Самодиффузия окислении меди

Поскольку значения энергии активации у них получились гораздо меньше, чем для самодиффузии меди в СигО, они пришли к выводу, что скорость окисления определяется скоростью поверхностной диффузии. [c.87]

Было показано, что окисление металлической меди воздухом при 1000°С связано с самодиффузией [В12]. Повидимому, окисленный слой растет за счет диффузии пустых узлов в решетке Си" " с наружной стороны окисленного слоя вглубь металла, сопровождающейся потоком положительных электронных дырок для сохранения электрической нейтральности системы. Энергия активации самодиффузии Си" " в закиси меди при температурах между 800 и 1000° С, как показали опыты, равна приблизительно 37 ккал молъ- [С62]. Энергия активации процесса окисления меди равна 39 2 ккал моль . Это совпадение данных также может служить доказательством предположения о том, что стадией, определяющей скорость окисления меди, является самодиффузия Си в закиси меди [W1, W2, W3, W4]. [c.70]

Ранее нами уже рассматривались многие из тех процессов, которые могут происходить при отжиге, а именно сегрегация и осаждение примесей в области линейных и поверхностных дефектов, а также связанное с этим возникновение областей повышенного электрического сопротивления, обратимое и необратимое превращение центров свечения, увеличение степени самокомпенсации полупроводниковых кристаллофосфоров и диффузия примесей по дислокациям. При отжиге на воздухе нужно считаться с сорбцией кислорода, а выше определенной температуры — также с окислением основания люминофора. К этому следует добавить возможность полиморфных превращений. Например, при медленном охлаждении или отжиге закаленных ге/сс-2п5-Си-фосфоров, содержащих большое количество меди (1 10 г/г и более), происходит переход от структуры вюрцита к структуре сфалерита [82]. Благоприятное действие избытка меди может быть связано как с повышенной плотностью дислокаций, а потому и собственных дефектов, облегчающих самодиффузию, так и со стимулирующим влиянием хлористой меди u l, имеющей структуру сфалерита . Полиморфные превращения при отжиге наблюдались также у люминофоров других классов, например у aS04-Mn [59]. [c.311]

Изучение диффузии в металлах и в окисных пленках при помощи радиоактивных изотопов велось также для выяснения процессов образований этих пленок и распространения коррозии. Важный для практики изготов-ления купроксных полупроводников вопрос об образовании медных окси.а(-ных пленок был изучен Вердином с сотр. [1181]. На медь электролитически наносился слой радиоактивной Си , после чего поверхность подвергалась окислению при 1000° в течение 18 мни. При этом медь покрывалась пленкой закиси толщиной 0,13 мм. При охлаждении слой ее, прилегающий к металлу, окислялся до окиси. Изучение распределения активности пр толщине оксидной пленки путем последовательного растворения ее слоев привело авторов к заключению, что оксидная пленка растет за счет диффузии Си в слое окисла и диффузии электронов из металла. При этом ре -зультаты количественно отвечают представлениям о механизме самодиффузии Си" путем миграции этих ионов от одних вакантных мест в решетке к другим, а не путем обмена соседними ионами в узлах решетки. В дальнейшем диффузия Си в окисной пленке была изучена более, подробно [c.451]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология