Дислокации энергия образования

Дальнейшее развитие этой теории с учетом многочисленных дефектов кристалла, особенно дислокаций (см.10.3.2), приводит снова к схеме Уббелоде, который принимал во внимание кооперативные дефекты кристалла. Кооперативными называются такие дефекты, энергия образования которых уменьшается благодаря дефектам в соседних областях решетки (по сравнению с образованием изолированного точечного дефекта). [c.194]

В противопо-ложность точечным дефектам, появление которых в решетке кристалла повышает его энтропию и тем самым снижает его свободную энергию, дислокации и межзеренные границы мало влияют на энтропию кристалла энергия образования этих протяженных дефектов велика, и поэтому они не могут существовать в измеримых концентрациях как термодинамически устойчивые дефекты. Линейные и поверхностные дефекты легка образуются при выращивании монокристаллов и при приложении к ним неоднородных термических и механических воздействий. Поскольку эти дефекты при небольших концентрациях распределены по объему кристалла неравномерно, нарушение свойств кристалла, обусловленное их присутствием, локализовано в небольших объемах, окружающих дислокации или границы. Вблизи дислокаций или межзеренных границ свободная энергия кристалла имеет по сравнению с энергией частей кристалла, удаленных от него, повышенное значение. Следовательно, при взаимодействии кристалла с внешней средой кинетика процессов, протекающих вблизи дефектов на поверхности или в объеме кристалла, будет иной, и однородность свойств кристалла будет нарушена. [c.222]

Энергия, затрачиваемая на образование дислокации, т. е. собственно перемещение одной части кристалла по отношению к другой, пропорциональна квадрату вектора Бюргерса [c.253]

Как видно из кривых рис. 2.45, а—в, АЭ резко возрастает при переходе к пластической деформации (о не пропорционально е) в большом объеме образца. Эта деформация связана с массовым образованием и перемещением дефектов кристаллической решетки. Происходит образование, движение дислокаций и их групп, двойникование. Все эти процессы связаны.с появлением сигналов АЭ. Пластическая деформация объема Ы0 з мм вызывает импульсы АЭ с энергией порядка 10 Дж и шириной спектра порядка [c.174]

Следовательно, энергия образования одного скопления из п дислокаций в п раз больше, чем энергия образования равномерно распределенных дислокаций. Химический потенциал дислокации ири этом возрастает в п раз. Отсюда, рассчитывая соответствующую конфигурационную энтропию, получаем [c.51]

Г. Б. Манелис в 1979 г. обращал внимание на то, что химические /реакции на дислокациях должны протекать со значительно большими скоростями, чем в идеальной части кристалла, поскольку энергия образования дислокаций в ионных решетках может достигнуть 83,6 кДж/моль [28]. Можно аналогично оценить ослабление энергии связи в ионном кристалле. По оценкам [c.15]

Эти величины, соизмеримые с энергиями образования дислокаций, вполне объясняют локализацию реакций разложения на поверхности кристаллов и протекание реакции разложения с большими скоростями, чем если бы разложению подвергалась начальная идеальная структура кристалла. [c.16]

При низких температурах эффективны механизмы, основанные на скольжении дислокаций, которое может облегчаться в присутствии поверхностно-активных сред. Теория адсорбционного пластифицирования [291] объяснила эти эффекты на основе представлений о снижении потенциального барьера, препятствующего выходу дислокаций на поверхность с образованием на поверхности ступеньки, и об облегчении начала работы приповерхностных источников дислокаций благодаря снижению свободной поверхностной энергии. Это дает возможность ориентировочно оценить те условия, в которых аналогичные эффекты могут иметь место в природе. Это та область режимов деформации, когда в наборе активационных энергий- преобладают компоненты, связанные с поверхностным барьером [255],. равным Ь а, где Ь — вектор Бюргерса и о — свободная поверхностная энергия минерала. В этом случае отношение скоростей деформации в присутствии активной среды и на воздухе равно [c.88]

Причины образования дислокаций. Энергия активации процесса образования дислокаций составляет значительную величину порядка 10... 100 эВ. Это означает, что не только при нормальной, но даже при температуре, близкой к температуре плавления, их равновесная концентрация должна быть очень мала. Однако, как уже указывалось, в реальных кристаллах плотность дислокаций достигает очень больших значений и редко бывает меньше 10 ... 10 см . Отсюда следует, что дислокации относятся к неравновесным дефектам, при образовании которых энергия кристаллической решетки возрастает гораздо больше по сравнению с возрастанием за их счет энтропии и, следовательно, энергия Гиббса кристаллического тела увеличивается. [c.92]

О. М. Полторак в работе [50] предложил учитывать понижение дифференциальной теплоты сублимации % как общую причину роста дефектности поверхности реальных кристаллов. Уменьшение величины X для реальных кристаллов связано с их макроскопической неравновесностью — малым размером частиц или мозаичным строением граней, наличием дислокаций, неравновесностью форм огранения кристаллов и т. п. Для некоторой части вещества теплота сублимации окажется сильно пониженной и в такой же мере снизится энергия образования дефектов поверхности. Некоторые области реальных кристаллов служат как бы источниками дефектов. Благодаря этому равновесие [c.115]

Для возникновения гидридных пленок на поверхности характерно все, присущее процессам образования центров кристаллизации (зародышей). Во-первых, процесс определяется энергией активации образования зародышей, которая уменьшается с повышением давления водорода. Во-вторых, процесс определяется энергией активации таких элементарных атомных процессов, как поверхностная диффузия водорода или ионов металла. Если энергия активации процесса образования зародышей невелика, а давление водорода высоко, то почти повсеместно начинается образование зародышей. Если же энергия образования зародышей велика, то они будут появляться в наиболее благоприятных местах — нарушениях на гранях кристалла, в несовершенствах решетки, дислокациях и т. п. Неясно, каким образом слой адсорбированного водорода начинает превращаться в тонкий слой гидрида. [c.210]

Кристаллитная модель вытекает из представлений о микродефектах, например дислокациях, в твердом теле. Можно считать, что вблизи точки плавления дефекты Шоттки диффундируют к дислокационным линиям в кристалле [26]. Здесь они соединяются, что приводит к снижению энергии образования добавочного дефекта. При температуре плавления скорость образования дефекта значительно возрастает, при этом образуются [c.13]

Дефекты или включения примесей могут облегчать образование зародышей, так как Ag может при этом уменьшаться. Это зависит от соотношения энергий на границе раздела между фазой продукта и, с одной стороны, дефектом, а, с другой стороны, — исходной фазой. При наличии примесей эффективность образования зародышей зависит от вида примеси, ее кристаллической структуры и т. д. Образование зародышей такого рода называется гетерогенным оно часто происходит не только в местах включения примесей, но и на границах зерен и дислокациях. Преимущественное образование зародышей на границах зерен и дислокациях объясняется следующими причинами. Как уже говорилось, образование зародышей (3 в чистом кристалле а происходит тогда, когда изменение свободной энергии за счет образования более стабильной фазы (3 превышает величину свободной энергии, необходимой для образования поверхности зародышей этой [c.149]

Особенно интересен самый начальный этап возникновения зародыша микротрещины, который может быть представлен как слияние нескольких дислокаций и образование полого ядра [112, 113, 119]. Действительно, уже при небольших скалывающих напряжениях 10 дн см дислокационные скопления в отдельных плоскостях скольжения могут достигать величины п 10 —10 . При этом оказывается, что расстояние между двумя ведущими дислокациями Xi 0,42 Ф)1пх сокращается до нескольких Ъ, становясь меньше ширины дислокации [214], а силам отталкивания между ними, определяемым соотношением F = Gb l2n i — [i)xi [201], должны отвечать напряжения, достигающие так называемого теоретического значения критического скалывающего напряжения в идеальном кристалле, оцениваемого как G 2n — G/30 [215, 216]. Это означает, что в непосредственной близости от головы скопления выводы линейной теории утрачивают справедливость. Головным дислокациям оказывается выгодным слиться и образовать полое дислокационное ядро, как это изображено схематически на рис. 91. Преодолеваемый потенциальный барьер тем более мал, что начальное полое ядро еще не имеет развитой поверхности, т. е. значение избыточной свободной энергии а еще [c.176]

Если пренебречь многоточечными взаимодействиями, то можно считать, что энергия ассоциации равна выигрышу энергии при переходе электрона от донора к дислокации (приблизительно равная ширине запрещенной зоны плюс электростатическая энергия образования пары [c.233]

К л и и е й н ы м дефектам относят различного вида дислокации, т. е. линейные нарушения кристаллической решетки, от которых зависят большинство механических характеристик кристаллических веществ. Основными видами дислокаций являются краевые (линейные) и винтовые. Дислокационные нарушения кристаллической решетки принципиально отличаются от нарушений, вводимых вакансиями. Если вблизи линии, состоящей из вакансий, находится правильно построенный кристалл, то вокруг дислокаций возникает искажение кристалла, распространяющееся на его значительный объем. Энергию этого искажения можно определить как работу упругой деформации, необходимой для образования дислокации. Энергия краевой дислокации [c.152]

Явления, аналогичные поверхностным эффектам, могут возникать внутри кристаллов вблизи дислокаций [38]. При этом, если энергия образования заряженных дефектов на дислокациях меньше для одного типа дефектов, чем для другого, то дефектов первого типа будет образовываться больше. В результате дислокация оказывается заряженной, а ее заряд компенсируется цилиндрическим пространственным зарядом в кристалле вокруг дислокации. Эта картина применима как к электронным, так и к атомным дефектам. В качестве примера можно привести германий, в котором энергия образования свободных дырок вблизи дислокаций меньше, чем энергия образования свободных электронов, или, применяя терминологию физики полупроводников, дислокация в этом случае обладает свойствами акцептора [391 . В результате дислокация заряжается отрицательно при этом ее линейный отрицательный заряд компенсируется цилиндрическим каналом свободных дырок (или в случае п-типа — ионизированными донорами), расположенным вокруг нее [40]. При наличии ориентированных под небольшими углами границ зерен, где на одной плоскости может присутствовать больше дислокаций, каналы могут соединяться, образуя непрерывный слой р-типа. В таком случае, если объем кристалла обладает высоким сопротивлением или свойствами п-полупроводника, проводимость этой пленки можно исследовать отдельно [41]. [c.563]

S)to дало возможность определить свободные энергии образования положительных и отрицательных ионных вакансий вблизи дислокаций [45]. Движение дислокаций в электрическом поле было показано как в опытах с переменным током (микроволновый диапазон волн [46]), так и в опытах с постоянным током (миграция ямок травления [47]). Заряженный линейный дефект (дислокация) с цилиндрическим пространственным зарядом по своей природе аналогичен как поверхностному заряду на границе раздела с примыкающим к ней приповерхностным зарядом, так и заряженному точечному дефекту с его сферической ионной атмосферой Дебая — Хюккеля. [c.563]

В последние годы большое внимание было обращено на чрезвычайно важный тип дефектов — дислокации, наличие которых определяет значительную часть механических и физических свойств кристаллов. Энергия образования дислокаций, которая в ионных решетках может достигать 20 ккал/моль, заставляла предполагать, что химические реакции на дислокациях тоже должны протекать со скоростями, значительно большими, чем в идеальной части кристалла. [c.228]

Рассмотрение энергии образования двумерных дефектов дает (как и в случае энергии дислокаций) значения, многократно превышающие тепловую энергию, что также говорит о невозможности их термодинамически равновесного образования. Таким образом термодинамически обусловлено наличие в равновесном кристалле лишь точечных дефектов (включая и их ассоциаты), хотя их концентрация в реальном кристалле, естественно, может и отличаться от равновесной в обе стороны. Дефекты большей размерности неравновесны и являются следствием условий получения и дальнейшей обработки материала. [c.150]

Следовательно, энергия образования одного скопления из п дислокаций в п раз больше, чем энергия образования равномерно распределенных дислокаций. Химический потенциал дислока- [c.48]

Но для большинства минералов поверхностный барьер мало отличается от энергии активации движения дислокации сквозь решетку, равной энергии активации образования перегиба на линии дислокации, если сопротивление оказывает главным образом сила Пайерлса. Например, для оливина обе величины близки к 200 кДж/моль. Поэтому не удивительно, что для ионных и ионно-ковалентных кристаллов, в которых сила Пайерлса велика, адсорбционное пластифицирование проявляется лишь при действии сред, обладающих достаточно большой поверхностной активностью. Так, вода, понижающая поверхностную энергию фторида лития на 30%, а хлорида натрия — на 75%, практически не влияет на движение дислокаций в первом случае, но вызывает ярко выраженный эффект (увеличе- [c.88]

Локальные давления в кристаллической решетке возникают также в окрестности точечных дефектов — вакансий и примесных атомов. Связанная с вакансиями избыточная энергия решетки не превосходит 1 эВ на одну вакансию, т. е. почти на порядок меньше, чем для единичной Дислокации. Хотя суммарная энергия кристалла, связанная с вакансиями, может достигать существенной величины, эффект их влияния на растворение ничтожно мал. Действительно, подстановка этого значения энергии моновакансии в уравнения, аналогичные (111), дает совершенно ничтожную величину эффекта, а образование дивакансий, тривакан-сий и т. д. ничего не меняет, поскольку в отличие от плоских скоплений дислокаций энергия каждой кооперированной вакансии меньше, чем изолированной. Во всяком случае эффект не может превосходить величины, соответствующей равномерно распределенным в объеме дислокациям. [c.114]

Теоретические значения прочности металла, рассчитываемые по величине энергии, затрачиваемой на образование двух новых поверхностей при преодолении межатомных связей в идеальной решетке монокристалла, во много раз выше значений технической прочности, получаемых при испытании реальных образцов того же металла. Эго расхождение объясняется наличием различного рода дефектов — несовершенств строения кристаллического тела. К таким дефектам — несовершенствам тонкой структуры — относят, прежде всего, дислокации. [c.71]

Соответствующий энергетический барьер определяется взаимодействием дислокаций, т. е. Ду (рис. 11, а). Для сетки пересекающихся дислокаций барьер Пайерлса определяется энергией образования дислокационных стяжек при перемещении границы происходит периодическая диссоциация устойчивой дислокационной сетки на составляющие ее скользящие дислокации подобно перерасщеплению винтовых дислокаций в ОЦК-кристаллах. Энергия Пайерлса — в этом случае равна на одну [c.359]

Борн [4] предполагал, что плавление начинается, когда модуль сдвига кристалла становится равным нулю. Кульман Вильсдорф 18] предложил модель, где свободная энергия образования дислокаций в твердых телах положительна, а в жидкостях — отрицательна. Температурой плавления считается та температура, при которой свободная энергия равна нулю. [c.45]

Каждый раз, когда в ионном кристалле происходит локальное выделение энергии, следует иметь в виду возможность образования вакансий и ионов в междуузлиях у дислокаций. г1апример, образование электронов и других частиц при радиоактивном распаде внутри кристалла осложняет процесс и потому затрудняет интерпретацию результатов исс.иедований, проводимых по методу Хана с использованием эманации, и даже исследований самодиффузии, хотя соответствующие эффекты, вероятно, пренебрежимо малы, кроме случая низких температур. Помимо того, что дислокации вызывают появление дефектов решетки, они, играя роль неглубоких ловушек для электронов и положительных дырок, имеют также важное значение при изучении электронных процессов в ионных кристаллах. Это показано в последней работе Митчелла по изучению фотографических процессов, рассмотренных в гл. 13. [c.64]

Лю пытно отметить, что ниже температуры 200 К двойник теряет свои упругие свойства, и для его шкращения необходимо приложение нагрузок обратного знака. График зависимости <5о (Г) (рис. 4.7) обладает характерной особенностью в области температур 200 220 К наблюдается начало резкой температурной зависимости. Подобный ход функции 5о(Т ) ожидается в теории пайерлсовского механизма [210] температура излома Ги должна соответствовать той температуре, при которой энергия Образования перегиба в поле внешних напряжений сравнивается с энергией двойного перегиба в случае отсутствия внешних напряжений 211 к), те. при Г - Г энергия образования перегиба может быть получена без механической активации только за счет тепловых флуктуаций. Поэтому можно считать, что 211 у. кТ , т.е. /к = 0,019 эВ. Этот результат хорошо коррелирует с энергией активации даижения двойникующих дислокаций в железе (0,03 — 0,04 эВ), определенной в [214], и в висмуте (0,02 эВ) [215]. . [c.99]

Поскольку энергия ступеньки на доелокации по порядку величины (juft ) должна быть не меньше 0,1 эВ, то для пересечения дислокаций леса при комнатных температурах одних только тепловых флуктуаций будет явно недостаточно и требуется еще механическая активация. При высоких скоростях дислокации ее кинетическая энергия может сравниться с высотой барьера. Расчет показывает, что. в кальците при у = = 20 см/с даже без учета тепловых флуктуаций кинетическая энергия дислокации сравнивается с энергией образования ступеньки на дислока-оди (учет тепловых флуктуаций несколько понизит значение Ук) [c.131]

При взаимодействии частичных дислокаций образуются дефекты упаковки и двойники, представляющие собой двумерные поверхностные дефекты. Энергия образования поверхностей, связанных с дефектами упаковки и двойниками, на 1...3 порядка ниже энергий образования поверхности, разделяющей отдельные зерна кристаллов. В напряженном состоянии кристалла при реализации пластических деформаций могут образоваться дефекты с более высокими энергиями, в частности точечные, на образование которых необходимо затратить энергию 10 ..10 Дж. Изменение структуры вещества при измельчении бывает, как правило, достаточно сложным и обычно анализируется различными методами рентгеноструктурньш анализом, электронной микроскопией и ядерной гамма-резонансной спектроскопией (ЯГРС) [34] и др. [c.141]

Сингулярные поверхности. В отсутствие дислокации ШИ случайных ступеней для роста (перпендикулярно к себе) ингулярной поверхности необходимо образование зародыша 3 форме диска моноатомной высоты для каждого растущего моно- лоя. Выступы на ступенях, которые связывают подобный диск, атем функционируют в качестве мест внедрения атомов пара. 1 кристалл таким же образом, как это происходит для смежных юверхностей. Однако скорость образования стабильных зароды-цей в форме диска пропорциональна ехр(—АС 1кТ), где АС — (ритическая свободная энергия образования центров кристалли- ации. В случае модели разрушенной ближайшей соседней связи шеем [c.179]

Еще сильнее должны быть различия в токах обмена и даже в равновесных потенциалах граней разных параметров, если для данной температуры грани не находятся между собой в термодинамическом равновесии. В этом случае энергия грани, а вместе с тем и энергия образования двухмерных зародышей на ней и роста ступеней и выходов дислокаций должны спльно зависеть от параметров решетки грани [c.91]

В настоящее время еще неясно, однако, могут ли быть представления, развитые нами применительно к пластифицирующему действию органических поверхностно-активных сред, непосредственно, без учета каких-либо дополнительных факторов, приложимы к случаю пластифицирующего действия металлических расплавов. Именно, определенные трудности возникают при сопоставлении активационных энергий процесса для органических сред температурно-скоростная зависимость эффекта привела нас к значению и 0,5 эв, что хорошо согласуется с энергией образования новой моно-атомной ячейки свободной поверхности при перемещении конца дислокационной линии вдоль поверхности кристалла. В случае же цинк — олово пластифицирующее действие наблюдается при значительно более высоких температурах и малых скоростях растяжения. Это означает, по-видимому, что в данном случае активационная энергия процесса значительно выше, и что в качестве элементарного акта надо рассматривать уже не образование моноатомной ячейки на поверхности, а нечто более сложное, например, неконсервативное перемещение при обходе концом дислокации того или иного дефекта на контуре плоскости скольжения (в сочетании с образованием одной или сразу нескольких новых моноатом-ных ячеек поверхности) эффект может быть связан и с облегчением действия подповерхностных источников дислокаций [ИЗ, И7, 138]. [c.224]

Если энергия образования заряженных точечных дефектов на дислокациях зависит от знака дефекта, то дефектов одного знака будет образовываться больше, чем другого. В результате дислокация оказывается заряженной, а ее заряд компенсируется цилиндрическим облаком Дебая — Хюккеля из дефектов другого знака. Если, например, в кристалле AgBr межузловой ион Ago на дислокации образуется легче, чем вакансия Ago, то положительный заряд дислокации компенсируется избыточными вакансиями Ag , иначе, говоря, избытком ионов Вг вблизи дислокации. [c.93]

Зародыши бемита располагаются вблизи дислокаций нли пор амор фной берьерной пленки. Рост пленки происходит за счет диффузии ионов сквозь окисел. Байерит образуется при отложении на катодных участках пленки бемита продуктоз взаимодействия воды и иона алюминия, продиффундировавшего сквозь окисную пленку. При температуре выше 70—80 °С энергия границ и энергия образования плоскостей в кристаллической решетке такова, что образуется преимущественно бемит. Хотя бемит и байерит могут при соответствующих условиях переходить друг в друга, в пленке на поверхности алюминия таких трансформаций не наблюдается 34]. В продуктах коррозии алюминия находят также р-тригидрат при 70—100 °С может образоваться а-моногидрат 38]. [c.23]

Рядом исследователей подчеркивается, что весьма важную роль в процессах ВО конструкционных материалов могут играть и механизмы охрупчивания, предлагаемые теориями адсорбционного понижения прочности (эффект Ребиндера) и теория взаимодействия водорода с дислокациями. Основой гипотезы адсорбционного охрупчивания стали является то, что водород - поверхностноактивное вещество, адсорбируясь на внутренней поверхности микротрещины, приводит к снижению свободной энергии поверхности, тем самым облегчая раскрытие трещины и последующее разрушение. Гипотеза, основанная на возможности взаимодействия водорода с дислокациями с образованием облаков Котрелла, предполагает, что при воздействии внешней нагрузки водород диффундирует совместно с дислокациями к активным плоскостям скольжения, где скопление дефектов и атомов водорода создает трудности в осуществлении пластической деформации и приводит к локальному охрупчиванию. Кроме того, предполагают и другой возможный вариант охрупчивания, когда водородная атмосфера Котрелла, связанная с движущейся дислокацией, увлекается последней и оседает на дефектах решетки по мере того, как сквозь них проходит дислокация. Локальное высокое пресыщение водорода, возникающее на этих дефектах, существенно облегчает раскрытие микротрещин. Общим недостатком этих теорий является невозможность объяснения с их помощью многих явлений, порождаемых ВО, и поэтому они носят дополняющий характер для первых двух гипотез. [c.39]

Наклепом называется упрочнение мет алла под дейсгвием пласги-ческой деформации. Пластическое деформирование ведет к образованию сдвигов в криет аллах, к дроблению блоков мозаичной структуры, а при значительных степенях деформаций наблюдается заметное изменение формы зерен, их расположения в ггространстве, причем между зернами возникают трещины, что приводит к повышению плотности дислокаций. Одновременно этот процесс порождает искажения кристаллической решетки, что создает многочисленные препятствия перемещению дислокаций. Все это вместе приводит к увеличению запаса свободной энергии. [c.87]

Для силикатных пород нет точной информации о снижении о под действием воды. Обзор сведений по кварцу содержится в книге [257] и в работе [258], из которых видно, насколько велик разброс литературных данных. Однако можно считать, что свободная энергия негидратированной силоксановой поверхности кварца, обнажающейся при образовании ступеньки, вряд ли успевает сильно снизиться при физической адсорбции воды или при смачивании, а термоактивируемая химическая модификация поверхности с образованием силанольных связей требует большего времени. В то же время известно, что движение дислокаций в кварце может значительно облегчаться под действием воды. По схеме, разработанной Григгсом [259], в результате диффузии воды вдоль дислокаций образуются силанольные мостики =51—ОН. .. НО—51 =, которые легко рвутся в самом слабом месте (по водородной связи). Сопротивление движению дислокаций уменьшается, и поэтому диффузия ОН-групп (или, возможно, ионов Н+ или НзО+) контролирует подвижность дислокаций и, следовательно, скорость деформации. По сути, здесь мы имеем дело с явлением, близким к адсорбционному пластифицированию, только облегчение разрыва межатомных связей происходит в другом координационном окружении — не на поверхности, а в объеме. По-видимому, такой механизм возможен и в случае многих других силикатных минералов (оливин [260] и др.). [c.89]

Намного легче осуществляются гетерогенное зародышеобразование и кристаллизация. Скорость образования центров кристаллизации новой фазы ускоряется в присутствии поверхностей раздела, существовавших до образования центров новой фазы. Такими поверхностями раздела могут служить стенки сосуда, инородные включения в виде зерен и коллоидных частиц, дислокации и т. д. Наличие поверхностей раздела повышает поверхностную энергию системы, а это способствует снижению АРкр, т. е. величины энергии гомогенного зародышеобразования за счет уменьшения энергии поверхности раздела Д/ . [c.221]

Топохимические реакции начинаются обычно не на всей поверхности исходного твердого вещества, а на отдельных ее участках — зародышах ядер кристаллизации новой фазы (продукта), которые образуются на поверхности кристалла. Ядра кристаллизации появляются раньше всего в областях дефектов кристаллической решетки. В простейшем случае это могут быть, например, выходы дислокаций на поверхности, вакансии, расположение атомов (ионов) в междоузлиях и т. п. Таким точкам, или элементам кристаллической решетки, свойственна повышенная энергия Гиббса и, следовательно, более высокая реакционная способность. Зародыши ядер называют также потенциальными центрами образования ядер. На рис. 167 представлена схема распространения реакции в кристалле. Около поверхностных зародышей начинается рост сферических ядер. начальные центрызарождреакции. [c.409]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология