Дислокации положительная

Можно показать, что сила взаимодействия обратно пропорциональна расстоянию между дислокациями. Очевидно, что, как ионы в твердом теле образуют решетку, отвечающую наибольшему превышению энергии притяжения над энергией отталкивания, так и дислокации в твердом теле могут образовать решетку, в которой каждая положительная дислокация окружена отрицательными. [c.279]

Поверхность, покрытую раствором травителя, можно рассматривать и как многоэлектродный гальванический элемент, состоящий из большого числа соединенных между собой микроскопических электродов. Участки поверхности с наибольшим числом нарушенных связей (границы зерен-, блоков посторонних фаз, выходы дислокаций и т. п.) имеют низкую энергию активации, играют роль анодов микроэлементов и растворяются в травителе. Участки с менее на рушенной структурой, имеющие более положительный электродный потенциал (более высокую АЕд), являются катодами. Катоды не разрушаются, они лишь передают электроны анода молекулам или ионам травителя. [c.102]

Из рис. XIV.6, виг следует, что тот же сдвиг в том же направлении может возникнуть, если дислокация движется в противоположном направлении. Существенно при этом, что теперь растянутой окажется область над дислокацией. Эти типы дислокаций отличают ио знаку первую считают положительной, а вторую — отрицательной. Очевидно, энергия, необходимая для создания двух дислокаций, не будет аддитивно складываться из энергий, требующихся для [c.359]

Рассеяние носителей заряда происходит и на других нарушениях решетки, например на дислокациях. Дислокацию в полупроводнике электронного типа можно уподобить линейному отрицательному заряду в виде бесконечно длинного цилиндра радиуса Я, вокруг которого имеется положительный пространственный заряд. Расчет показывает [Ю], что при рассеянии носителей заряда на дислокациях время релаксации не зависит от температуры кристалла, а определяется плотностью дислокаций Мо и скоростью ь рассеиваемого заряда, согласно выражению [c.251]

Дислокации могут быть положительными и отрицательными, а самое главное, они могут перемещаться в теле кристалла, накапливаться в месте наибольших напряжений и т. д. Дислокации могут выходить на поверхность кристалла и создавать нарушения поверхностного слоя. [c.115]

Поток дислокаций, вызванный хемомеханическим эффектом, усиливался действием механохимического эффекта по автокаталитическому механизму. При этом наблюдалось изменение электродного потенциала в сторону более положительных значений [c.248]

Зарождение трещин в металле при наложении растягивающих напряжений обычно происходит в средах, которые вызывают локализованную коррозию. Образование первичных трещин может быть связано с возникновением туннелей (порядка 0,05 мкм) или с начальными стадиями зарождения питтингов. Всевозможные нарушения кристаллического строения (границы зерен, включения, дислокации), риска, субмикроскопические трещины в металле или на защитной пленке могут стать местами зарождения трещин и значительно повышать склонность к КР. Интенсивная коррозия металла на отдельных ограниченных участках поверхности напряженного металла, испытывающего растягивающие напряжения, может привести к образованию очень узких углублений, величина которых может быть соизмерима с межатомными расстояниями. Отмечается, что существует критический потенциал КР, отрицательнее которого КР не будет происходить. Например, критический потенциал КР стали типа 18-8 в кипящем хлориде магния составляет — 0,14 В. При более положительных потенциалах (анодная поляризация) происходит [c.67]

Полученные результаты моделирования объясняют часто экспериментально наблюдаемые смещения положений центров тяжести рентгеновских пиков в наноструктурных ИПД материалах [79-82]. Однако в реальных ситуациях упругие смещения атомов в зернах под действием дальнодействующих полей внесенных зернограничных дислокаций могут иметь разный знак, как положительный, так и отрицательный. В этом случае смещение положения [c.117]

Обрывы неполных слоев углерода, видимые иа поверхности трубок и кончиках конусов, говорят о том, что расширение и утолщение трубок происходит за счет роста островков с основными плоскостями, характерными для фафита, и Послойного роста на поверхности фубок. Зародышеобразование положительных., (пятиугольников) и отрицательных (семиугольников) дислокаций на открытых концах трубки приводит в результате к изменению направления роста и образованию различных морфологий. Для этих сфуктур характерен полный рост при обороте вокруг фубки, включающий образование пар пятиугольник - семиугольник. [c.92]

Таким образом, немногочисленные данные показывают, что ингибиторы могут эффективно подавлять коррозию сталей под напряжением. Однако пока не установлена зависимость между способностью ингибиторов тормозить коррозию под напряжением и их строением, что не позволяет научно обоснованно подходить к их выбору. На основе теоретических соображений можно пред-. положить [103[, что при воздействии растягивающих напряжений наиболее эффективными ингибиторами будут являться те, которые хорошо адсорбируются на отрицательно заряженной поверхности растянутого металла. Это прежде всего ингибиторы катионного типа, а также ингибиторы, образующие На поверхности плотные пленки. В случае пластической дефор.мации, когда в кристаллической решетке металла образуются линейные дефекты — дислокации, сжатая часть которых заряжена положительно, а растянутая отрицательно, можно ожидать, что эффективными ингибиторами могут являться вещества Как катионного, так и анионного типа, а также ингибиторы образующие плотные полимолекулярные слои или пленки. [c.65]

Рис. 19. Положительные и отрицательные краевые дислокации

Рассмотренную краевую дислокацию можно охарактеризовать, проведя вокруг точки С против часовой стрелки цепь, насчитывающую одно и то же число узлов решетки в положительном и отрицательном направлении вдоль каждой оси или ряда. Если кристалл совершенный, эта цепь, называемая цепью Бюргерса [73], замкнута, а при наличии дислокации она разомкнута. Разрыв цепи Бюргерса и отличает дислокацию от точечного дефекта. Соединив концы цепи Бюргерса, получим некоторый вектор Ь, называемый вектором Бюргерса. Длина и направление (угол) вектора Бюргерса определяются величиной и типом дислокации. [c.216]

НИЮ (2. 379) не зависит от величины и даже знака (анодное или катодное) перенапряжения и зависит только от отношения ко/х . Величина Aq при сдвиге перенапряжения в положительную сторону, согласно уравнению (2. 367), уменьшается. С другой стороны, расстояние Хд при винтовых дислокациях так же еще зависит от перенапряжения. Расстояние Xq связано с радиусом поверхностного зародыша Гц соотношением х = 2пг . При невысоких перенапряжениях Гд велик и уменьшается с ростом анодного и катодного перенапряжения. Поэтому распределение плотности тока, определяющееся отношением кд/Хд, не зависит от перенапряжения. [c.323]

Предполагается, что образующиеся экситоны могут при комнатной температуре передавать свою энергию ионам брома, находящимся 1) на уступах свободной поверхности кристалла или 2) на ступеньках вдоль линий краевых дислокаций внутренних поверхностей. Ионы брома в положениях 1) и 2) теряют при этом электроны и превращаются в атомы брома, а освободившиеся электроны вследствие очень малой величины свободного пробега могут в конце концов соединиться с избытком положительного заряда, локализованным в соседнем ионе серебра, образуя атом [c.425]

Рассмотрим более подробно соединение электронов с избыточными ионами серебра. Применяя к этому процессу принцип Франка — Кондона, можно прийти к заключению о том, что вероятность соединения электронов с ионами серебра, адсорбированными на внешней поверхности, мала, так как в этом случае образованию атома серебра в основном состоянии должно предшествовать смещение ядер, вероятность которого близка к нулю. Для иона серебра, продиффундировавшего на границы субструктуры вдоль канала краевой дислокации, это ограничение отпадает. Такой ион находится в гораздо более симметричном поле диэлектрика, и, кроме того, в этом случае имеется пространство для образующегося атома серебра. Таким образом по внутренним границам субструктуры кристалла в непосредственной близости от поверхности образуется некоторое количество атомов серебра, химически эквивалентное количеству брома, выделившегося на поверхности. Когда ионы брома, расположенные на ступеньках вдоль линий дислокаций границ субструктуры, захватывают положительные дырки или, взаимодействуя с экситонами, образуют атомы брома, то возникающий одновременно с этим избыток ионов серебра будет иметь значительно большую вероятность соединения с электронами, чем ионы серебра на свободной поверхности. В этом случае соединение ионов серебра с электронами происходит быстрее, чем их удаление от атомов брома путем диффузии, и имеется большая вероятность для получающихся атомов серебра реагировать с атомами брома, образуя молекулы бромида серебра. [c.426]

Комментируя эти рисунки, прежде всего заметим, что в отличие от выбора знака краевой дислокации, выбор знака клиновой дислокации имеет абсолютный характер смещение атомов в окрестности положительной дисклинации обратно смещению атомов в окрестности отрицательной дисклинации. В первом случае вдоль контура, охватывающего дисклинацию, кристалл претерпевает растяжение, а во втором — сжатие. [c.256]

При увеличении длительности работы питтинга возможно появление предельного тока (например, при потенциале д) вследствие диффузионного ограничения доставки в глубокий питтинг компонентов раствора и отвода продуктов реакции, и тогда анодная кривая вырождается в кривую °д д 4 — что отмечалось при исследовании модельного питтинга [41, с. 77 71]. При потенциале коррозии к, задаваемом окислительными свойствами среды (в условиях питтингообразования ц более положительный, чем пт) происходит возникновение питтинга в результате взаимодействия адсорбированных активирующих анионов, например, хлор-ионов с пассивной пленкой в отдельных точках. Локальность процесса обусловлена негомогенностью поверхности металла и оксидной пленки и связанной с этим неравномерностью адсорбции анионов на пассивной пленке. Начальной стадии возникновения питтинга соответствует растворение структурных элементов поверхности, имеющих менее совершенную пассивацию. Несовершенство пассивной пленки может быть связано с каким-либо искажением структуры металла наличием границ зерен, различного рода включениями (металлическими и неметаллическими), выходом на поверхность кристаллов с менее благоприятной для пассивации ориентацией или же более тонкой неоднородностью, как, например, наличием дислокаций и включением в решетку инородных атомов. Местные изменения стойкости пассивной пленки могут быть вызваны также понижением концентрации основного пассивирующего компонента (например, хрома в коррозионностойких сталях), или дополнительных легирующих компонентов (51, Мо и т. п.). На этой стадии отсутствуют заметные концентрационные изменения электролита и омические падения потенциала. Питтинг еще не имеет характерной полусферической формы, определяемой этими параметрами. [c.91]

Удалось, изменяя размеры и форму образцов, подобрать их таким образом, что образующиеся двойники состояли из прямолинейных отрезков винтовых или краевых дислокаций (рис. 4,1д, б). На образцах с большой протяженностью вдоль плоскости двойникования удалось образовать и удержать в равновесии двойник, оба конца которого находятся внутри кристалла. Такой двойник можно рассматривать как дислокационное скопление прямолинейных отрезков однотипных дислокаций разных знаков (рис. 4.1 в). При этом положительные и отрицательные дислокации находятся по разные стороны от места их зарождения. Таким [c.90]

После того как все положительные дислокации вышли на поверхность кристалла, упругий двойник будет состоять только из двойникующих дислокаций одного знака (в данном случае отрицательных) и примет форму тонкого клина (рис. 8.3а), как во всех экспериментах, проводившихся [c.215]

В металлах положительные ионы расположены практически равноправно по отношению друг к дру17 а свободные влектроны в виде "электронного г за , являясь общими для всего куска металла или металлической детали(рис,4,а). не препятствуют перемещению ионов металла по отношению друг к другу. Ионы металла способны сравнительно легко перемещаться лещ действием незначительных нагрузок в любом направлении, образуя при атом широкие дислокации. [c.10]

Аустенитные нержавеющие стали, содержащие более 45 % N1, стойки к КРН в кипящем растворе Mg l2, а также, по-видимому, и в других хлоридных растворах (рис. 18.8) [61 ]. Эделеану и Сноуден отметили [48], что нержавеющие стали с высоким содержанием никеля более устойчивы к растрескиванию в щелочах. Увеличение содержания никеля в аустенитных нержавеющих сталях приводит к сдвигу в положительную сторону критического потенциала КРН в растворе МёС , причем этот сдвиг значительнее сдвига соответствующего коррозионного потенциала. Вследствие этого повышается стойкость сплава [62]. Когда содержание никеля в сплаве достигает и превышает 45 %, его стойкость к КРН перестает зависеть от окислительно-восстановительного потенциала среды, а более важную роль начинают играть факторы, определяемые не средой, а структурой сплава, такие как вредное влияние дислокаций или уменьшение растворимости азота внедрения. [c.320]

Дислокации могут быть положительными и отрицательными, а самое главное, они могут перемещаться в теле кристалла, накап- [c.111]

Установлено, что реакционными областями в кристаллах азидов тяжелых металлов (АТМ) являются вакансионные кластеры, образованные краевыми дислокациями и точечными дефектами в приповерхностной области кристалла на глубине не более 5 мкм. Это подтверждается тем, что вакансионный кластер и реакционная область совпадают пространственно, а также тем, что после ввода свежих дислокаций время образования вакан-сионного кластера совпадает со временем образования реакционной области. Экспериментально установлено, что для образования реакционной области необходимы два условия наличие краевой дислокации концентрация положительно заряженной примеси должна быть не менее 10 см . [c.92]

Если кусок металла претерпел неоднородную, дилатацию только в местах скоплений дислокаций, то с достаточной точностью можно считать, что в области влияния подповерхностного скопления тонкий слой расширенной решетки, непосредственно примыкающий к поверхности, акцептирует электроны из френкелевского двойного слоя, создавая на поверхности избыток положительного заряда. Порядок толщины этого тонкого поверхностного слоя, взаимодействующего с внешними электронами, логично оценить величиной половины расстояния между плоскостью поверхностных атомов и лежащей под ней следующей атомной плоскостью, поскольку в таких масштабах расширение решетки на расстояниях 10 й от ядра дислокации можно считать равномерным, а выбранная таким образом нижняя граница слоя может считаться нейтральным сечением, от которого происходит расширение в обе стороны и ниже которого недостаток электронов восполняется за счет всего объема металла, а выше — за счет внешних электронов. [c.99]

Борн [4] предполагал, что плавление начинается, когда модуль сдвига кристалла становится равным нулю. Кульман Вильсдорф 18] предложил модель, где свободная энергия образования дислокаций в твердых телах положительна, а в жидкостях — отрицательна. Температурой плавления считается та температура, при которой свободная энергия равна нулю. [c.45]

Места выхода дислокаций на поверхности, окруженные ионами и атомами примеси, являются активными участками поверхности. Следовательно, травление дислокационной структуры — способ повышения ее активности. Травитель — это растворитель, в котором кристалл нерастворим и не содержит активирующие примеси. Примесь должна вступать во взаимодействие с участками поверхности и образовывать комплексные соединения, переходящие в раствор. Травление реализуется, если катион активной части травителя образует комплекс с анионом кристалла или анион травителя — комплекс с катионом кристалла. На этой основе следует подбирать жидкость-травитель. Часто в качестве наполнителя используют кварц. Поскольку S1O2 легко образует комплексы типа SiF , травитель должен содержать F-ион (NaF). Сильно отрицательный атом фтора оттянет к себе электронную плотность с соседнего катиона, что вызовет индуцирование на катионе большого положительного заряда и облегчит отщепление [c.48]

Свойства дислокаций. Прежде всего следует отметить, что дислокациям в кристалле условно приписывается определенный знак—положительный или отрицательный. Краевые дислокации, лишние атомные плоскости которых лежат в противоположных частях кристалла относительно плоскости скольжения, обозначаются разными знаками. Например, дислокациям (рис. 19), лишние атомные плоскости которых лежат выше плоскости скольжения тп, можно приписать знак плюс (или минус), тогда дислокациям с лишней атомной плоскостью, лежащей ниже плоскости /пп,—знак минус (или плюс). Винтовые дислокации также разделяются на положительные и отрицательные или, иначе, на право- и ле-вовращающиеся в зависимости от направления закручивания атомных плоскостей в кристалле — по или против часовой стрелки. [c.93]

Поверхностное напряжение твердого тела можно рассчитать с помощью уравнений (V-3) и (V-4). В работе [26] такая оценка была сделана для кристаллов тверды.х инертных газов и щелочных галогенидов при О К (см. разд. V-3B). Так, например, согласно расчетным данным, для Na l Y составляет 155 эрг/см , тогда как х имеет отрицательное значение —130 дн/см. По мнению Даннинга [22], отрицательное т означает, что небольшие кристаллы подвергнуты положительной объемной деформации (т. е. несколько увеличены в объеме). Однако Никольсон [27], измерив постоянные решетки небольших кристаллов Na l, пришел к выводу, что они должны характеризоваться положительными значениями т. Поскольку теоретические расчеты основываются на многочисленных допущениях, результаты их могут оказаться неверными. В то же время можно предполагать, что растягивающие напряжения в небольших кристаллах снимаются в результате образования дислокаций. Под действием сжимающего поверх- [c.204]

Проанализируем сначала простейший случай кислотной коррозии, полагая, что растворяющийся сплав состоит из сильно различающйхся по своим Свойствам фаз, представленных практически чистыми компонентами-А и В. Весь процесс приближенно можно описать на основе теории коррозионных микроэлементов, допу стив, что реакция анодного растворения локализована на фазе А (фаза с отрицательным потенциалом), а катодная реакция — восстановление Н+-ИОНОВ — срсредоточена на фазе В (фаза с положительным потенциалом). В стационарных условиях скорости обеих реакций одинаковы и равны скорости саморастворения металла. В реальных процессах помимо работы фазовых элементов существует еще целый ряд причин, вызывающих коррозионные разрушения, в частности коррозионные элементы типа граница фазы — центр фазы, которые сильно усложняют анализ. По границам фаз всегда происходит накопление дислокаций и примесных атомов, что способствует сосредоточению в этих зонах интенсивного растворения. [c.155]

Известные работы, разбирающие вопрос о скорости растворения граней кристаллов в их маточном растворе, не дали определенных результатов [2]. Одни исследователи нашли, что различные грани кристаллов растворяются с различными скоростями, другие —что скорость растворения различных граней в их маточном растворе одинакова. Например, Г. В. Вульф [3] для кристаллов Fe NH4][S04]2 6H20 показал, что в пределах точности измерений скорости растворения различных граней кристаллов одинаковы, тогда как скорости роста разных граней сильно отличаются друг от друга. Несколько работ, проведенных с целью выявления анизотропии скорости растворения кристаллов щелочногалоидных солей в воде [4, 5], не дали положительных результатов. В то же время имеются многочисленные доказательства того, что отделение частиц, вызываемое растворителем, происходит по одним направлениям легче, а следовательно, и скорее, чем по другим. Например, при опускании кристалла Na l в раствор метилового спирта можно наблюдать появление фигур травления на гранях куба в виде квадратных пирамидок, обращенных вершинами в глубь кристалла [2]. Аналогичные квадратики наблюдаются на поверхности кристаллов щелочногалоидных солей при их травлении с целью выявления дислокаций. П. Грот [6] наблюдал появление на кристаллах под воздействием тонкой струи воды угловатого углубления, имеющего определенный вид и определенное положение, однако эти наблюдения не были подтверждены опытами В. Д. Кузнецова [2]. [c.179]

ДЕФОРМАЦИОННОЕ УПРОЧНЕНИЕ (от лат. deformo — придаю вид, формирую) — упрочнение материала пластическим деформированием при продолжении механического нагружения за пределом текучести. Связано с эволюцией взаимодействующих дислокаций при пластическом течении и изменением систем скольжения, обусловленным наличием дисперсных составляющих различной прочности. Более интенсивное упрочнение характерно для поликристаллов с мелкозернистой структурой в свою очередь, твердые растворы упрочняются интенсивнее, чем чистые металлы. По мере увеличения деформации интенсивность упрочнения, характеризуемая модулем упрочнения, снижается. Деформационное упрочнение металлов сопровождается повышением твердости, электрического сопротивления, магнитной проницаемости, изменением теплопроводности. Влияние на Д. у. т-ры, среды, реакторного облучения и др. зависит от природы и структурного состояния материала. Мех. модель упрочняющегося материала можно представить в виде пружины и элементов трения, связанных свободными от натяжения тяжелыми нитями. В этой модели Д. у. трактуется как процесс последовательного включения в работу элементов трения. Начало движения каждого элемента соответствует определенной стадии упрочнения. Степень Д. у. зависит не только от текущих значений напряжений, но и от истории нагружения. У упрочняющегося материала работа добавочных напряжений при замкнутом цикле нагружения и разгрузки положительна, если он пластически деформирован, и равна нулю при упругих деформациях. Если св-ва материала не зависят от времени, а процесс деформирования изотермический, то при произвольной системе напряжений возможны упрочнения изотропное (поверхность, ограничивающая область безопасных напряжений, расширяется изотропно, не изменяя [c.341]

Эти соображения позволяют дать новое и более правдоподобное объяснение результатов, полученных Эстерманом, Лейво и Стерном. Эти авторы, облучая КС1 рентгеновскими лучами (стр. 59), обнаружили, что в глубине кристалла быстро появляются анионные вакансии. Действие рентгеновских лучей на кристалл приводит к появлению электронов с большой энергией (и положительных дырок), которые, проходя около внутренних дислокаций, вызывают местное нагревание, достаточное для того, чтобы произошло образование вакансий на уступах Зейтца. Возникшие таким образом анионные вакансии захватывают электроны, образуя /"-центры, в то время как катионные вакансии захватывают положительные дырки, причем получаются так называемые 1/-центры, вызывающие поглощение в ультрафиолетовой области. Применяя этот новый механизм, можно избежать трудностей, которые встречаются при объяснении относительно быстрой миграции вакансий с поверхности (стр. 60) кроме того, он объясняет с более общей точки зрения результаты экспериментов Пржибрама и других, которые отмечали влияние механической и термической обработки кристал- [c.63]

Каждый раз, когда в ионном кристалле происходит локальное выделение энергии, следует иметь в виду возможность образования вакансий и ионов в междуузлиях у дислокаций. г1апример, образование электронов и других частиц при радиоактивном распаде внутри кристалла осложняет процесс и потому затрудняет интерпретацию результатов исс.иедований, проводимых по методу Хана с использованием эманации, и даже исследований самодиффузии, хотя соответствующие эффекты, вероятно, пренебрежимо малы, кроме случая низких температур. Помимо того, что дислокации вызывают появление дефектов решетки, они, играя роль неглубоких ловушек для электронов и положительных дырок, имеют также важное значение при изучении электронных процессов в ионных кристаллах. Это показано в последней работе Митчелла по изучению фотографических процессов, рассмотренных в гл. 13. [c.64]

Бромид серебра. Хеджес и Митчелл [31] недавно показали, что при освещении прокаленных кристаллов бромистого серебра осадок серебра образуется в дислокациях внутри кристалла, даже если его нет на поверхности. Ионы брома в рещетке на свету диссоциируют на положительные дырки и электроны, например Вг 4-/ v—>Вг+е, и эти дырки и электроны диффундируют к тем местам, где они улавливаются. Улавливаются они как на поверхности, так и в дислокациях. Электроны улавливаются в дислокациях, но некоторые положительные дырки диффундируют к поверхности, где в результате реакции их с соседними ионами брома получаются молекулы брома. Последние выделяются, и в решетке образуются вакансии. Возникает пространственный заряд, который нейтрализуется при движении вакансий к дислокациям, где образуются зародыши серебра. Этот тип разложения твердого вещества возможен, однако, только в том случае, если вакансии обладают подвижностью, как в случае бромида серебра. Тем не менее он имеет общее значение, так как проливает свет на механизм образования зародышей внутри решетки твердого вещества. [c.313]

Поверхностная реакция наблюдается при выделении газа с образованием вакансий в решетке. Эти вакансии могут либо локализоваться вблизи поверхностных нарушений, либо распространяться по всей поверхности или диффундировать внутрь объема. Зародыши новой твердой фазы возникают, по-видимому, при агрегации вакансий. Детали механизма образования зародушей зависят от степени подвижности вакансий. Вакансии обычно являются анионными и состоят из положительных пробелов и электронов. Последние улавливаются как парами, так и в отдельности на поверхности или в дислокациях внутри кристалла. Обычно зародыши образуются на поверхности, но в случае AgBг могут образовываться вдоль внутренних границ кристаллических зерен. [c.313]

С теоретической точки зрения окончательный результат облучения несенсибилизировапных и химически сенсибилизированных кристаллов галогенидов серебра, по-видимому, не зависит от детального механизма первичного фотохимического акта. Если электроны и положительные дырки в кристаллах галогенидов серебра образуются парами, то дырки обладают, вероятно, более коротким временем жизни, чем электроны. Захват положительной дырки, например атомом серебра, находящимся на дислокации или на границах субструктуры, приведет к образованию иона серебра и электрона, движущегося в электростатическом поле иона. Точно такое же состояние может явиться результатом возбуждения атома серебра путем его взаимодействия с экситоном. [c.423]

Углерод, входящий в твердый раствор, как правило, повышает, а азот снижает, стойкость сталей к коррозионному растрескиваник> [104, с. 243]. Положительное действие углерода связывают с образованием ячеистой структуры дислокаций, а отрицательное действие азота — с образованием конланарных дислокаций. Однако действие углерода и азота может быть связано также и с влиянием их на превращение и выпадение различных фаз в нержавеющих сталях. [c.115]

Рис. 8.3. Перемещение упругого двойника и регистрируемая при этом АЭ а -. вход двойника в кристалл, б - выход на поверхность отрицателы1ых дислока-ций, в - выход на поверхность положительных дислокаций, г - шнигиляция дислокаций 1 - кристалл, 2 - двойник, 3 пьезодатчик, 4 - район нагружения

Если после выхода кончика двойника на поверхность (по существу, после превращения упругого двойника в остаточную прослойку) начать раздвойникование (приложить такую нагрузку, что прослойка в месте выхода на поверхность начнет утоньшаться), то, начиная с некоторой критической толщины, произойдет превращение остаточного двойника в упругий отрыв кончика двойника от поверхности, т.е. вход положительных дислокаций в кристалл. Сравнение сигнала с рис. 8.3в демонстрирует, что изменение направления скорости при сохранении знака вектора Бюргерса меняет полярность сигнала АЭ. Таким образом, знак сигнала АЭ действительно определяется знаком произведения ЬУ, как это и предсказывают соотношения (8.1)-(8.3). [c.215]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология