Скорость выхода упругого двойника из кристалла

Совершенно очевидно, что шютность дислокаций в движущемся скоплении главным образом определяется движущей силой процесса (в случае роста двойника под нагрузкой - это внешнее упругое поле, в случае выхода двойника из кристалла — это сила поверхностного натяжения), а не силой торможения. Чтобы иметь возможность получать количественные закономерности, следует рассматривать тот диапазон скоростей движения двой-ника в котором либо > р (в случае двойника, растущего под воздействием внешнего поля), либо р > р (в случае двойника, выходящего из кристалла под действием сил поверхностного натяжения), Б этом случае система основных уравнений становится линейной и появляется возможность получения информации о движущемся скоплении. Подставляя (4.8) (без учета р ) в (3.57), можно определить у (х, Г), а затем из (3.54) и функцию X ( ). [c.109]

Обработка экспериментальных данных для участка небольших длин двойников (Ь < 0,45 см) показывает (рис. 4.23), что дислокационное описание динамики выхода упругого двойника из кристалла в диапазоне больших скоростей движения хорошо огшсывает этот процесс. Следует иметь в виду, что соотношение (3.73) получено для двойника в неограниченном кристалле эти результаты без изменения могут быть также перенесены на двойник вблизй поверхности, образованный винтовыми дислокациями. Поскольку в настоящих экспериментах исследовался двойник, состоящий из краевых дислокаций, то надежнее оценивать В по порядку величины -в 10" Пз (подробнее измерение параметра теории 5 и его физическая природа будут рассмотрены ниже). [c.124]

Что касается сопоставления данамической теории с экспериментом, то ранее его можно бьшо в основном провести лишь с результатами о "пробивании двойником кристалла в однородном упругом поле [57, 199—202]. Этот процесс протекает с большой скоростью и регистрируется высокоскоростной киносъемкой. В рамках динамической теории удается описать все основные стадии двойникования, в том числе и в случае приложения сосредоточенных нагрузок как для больших, так и для малых скоростей движения двойника, образованного плоским скоплением прямолинейных дислокаций. Определенную информацию об этом можно извлечь из экспериментов [198, 203, 70] на кальците, В [198, 203] изучалась динамика роста двойника под сосредоточенной нагрузкой в расширенном интервале температур. В [70] исследовалась динамика выхода двойника из кристалла. Эти эксперименты проводились над линзовидными двойниками. Большой вклад сил поверхностного натяжения приводил к настолько большим скоростям движения двойника, что он не успевал полностью подстраиваться к изменяющейся нагрузке, так что, по существу, была получена информация лишь о временном характере изменения нагрузки [196]. [c.92]

Если после выхода кончика двойника на поверхность (по существу, после превращения упругого двойника в остаточную прослойку) начать раздвойникование (приложить такую нагрузку, что прослойка в месте выхода на поверхность начнет утоньшаться), то, начиная с некоторой критической толщины, произойдет превращение остаточного двойника в упругий отрыв кончика двойника от поверхности, т.е. вход положительных дислокаций в кристалл. Сравнение сигнала с рис. 8.3в демонстрирует, что изменение направления скорости при сохранении знака вектора Бюргерса меняет полярность сигнала АЭ. Таким образом, знак сигнала АЭ действительно определяется знаком произведения ЬУ, как это и предсказывают соотношения (8.1)-(8.3). [c.215]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология