Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Адсорбция посторонних ионов

    Скорость протекания всего процесса в целом контролируется стадией, сопровождающейся наибольшими торможениями. Причинами торможения могут быть замедленная доставка разряжающихся ионов к катоду — концентрационное перенапряжение (1-я стадия) замедленный разряд ионов, который обусловлен медленным переносом заряда через двойной электрический слой и связанным с этим изменением физико-химического и энергетического состояния ионов (дегидратация, десольватация, распад комплексных ионов и др.) — электрохимическое перенапряжение (2-я стадия) трудности, связанные с построением кристаллической решетки замедленная диффузия ад-атомов (ад-ионов) по поверхности катода к местам роста кристаллов, задержка при вхождении атомов в кристаллическую решетку или при образовании двух- или трехмерных кристаллических зародышей, т. е. то, что характеризует так называемое кристаллизационное перенапряжение (3-я стадия). Величина последнего сравнительно невелика и зависит от природы металла и от состояния поверхности катода, которое в ходе электролиза меняется в результате адсорбции посторонних ионов, молекул и органических веществ. [c.335]


    Чрезвычайно важным в осадительной гравиметрии является получение чистой осаждаемой формы, не содержащей примесей. Главной причиной загрязнения ионно-кристаллических осадков является адсорбция посторонних ионов, обусловленная наличием электростатического поля около ионов, находящихся на поверхности осадка. Количество адсорбированных примесей сильно зависит от размера частиц осадка -оно минимально для аморфных осадков, меньше для мелкокристаллических и максимально для крупнокристаллических осадков. Поэтому с целью уменьшения адсорбции посторонних ионов процесс осаждения необходимо проводить таким образом, чтобы получились крупнокристаллические осадки. Для многих осадков это возможно в тех случаях, когда осаждение проводят при малом пересыщении. Количество адсорбированных осадком примесей уменьшается при понижении их концентрации в маточном растворе путем многократного осаждения. [c.277]

    Авторы [497] дали обзор методик титрования иодидом и предложили усовершенствованный способ определения конечной точки титрования. Они установили, что потенциометрическая индикация конечной точки в присутствии сульфата железа (И) невозможна, и указали, что при повышенной температуре, низкой кислотности и большом избытке железа (II) палладий(II) может восстановиться до металла. При соблюдении всех предписанных условий этот метод определения конечной точки титро< вания по появлению мути не отличается такими недостатками, как растворимость осадка или адсорбция посторонних ионов. [c.102]

    Для выяснения причин увлечения вольфрама осадком гидроокиси железа были поставлены опыты по изучению влияния различных факторов на этот процесс. Как известно, процесс адсорбции посторонних ионов тесно связан с зарядом поверхности [c.60]

    В узлах кристаллической решетки внутрикомплексных соединений находятся не ионы, а молекулы, поэтому при осаждении внутр1П<омплексных соединений из раствора адсорбция посторонних ионов протекает в минимальной степени. Это позволяет использовать их при аналитических определениях. [c.92]

    Соосаждение. Осадки редко бывают совершенно чистыми. Они содержат некоторое количество маточного раствора и часто вещества, легко растворимые при данных условиях. Так, когда осаждают сульфат бария, прибавляя к раствору сульфата калия хлорид бария, осадок содержит немного калия, который с трудом удаляется при промывке, хотя сульфат калия легко растворим в воде. В таких случаях говорят, что произошло соосаждение калия с сульфатом бария, Соосаждение иногда обусловливается адсорбционными свойствами гговерхностп осадка. Адсорбцию посторонних ИОНОВ поверхностью осадка называют иногда окклюзией в отличие от инклюзии — захватывания кристаллами но вре.мя их образования некоторого количества маточного раствора. Иногда ггроисходит образование твердого раствора (или с м е ш а н н ы х кристаллов) двух веществ, имеющих одинаковую кристаллическую структуру. Так, РЬЗО иногда кристаллизуется с ВаЗО , образуя, повидимому, гомогенную массу или одну фазу. [c.82]


    При выкристаллизоВывании на поверхности твердого тела кристаллы брусита, подобно другим кристаллам, должны располагаться плоскостями (0001), параллельно поверхности. На это указывают многочисленные опыты. Очевидно, что после образования зародыша, такого кристалла дальнейший его рост будет зависеть от окружающих условий. В нормальных условиях кристалл будет расти преимущественно в двух измерениях, что и дает кристаллы чешуйчатой формы. Но может получиться так, что вследствие адсорбции посторонних веществ боковые грани призмы потеряют свою активность, и тогда будет продолжаться рост в третьем измерении, но уже с измененной ориентировкой, так как скорость роста боковых граней призмы больше, чем граней основания. После образования зародыша волокна адсорбция посторонних ионов может оказаться более сильной на его боковой поверхности, чем на острие, и поэтому рост его должен продолжаться в одном измерении, что и наблюдается у естественного немалита. [c.168]

    Все предыдущие уравнения, учитывающие влияние tJ Пoтeн-циала на скорость электродных реакций, были выведены для случаев, когда 1-потенциал возникает в результате диффузности двойного электрического слоя, либо в результате адсорбции посторонних ионов, не участвующих в электродной реакции. [c.94]

    Синтезированные латексы обладали отрицательным электрокинетиче-ским потенциалом, практически равным для всех изучаемых систем независимо от природы полимера. Заметим, что адсорбционный слой неионного эмульгатора в латексах всегда сопровождается двойным электрическим слоем [2—5], происхождение которого может быть связано либо с адсорбцией посторонних ионов (особенно анионов) [2, 3], либо с амфотерным характером неионогенных ПАВ. В частности, в слабощелочной среде (до pH 9—10) возможно образование связей между молекулами неионогенного ПАВ и гидроксильными группами, что должно придать отрицательный заряд адсорбционному слою ПАВ [4]. В нашем случае могут быть справедливы обе причины заряда адсорбционного слоя 1еионогенного ПАВ, поскольку латексы получены в полупромышленных условиях и величина их pH находилась в пределах 6,7—8. [c.67]

    Адсорбция из раствора посторонних веществ является основной причиной загрязнения аналитических осадков путем так называемого с о о с а-ж д е н и я. Различают два вида адсорбции посторонних ионов на осадках внешнюю и внутреннюю. Внешняя адсорбция —адсорбция посторонних ионов на поЕерхности кристалликов осадка после его сформирования. Внутренняя адсорбция (окклюзия) посторонних ионов происходит в процессе самого формирования кристалла. Посторонние ионы, адсорбированные путем внутренней адсорбции, закрываются затем последующими слоями основного вещества растущего кристалла. Например, при осаждении сульфата бария путем постепенного прибавления серной кислоты в присутствии перманганата калия к раствору соли бария в процессе формирования кристаллов BaS04 происходит адсорбция иoнaMпO . Осадок приобретает розовый цвет, и даже тщательным промыванием осадка нельзя удалить ионы перманганата, включенные в структуру кристалла. [c.204]


Смотреть страницы где упоминается термин Адсорбция посторонних ионов: [c.104]    [c.268]    [c.488]    [c.45]    [c.146]    [c.146]    [c.268]    [c.104]   
Радиохимия и химия ядерных процессов (1960) -- [ c.109 , c.110 , c.116 , c.117 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Адсорбция ионитах,

Адсорбция ионная

Адсорбция ионов



© 2025 chem21.info Реклама на сайте