c.13]

Лазерное излучение обладает уникальными свойствами [5] — монохроматичностью и когерентностью. Это значит, что волны, идущие от всех атомов и молекул, находятся в одной и той же фазе (что не характерно для излучения обычных источников). Частично благодаря когерентности коллимированный поток лазерного излучения мало расходится при распространении. Это позволяет концентрировать большое количество энергии на небольшой мишени, находящейся даже на значительном расстоянии. Излучение некоторых лазеров частично или полностью поляризовано. [c.30]

Еслн мь1 проделаем то же самое для такого сильного ядра, как 41, то проблема чувствительности исчезает, но вместо нее возникают другие сложности [14]. Выбор задержки т в случае С прост для систем АХ ее оптимальное значение составляет l/4i (для сильносвязанных систем нужны несколько различающиеся значения, см. книгу [5]). Диапазон значений J для прямых углерод-углеродных констант относительно невелик (примерно 35-55 Гц). Для протонов, напротив, зависимость т от J оказывается более сложной нз-за того, что часто приходится иметь дело со сложными спиновыми системами, да н диапазон изменения констант спин-спинового взаимодействия оказывается шире (для сравнения, скажем, от 2 до 20 Гц). Другая проблема д.пя систем, содержащих более двух спинов, состоит в том, что двухквантовая когерентность при действии последнего импульса может перераспределяться по всем переходам в спиновой системе это усложняет интерпретацию каждой строки но Vi, соответствующей сигналам от пары связанных ядер. К счастью, этот недостаток может быть частично устранен в результате того, что последний импульс задается равным Зтг/4, а не л/2, что по аналогии с OSY-45 ограничивает большую часть перераспределения теми переходами, в которых участвующие ядра непосредственно формируют двухквантовую когерентность [14] (здесь термин непосредственно используется в прямом смысле, безотносительно связи между переходами). На рнс. 8.41 представлен протонный двумерный спектр INADEQUATE 2,3-дибромцропноиовой кислоты с завершающими импульсами л/2 и Зл/4. [c.336]

Упругие смещения и, следовательно, внутренние напряжения могут быть уменьшены, если существует другой механизм комцен-сации несовпадения атомных сеток плоскостей сопряжения. Такой механизм связан с дислокациями несоответствия. Введение экстраплоскостей, приводящих к появлению дислокаций несоответствия, увеличивает размеры соответствующей плоскости сопряжения и частично компенсирует несовпадение кристаллических сеток двух сопрягающихся плоскостей, принадлежащих разным фазам (рис. 38, б). Поэтому упругие искажения должны компенсировать только часть тех смео1 ений, которые должны были бы компенсироваться при когерентном сопряжении фаз. Сопряжение фаз, При котором уровень внутренних напряжений понижается за счет дислокаций несоответствия, называется частично когерентным. [c.195]

Высокая температура и степень вытяжки при экструзии ПЭ в твердом состоянии, а также при сверхвытяжке ПЭ, ПП и ПОМ настолько благоприятствуют сдвиговой деформации кристаллических блоков, что внедрение кристаллических вкраплений приводит не только к образованию устойчивых кристаллических мостиков, но и к установлению непрерывного кристаллического соединения вдоль всей микрофибриллы. Проходные цепи, частично отрелаксировавшие при высокотемпературной деформации, по-видимому, оказываются также, по крайней мере частично, включенными в эту почти полностью когерентную кристаллическую систему, что приводит к утрате возможности сокращения при последующем отжиге. При охлаждении до комнатной температуры экструдированный и сверхвытянутый материал сохраняет форму и восстанавливает при кристаллизации значение первоначального аксиального модуля упругости так же, как и вытянутый образец при его отжиге с закрепленными концами. [c.238]

При образовании твердых растворов на основе фаз, способных испытывать мартенситное превращение (например, при некоторых типах легирования сталей), возможна ситуация, когда аналог мартенситной фазы может образовывать лишь частично когерентную межфазную границу с матрицей. При этом увеличение поверхностной энергии границ приводит к образованию энергетического барьера при зародышеобразовании, и скорость превращения, оставаясь относительно высокой, подчиняется обычной (аррени-усовской) температурной зависимости. В металловедении такие процессы называют изотермическими мартенситными. [c.210]

В технической литературе оптимальный когерентной и некогерентный приемники, описанные в 7.1 и 7.2, впервые были рассмотрены Вудвордом [3]. Выражение вероятности ошибки (7.84) было дано Хелстромом [4]. Содержание 7.3—7.7 о частично когерентном приемнике с использованием опорной фазы, определяемой при помощи фазовой автоподстройки, впервые было [c.263]

Фаза S имеет форму пластинки и зарождается предпочтительно на дислокациях, как и фаза в в сплаве системы А1—Си. Она по крайней мере частично не когерентна с матрицей и имеет приблизительный состав Ab uMg. Вызывает удивление, что до сих пор нет подходящей количественной оценки процессов, имеющих место во время стандартной термомеханической обработки такого широко применяемого сплава 2024. Упрощенное качественное описание термомеханической обработки этого силава можно представить следующим образом. При температуре нагрева перед закалкой большинство легирующих элементов переходит в твердый раствор. Однако марганцовистые соединения и другие интерметаллические частицы не растворяются. Эти частицы препятствуют движению границ зерен, способствуя образованию структуры с удлиненным зерном во время изготовления полуфабриката. Быстрое охлаждение с температуры под закалку приводит к пересыщению твердого раствора с почти равномерным распределением меди и магния в матрице. В этих условиях даже границы свободны от выделений, как показано на рис. 86. Если скорость охлаждения во время закалки меньше, чем 550 °С/с, то зарождение и рост фазы, обогащенной медью, может происходить по границам зерен с образованием при этом зон, обедненных медью, непосредственно прилегающих к границам зерен. [c.237]

Рис 9 4 демонстрирует очень отчетливо влияние стягивания окна на сглаженную выборочную оценку когерентности, теоретическое значение которой в этом примере равно нулю При 1 = 4 и 8 выборочные спектры достаточно плавны и близки к нулю, но с ростом (и, следовательно, с уменьшением полосы частот окна) появляются очень большие значения когерентности В разд 9 1 3 это частично объясняется тем что дисиерсия оценки увеличивается с уменьшением полосы частот окна Кроме того, как показано [c.147]

В классическом приближении [14] и др. определение равновесия графит —алмаз основано на расчете изменения свободной энергии (в предположении обратимости перехода, хотя он явно монотропен) без учета упругих полей и образования зародыша, фазовые переходы I рода идут только через образование зародыша, что приводит к значительным расхождениям между расчетными и экспериментальными р = 7-параметрами для процесса прямого превращения. Дальше приводятся результаты расчета нижней границы пересыщения ДС, а точнее, при заданных 7, способствующих образованию зародышей алмаза в графитовой фазе при условии полного или частичного сохранения когерентности межфазных границ. Дело в том, что учесть возможные нарушения когерентности (наиболее эффективного способа уменьшения свободной энергии гетерофазной системы) невозможно, так как механизм и времена релаксаций упругих напряжений в алмазе и графите мало изучены. Поэтому не будем совместно рассматривать процессы фазового превращения и деформации, а ограничимся расчетом ДСу ДСдеф. Следует подчеркнуть, что такой подход уже подразумевает необратимость процесса из-за наличия эффективного гистерезиса, обусловленного различиями в кристаллографических и упругих параметрах преобразующих фаз. Существует и еще вторая трудность при подобном расчете — отсутствие данных о механизме прямого перехода графита в алмаз, поскольку есть все 20 307 [c.307]

В случае когерентных выделений надо ожидать появление полос, связанных с различными межплоскостными расстояниями м и с в и имеющих период D = ==dud-a/ йы — йв). Полосы будут видны в изображении частицы, если D< .l I — линейный размер частицы). При увеличении размера частицы накопление несоответствия, в плоскости раздела частица — матрица может привести к частичной потере кегерентности путем образования дислокации при /6> f> , где —вектор Бюргерса поверхностной дислокации (дислокации несоответствия). [c.536]

Физическая структура нафионовых мембран в нейтральной форме была исследована методами нейтронного и рентгенов ского рассеяния под малыми углами. Первый метод чувствнте лен к флуктуациям при рассеянии когерентных нейтронов, тог да как последний обнаруживает флуктуации электронной плот ности. Флуктуации подобного типа возникают в мембрана> вследствие частичной их кристаллизации, а также из-за того что ионные группы и молекулы воды образуют в гидратировав ных образцах кластеры. [c.463]

Имеющиеся данные об эффектах, обнаруженных при изучении сверхвытянутого материала, позволяют исключить возможность того, что даже при вытяжке и/или при охлаждении частично отрелаксировавшие межфибриллярные проходные цепи кристаллизуются в какой-то мере эпитаксиально на почти когерентной кристаллической решетке соседних микрофнбрилл. Это слишком эффективно стабилизировало бы обоюдное расположение фибрилл и микрофибрилл и таким образом предотвращало сокращение образца при последующем отжиге со свободными концами при температуре вплоть до температуры сверхвытяжки или даже еще более высокой. [c.230]

Согласно правилу Фузейя и Мурата, все посторонние вещества, влияющие на свойства покрытий, включены в покрытия. Изменения свойств металла при включении посторонних веществ Шлёттер объясняет изменениями константы решетки или образованием неизвестных прежде модификаций соответствующего металла. Однако подобные расширения решетки не обнаруживаются рентгенографически. Рентгенографическими исследованиями серебряных и медных покрытий было найдено, что включения вызывают очень сильные повреждения решетки. Вещество отчасти размещается вдоль границ зерен и слоев роста. Частично оно отлагается также в высокодисперсной коллоидальной или псев-доизоморфной форме на кристаллитах. В результате этого кристаллиты распадаются на маленькие когерентные зоны решеток, охватывающие относительно незначительные группы атомов. [c.56]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология