Процесс осаждения продуктов первичной кристаллизации

Наиболее общая причина соосаждения — адсорбция посторонних примесей на поверхности растущих кристаллов, т. е. внутренняя адсорбция. Вначале, в первый момент осаждения, образуется некоторое количество первичных центров кристаллизации. При дальнейшем прибавлении раствора реагента продукты реакции продолжают осаждаться на поверхности ранее образовавшихся кристаллов. Таким образом, в процессе осаждения поверхность осадка непрерывно обновляется, покрываясь новыми слоями вещества. Каждый вновь образующийся слой поверхности адсорбирует примеси из раствора. При образовании следующего слоя кристалла часть адсорбированных примесей может быть вытеснена ионами, входящими в основную решетку кристаллов. Однако в зависимости от порядка, скорости сливания растворов и других условий часть адсорбированных примесей остается внутри кристалла. Далее адсорбированные примеси покрываются новыми слоями осаждающегося вещества и таким образом остаются внутри кристалла и не могут быть удалены при промывании осадка. [c.196]

В анодных процессах, идущих по жидкофазному механизму, стадии кристаллизации соединений предшествует стадия диффузии частиц — продуктов первичной электродной реакции — от токоотвода (механизм диффузия —осаждение ). [c.54]

Процесс осаждения продуктов первичной кристаллизации изучал Эрнст по включениям оливина в базальтах и Браунс< в синтетических базальтовых расплавах. С другой стороны, Боуэи указал на вы- [c.121]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология