Масса эффективная дислокации

Дислокация является источником внутренних напряжений в кристалле — она создает в свободном от внешних нагрузок кристалле поле деформаций и напряжений. С этим полем связана определенная упругая энергия. Естественно считать эту энергию энергией дислокации. При движении дислокации должно перемещаться связанное с ней упругое поле. Но поле всегда обладает некоторой инерцией, обусловленной тем, что энергия динамического упругого поля отличается от энергии статического поля. Инерционность упругого поля дислокации можно трактовать как инерционность самой дислокации, описывая это обстоятельство некоторой эффективной массой дислокации. При таком подходе энергия и масса дислокации, а следовательно, и уравнение движения дислокации будут иметь чисто полевое происхождение. [c.277]

Эффективная масса и уравнение движения дислокации [c.280]

Учитывая замечание в конце предыдущего раздела, мы можем воспринимать первое слагаемое в (17.54) как линейную плотность кинетической энергии дислокации. Тогда (/, / ) будет играть роль нелокальной плотности эффективной массы дислокации. [c.281]

Сосредоточим свое внимание на вопросе об эффективной массе дислокации как физически более важном. Прежде всего откажемся от скалярной модели и запишем выражение (I, / ) для дислокации в изотропной среде, движущейся вдоль своей поверхности скольжения [c.281]

Из (17.62) следует, что /Иг (/) имеет значение эффективной массы единицы длины дислокации при рассмотрении движения всей дислокационной петли. Но очевидно, чтр введенная таким образом эффективная масса единицы длины дислокации не является локальным свойством рассматриваемой точки на дислокационной петле. Она зависит от размеров и формы всей петли. [c.283]

Выше дано достаточно полное описание зонной энергетической схемы идеального кристалла хлорида калия особенности же кривых, описывающих зависимость Е(к) от к и эффективных масс [4 ] не могут быть перенесены на азиды. Однако на практике электроны и дырки могут захватываться вакантными узлами решетки с образованием F-и F-центров соответственно, а также небольших их агрегатов, поглощающих свет в ближней инфракрасной, видимой и ближней ультрафиолетовой областях [11, 20]. Эти дефекты, в частности -центры и анионные вакансии, могут снижать энергию, требуемую для образования экситона на соседних атомах (а, -полосы) [И, 21]. С топохимической точки зрения более важно, однако, отметить, что локальное снижение энергии, требуемой для образования экситонов, может происходить также на краевых дислокациях [22]. Другим типом дефектов, существование которых имеет громаднейшее значение для реакций термического разложения, являются коллоидные центры. В сущности они представляют собой включения металла, образующиеся обычно в галогенидах щелочных металлов в результате агрегации F-центров [И]. Возникший коллоидный центр можно непосредственно уподоблять дискретным ядрам продукта, на которых в некоторых системах локализуется термическое разложение. Таким образом, создается важное связующее звено между физическими и химическими свойствами этих систем. [c.135]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология