Дефекты собственные

Заметим, что появление дефектов может быть вызвано не только собственными, но и примесными атомами. Присутствие примесных атомов может сильно влиять на механические и физические свойства кристаллов. Так, добавление к железу 1% N1, 1% Мп и 1% Сг существенно повышает его твердость примерно на 5, 12,5 и 25% [c.166]

В кристаллической решетке металла могут быть различные типы дефектов. Собственное нарушение порядка расположения атомов в кристаллической решетке определяют точечные дефекты. Бывают дефекты, вызванные присутствием чужеродных атомов, которые могут находиться в регулярных узлах и между узлов кристаллической решетки. Другой тип дефектов связан с тем, что отдельные атомы кристаллической решетки металла могут находиться в иных возбужденных состояниях, чем основная масса атомов. Такие дефекты называются электронными. [c.324]

В импульсных аналоговых дефектоскопах совмещенные преобразователи используют в низкочастотном диапазоне /(, РС - в диапазоне В (см. рис. 2.124). В обоих случаях в зонах дефектов собственные частоты вибраторов уменьшаются. Используют два информативных параметра амплитуду и центральную частоту импульса. Соответственно, возможны три вида обработки информации амплитудная, частотная и амплитудно-частотная. Как и при работе непрерывными колебаниями, двухпараметровая обработка увеличивает чувствительность. Это иллюстрирует рис. 2.133, где показаны нормированные зависимости относительного уменьшения сигнала от диаметра В дефекта в двухслойном образце в виде обшивки, приклеенной к толстому основанию при трех видах обработки информации. [c.322]

Как было выяснено, электронные переходы, вызывающие испускание света, а также аккумуляцию (запасание) энергии возбуждения и внешнее тушение или, в общем случае, миграционные потери, происходят в особых субмикроскопических образованиях, связанных с дефектами кристаллической решетки. В широком смысле слова к дефектам относят всякие нарушения периодического строения кристалла, включая свободные (делокализованные) электроны и дырки, а также фононы. Однако, говоря о дефектах, мы будем иметь в виду главным образом нарушения правильного расположения атомов. Это в первую очередь точечные (нульмерные) атомные дефекты — вакансии, междоузельные атомы и атомы растворенных в кристалле примесей. Центры свечения чаще всего связаны с примесными дефектами. Собственные дефекты играют важную роль в образовании центров захвата и нередко входят также в состав центров свечения. [c.81]

Дефекты изделий, возникающие при пневмо- и вакуумформовании (за исключением дефектов, вызванных неправильным обслуживанием и неисправностью машин, особо низким качеством материала и т. п.), можно разделить на дефекты исходного материала (заготовки), дефекты нагрева и дефекты собственно формования. [c.74]

Можно указать две основные причины возникновения дефектов в кристаллах. Первая обусловлена тепловым движением частиц, формирующих кристалл. С повышением температуры твердого тела энергия такого движения растет, поэтому возрастает и вероятность образования подобного рода дефектов, обычно называемых собственными или тепловыми. Другой вид дефектов связан с наличием в структуре вещества тех или иных примесей. Вообще говоря, абсолютно химически чистых веществ не существует. Однако влияние примесей на свойства вещества может быть незначительным, и тогда их присутствием пренебрегают. Когда присутствующие примеси существенно изменяют свойства твердого тела, говорят о дефектах химического состава кристалла или примесных дефектах. [c.87]

Атомные и электронные дефекты Собственные дефекты тип и валентность примесных дефектов Вакансии, атомы в междоузлиях [c.167]

Приложение внешнего воздействия к нефтяной дисперсной системе заставляет элементарные группировки, в частном случае соприкасающиеся, деформироваться либо изменять ориентацию в пространстве, что приводит к образованию дефектов системы, которые мгновенно занимают наиболее вакантные другие элементы нефтяной дисперсной системы, приводя, таким образом, к общему изменению энергетического равновесия в системе. В этих случаях важная роль отводится вращательным (спиновым) степеням свободы молекул. При этом изменение ориентации группировки происходит за счет поворота каждой молекулы вокруг своей собственной оси, приводящего к перемещению ее центра тяжести, однако не нарушающего взаимный контакт соседних молекул. [c.56]

Собственная ионная проводимость твердых тел указывает на наличие дефектов в их кристаллической структуре. В самом деле, если бы кристалл был строго идеальным, то перенос ионов через него был бы возможен лишь за счет обмена местами между катионом и анионом решетки. Однако расчет показывает, что такой обмен чрезвычайно мало вероятен, так как требует больших затрат энергии. [c.95]

Акустико-топографический метод рассмотрен в п. 2.6.2. Здесь отметим, что для контроля используют установку, состоящую из серийного ультразвукового генератора мощностью около 0,5 кВт на частоте около 100 кГц, блока управления частотой и магнито-стрикционного или пьезоэлектрического излучателя, прижимаемого к ОК. Излучатель снабжен концентратором, имеющим сферическую поверхность контакта с ОК. Частоту генератора варьируют до совпадения с собственной частотой участка, отделенного дефектом от основной массы ОК. [c.232]

Следует подчеркнуть, что избыточные компоненты в нестехиометрических соединениях неотличимы от собственных дефектов решетки, захвативших электрон при тепловом возбуждении кристалла. [c.279]

Дефекты по Френкелю ( структуры смещения ) могут возникнуть при нагревании кристалла. В этом случае атом выходит из узла в междоузлие, благодаря чему сразу возникают два точечных дефекта вакансия и собственный атом внедр ия. На это тратится мно- [c.135]

Наличие повышенной вязкости и механической прочности адсорбционных и межфазных слоев стабилизатора — их способность сопротивляться деформации и разрушению в сочетании с достаточной подвижностью, обеспечивающей залечивание случайно возникающих дефектов слоя. Для систем с твердыми частицами условием эффективной стабилизации может быть также достаточно высокая прочность закрепления молекул стабилизатора на поверхности частиц, определяемая энергией их взаимодействия с данной твердой поверхностью (в этих условиях может становиться менее существенным требование к собственной прочности слоя, обусловливаемой взаимодействием его молекул между собой). [c.261]

Собственная проводимость. Рассмотрим теперь механизм, определяющий скорость дрейфа дефектов при наложении поля Е. В направлениях, перпендикулярных к полю, высота потенциальных барьеров остается при этом без изменений. Однако в направлении поля и в противоположном направлении высота потенциального барьера, как показано на рис 122, изменяется соответ- [c.282]

При производстве изделий методом термоформовання брак может быть вызван целым рядом причин. К дефектам собственно формования относятся образование морщин, трещин, разрывов и пузырей на поверхности изделия, изменение цвета заготовки, коробление изделия, его недооформление, прилипание к форме и т. п. В табл. 5.8 приведены основные виды дефектов изделий при термоформовании термопластов, причины их возникновения и способы устранения. [c.171]

Все дефекты, обнаруженные нри осмотре цистерн, заносятся в журнал учета, а в случае особых неисправностей, которые не могут быть устранены собственными силами пункта, составляется соответствующий акт с привлечением работников железнодорожной станции, и цистерна направляется в вагонный участок станции. [c.364]

Длина свободного пробега фононов может меняться в широких пределах. Средний свободный пробег записывается как 1//= 1//1 +1//2, где 1 - средний пробег фононов, связанный с рассеянием на собственных колебаниях решетки и обратно пропорциональный температуре 2 — средний пробег, обусловленный рассеянием на границах кристаллитов и межкристаллитном веществе, а также дефектами, и не зависящий от температуры. [c.109]

До температур —150-г—130 °С фонон-фононное взаимодействие мало, и длина свободного пробега фононов определяется рассеянием на границах кристаллитов. Поэтому теплопроводность пропорциональна концентрации фононов, т.е. теплоемкости. При температурах, выше указанных, вследствие рассеяния энергии при фонон-фононном взаимодействии длина свободного пробега уменьшается. При температуре, когда рассеяние на колебаниях кристаллической решетки и на статических дефектах и неоднородностях становятся равными друг другу (/, =/2), на кривой температурной зависимости теплопроводности появляется максимум. Когда теплоемкость достигает постоянного значения, длина свободного пробега определяется рассеянием на собственных колебаниях решетки — теплопроводность снижается правее максимума, т.е. обратно пропорционально температуре. [c.109]

Оптимизация вида ядра свертки должна проводиться с учетом относительного уровня и характера ошибок в экспериментально оцененных проекциях, особенностей подлежащих выявлению дефектов, собственной пространственной структуры контролируемого изделия, трудоемкости свертки, состава аппаратуры и используемой методики расшифровки результатов контроля (томофамм), Поэтому в случае проектирования универсальной аппаратуры ПРВТ желательно предусмотреть возможность проведения по одним и тем же измерительным данным р(г, ф) повторной реконструкции с использованием различных ядер свертки. [c.117]

То, что необходимо учитывать строение электронных оболочек примесных ионов, явствует из сравнения влияния примесей N1 + и Действительно, если рассматривать только разницу зарядов основного и примесного катионов, то пришлось бы сделать вывод, что ион Ы" " должен влиять на е азотнокислого бария сильнее, чем ион К , так как введение иона в решетку Ва(НОз)2 приводит к образованию большего числа дефектов, чем введение иона N1 . Так, при образовании раствора замещения ион Ь образует два дефекта собственно ион Ь на месте иона Ва и анионную вакансию. Ион N1 + дает при образовании раствора замещения только один дефект — вакансий в этом случае не образуется. Анологичная ситуация возникает и при образовании раствора внедрения. Таким обра- [c.84]

К дефектам собственно формования относятся образование морщин и пузырей на поверхности изделия, изменение цвета от перегрева формуемого листа, недооформление изделия, его прилипание к форме и т. п. В табл. 6 приведены основные виды дефектов изделий при пневмо- и вакуумформовании, причины их возникновения и способы устранения. [c.77]

Всякое нарушение совершенства, правильного расположения атомов в решетке является дефектом кристалла. Собственный атом металла, находящийся в междоузлии, а не в узле,— это дефект, и пустой узел, вакансия — тоже дефект. У этих дефектов (собственного меж-доузельного атома и вакансии) есть две особенности. Во-первых, как мы видели выше, вакансия — равновес-дефект. Это значит, что появление вакансий умень- [c.85]

Некачественное изготовление сальников или набивок сальникового уплотнения (в основном асбоалюмнниевой и асбосвин-цовой собственного производства). Сальник обычно начинает сильно пропускать через 40—50 ч работ ,1. Основные дефекты плохая заделка зa птонкий слой фольги, недостаточный или неравномерный слой графита между листами фольги. Во всех случаях нужно заменить сальниковую набивку. [c.135]

Магвитографвческие дефектоскопы. Основной элемент в магнитографическом дефектоскопе - магнитная лента - выполняет двойную роль сначала служит индикатором поля дефекта, фиксируя это первичное, исходное поле в виде пространственного распределения остаточной намагниченности рабочего слоя, а затем сама становится источником вторичного, отображенного магнитного поля, которое, в свою очередь, считывается еще одним индикатором. Соответственно этому магнитографический контроль состоит из двух операций записи и считывания. Для первой операции необходимы устройства намагничивания (чаще всего электромагниты) и крепления ленты на изделии, для второй - считывающие устройства (собственно дефектоскопы). Возможно определение указанных процессов в едином устройстве (например, с использованием кольцевых лент или магнитных валиков, прокатываемых по изделию). В настоящее время успешно ведутся работы по замене магаитных лент многоэлементными электромагнитными преобразователями, позволяющими преобразовать топографию поля рассеяния дефекта сразу в оптическое изображение на экране видеоконтрольного устройства, лшнуя промежуточные операции загшси - считывания. [c.162]

Для контроля формы станин, которые обычно являются базовыми деталями для сборки узлов, а также для контроля направ ляющих поверхностей станков проводят проверку плоскостности Проверка плоскостности детали с помощью струны заклю чается в натяжении струны над деталью таким образом, чтобы рас стояния от струны до крайних точек детали были одинаковыми Если при измерении в любой промежуточной точке расстояние от струны до детали окажется таким же, как и на краях, то деталь имеет удовлетворительную плоскостность. Измерение может проводиться в двух перпендикулярных направлениях. Для измерения используется штихмасс — измерительный прибор с микрометрической шкалой. Проверка плоскостности и прямолинейности дает возможность определить прогиб деталей машины от собственного веса или из-за дефектов при обработке поверхностей. [c.134]

На самом деле ограничения методов, подобных методу дерева неполадок и являющихся по существу методами решения обратной задачи, имеют несколько отличную от указываемой ниже автором природу. В конечном итоге, если абстрагироваться от конкретики, суть затруднений всегда одна и та же - некорректность (по Ж. Адамару) поставленной задачи. Это явление хорошо известно, и в промышленной безопасности такой некорректно поставленной будет, например, задача восстановления места расположения и структуры источника выброса дрейфующего парового облака. (Уже за время t, Tai oe, что ti D-L, где L - размер облака, а D - коэффициент турбулентной диффузии, полностью "стирается" память об условиях возникновения облака.) Однако на основе сказанного было бы неправильным полагать ограниченной применимость метода дерева неполадок к задачам оценки риска химических и нефтехимических производств. Просто областью применения этого метода является определение характеристик (частота возникновения, вероятность и т. д.) инициирующих аварию деструктивных явлений, и, как показывает опыт многих проведенных исследований, метод деревьев неполадок можно считать в целом неплохо подходящим для описания фазы инициирования аварии, т. е. фазы накопления дефектов в оборудовании и ошибок персонала (о включении в метод деревьев неполадок "человеческого фактора см. [Доброленский,1975]). Что же касается развития аварии и ее выхода за промышленную площадку, то здесь для построения возможных сценариев развития поражения (т. е. воспроизведения динамики аварии) и расчета последствий адекватными являются прямые методы (такие, например, как метод дерева событий). Сопряжение двух этих различных по используемому математическому аппарату методов описания аварии, необходимое для определения собственно риска (и столь сложное, например, в ядерной энергетике), оказывается для химических производств возможным эффективно реализовать за счет специфики промышленных предприятий - для них конструктивно описывается вся совокупность инициирующих аварию деструктивных явлений, и стало быть, можно рассмотреть все множество возможных аварий. Именно это свойство - способность описать все возможные причины интересующего нас верхнего нежелательного события - в первую очередь привлекает исследователей в методе дерева неполадок. - Прим. ред. [c.476]

Реальные кристаллы. Рассмотренные закономерности формирования идеальных кристаллических веществ позволяют объяснить м1 огие свойства реальных кристаллов, с которыми обычно приходится иметь дело в практике. В реальных твердых телах могут наблюдаться самые разнообразные искажения строгой периодичности, структурные нарушения, которые получили название дефектов (несовершенств). К одному из видов дефектов можно отнести и наличие в структуре вещества примесных химических включений. Другую разновидность дефектов в кристаллах порождает нарушение теплового движения частиц. С повышением температуры твердого тела энергия движения частиц, формирующих кристалл, растет, поэтому и вероятность образования тепловых (собственных) дефектов возрастает. Та или иная частица, приобретая повышенный запас энергии, может покидать узлы кристаллической решетки, тогда образуется точечный дефект. Возможно в конечном Итоге нарушение стехиометрии исходного вещества с образованием ряда новых, близких по стехиометрическому составу химических соединений. [c.141]

Анализ литературных источников и собственные исследования показывают, что на напряженно-деформированное состояние КСП оказывает влияние множество факторов технологического, конструкторского и механического происхождения. Это такие параметры технологического процесса температурный режим работы КСП, степень заполнения корпуса СП, режим загрузки и число оборотов КСП. На долговечность также оказывает влияние, как было сказано ранее, дефекты механического происхождения, как отдулины, трещины, выпучины, износ трущихся поверхностей бэчда-жей и роликов и т.д. [c.118]

Хорошим примером иепредсказуемых результатов является поведение труб из полиэтилена (ПЭ) и других частично кристаллических материалов при постоянном поперечном напряжении для них обнаружено резкое падение рабочих напряжений при длительном нагружении (рис. 1.5). На начальном участке временной зависимости для ПЭ, как и для ПВХ, долговечность сильно зависит от напряжения. В зависимости от температуры ослабление материала бывает либо хрупким (рис. 1.1), либо пластическим (рис. 1.2 и 1.6). Оба материала также сравнимы по термической активации роста трещин при ползучести (рис. 1.3, 1.7 и 1.8), которая может вызвать ослабление трубы по истечении длительного срока службы. Оба материала различны в тОлМ смысле, что для ПЭ кинетика роста трещины при ползучести заметно отличается от кинетики роста трещины при пластическом ослаблении (рис. 1.5), а для ПВХ практически не отличается. Это лишний раз свидетельствует о том, что необходимо изучать собственно физическую природу развития дефекта материала, чтобы надежно предсказывать его поведение, особенно при первом применении, и (или) улучшать свойства путем введения дополнительных компонентов или изменения способа изготовления. [c.12]

Исследованы при комнатной температуре и температуре жидкого азота эффект Холла и электросопротивление пироуглерода с температурой осаждения 2100°С, содержащего различное количество бора. Полученные данные обработаны с использованием электронно-энергетической модели Херинга—Уоллеса в предположении применимости кинетического уравнения Больцмана. Сделан вывод о существовании двух основных механизмов рассеяния носителей заряда в исследованных материалах — на ионизированных атомах бора и на собственных дефектах структуры. Оценены соответствующие им длины свободного пробега. Предложена формула, описывающая зависимость электросопротивления пироуглерода от содержания в нем растворенного в решетке бора. Ил. 1. Табл. 2. Список лит. 3 назв. [c.267]

Бертоллиды (277)—твердые растворы, которые первоначально рассматривались как химические соединения нестехиометрического состава. Термин введен Н. С. Курнаковым. Согласно статистической термодинамике ностехиометрич-ность бертоллидов обусловлена дефектностью их кристаллических решеток и отличием химических свойств дефектов решетки при химических реакциях вещества с внешней средой илн собственным паром. [c.308]

Существование двусторонних фаз возможно потому, что в зависимости от внешних условий наблюдается преимущественная генерация вакансий, антиструктурных дефектов или междоузель-ных атомов либо одной, либо другой подрешетки. Здесь речь идет о так называемых собственных, а не примесных дефектах, которые обусловлены различным положением атомов компонентов. [c.59]

Изучение свойств простых веществ имеет фундаментальное значение в неорганической химии. Оно является первым этапом в описательной химии элементов. Последовательное и аналитическое восприятие фактического материала о свойствах простых веществ (физических, физико-химических, химических) позволяет составить общее представление о химическом облике элемента, предвидеть природу химической связи, состав и свойства его характеристических соединений, их кислотно-основные и окислительно-восстановительные характеристики и т.п. Принципимьная особенность простых веществ состоит в том, что при рассмотрении их свойств нет необходимости учитывать вопросы, связанные с постоянством или переменностью состава, поскольку состав простых веществ, естественно, всегда постоянен. Однако даже у простых веществ следует учитывать явление аллотропии и наличие собственных дефектов в реальном кристалле, что позволяет выявить зависимость свойств простых веществ от их химического и кристаллохимического строения. [c.239]

Дефекты по Френкелю (структуры смещения) могут возникнуть при нагревании кристалла. В -5том случае атом выходит из узла в междоузлие, благодаря чему сразу возникают два точечных дефекта вакансия и собственный атом внедрения. На это тратится много энергии (2—4 эВ), так как у большинства кристаллов размеры межузловых иространств меньше размеров атомов. Обозначим вакансию квадратными скобками [ ], атом в узле [А], незанятое междоузлие круглыми скобками, атом в междоузлии (А). Тогда образование дефекта по Френкелю запишется так [А]+( ) =[ ]+(А). [c.167]

На всех стадиях создания и внедрения методов неразрушающего контроля необходимо проводить технико-экономический анализ и определять технико-экономическую эффективность от их применения. В основу формирования эффективных систем неразрущающего контроля должен быть положен учет полезного результата применения системы и затрат на нее. Мерой полезного результата может быть принято приращение надежности контролируемого объекта, обязанное устранению дефектов, выявленных данной системой. Затраты на систему должны учитывать не только стоимость собственно контроля и сопутствующих операций, но и убытки, связанные с возможной перебраковкой. Изложенное понятие эффективности системы неразрушающего контроля [18] отображается интегральным критерием эффективности Qj, характеризующим соотношение меры GJ соответствия системы J упомянутой цели (техническая эффективность) и указанных затрат Э1 , символическая запись которого Qj=Gj / ЭХ ). Для расчета величины GJ как приращения АЦ вероятности невозникновения аварийной ситуации относительно исходного значения Но необходимо знать типы и виды дефектов которые могут встретиться в объекте, и их потенциальную опасность Р(АкО распределения Г к1(т) числа ш дефектов Ок в объекте вероятности Рд.оп (Вк1 / М1) обнаружения дефектов Ок1 вариантами М1 входящими в систему.Технико-экономический анализ дает обобщенную оценку в денежном выражении разнообразных достоинств и недостатков методов неразрушающего контроля. Экономический эффект неразрушающего контроля является обобщающим показателем, характеризующим целесообразность всего комплекса мероприятий по их созданию и внедрению. Отдельные технические и эксплуатационные показатели, характеризующие эффективность [c.36]

Полученные закономерности в формировании прочности поликристаллического искусственного графита, содержащего дефекты (трещины и скопления дислокаций), становятся понятными, если представить графит как систему со многими уровнями. Каждый из них характеризуется собственными значениями эффективной энергии разрушения и критического размера дефекта. Такой подход, учитывающий дискретный характер разрушения графитов, позволил авторам работы [51] предложить критерий прочности с учетом зарождения трещин. В предельных случаях этот критерий сбвпадает с уравнениями Гриффитса, Гриффитса - Орована и Петча, предложенных для компактных материалов. [c.79]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология