Нитрид кремния, травление

Рис. 4. Зависимость скорости травлении (кривая I) и П1ирииы полуполосы погло-июния нитрида кремния л (кривая 2) от те. тературы пиролиза.

У(Т). Однако в этом случае при температурах синтеза больших 500°С скорость химического травления снова снижалась, очевидно, за счет действия другого механизма, а именно уплотнения аморфной пленки при ее кристаллизации. Следует отметить, что в любом случ ае химическая стойкость A1N очень высока и в несколько раз превосходит стойкость нитрида кремния [13]. [c.84]

Удаление различных слоев с поверхности твердых образцов в низкотемпературной плазме нашло широкое применение в микроэлектронике, в частности в технологии изготовления интегральных схем [646]. Типичным процессом травления является снятие слоев фоторезиста, очистка поверхности образцов, снятие с поверхности кремния слоев двуокиси кремния, нитрида кремния, различных металлических пленок в плазме электрических разрядов в чистых фторуглеродах и с небольшими добавками кислорода. [c.273]

Было установлено, что на качество пленок нитрида кремния, кроме давления распыляющего газа, существенно влияет и скорость нанесения пленок. Лучшие пленки получались при максимальной мощности, подводимой к системе, т. е. при максимальных скоростях осаждения. Это иллюстрирует, например, рис. 24. На этом рисунке низкая скорость травления пленок означает их большую плотнвсть и, следовательно, высокое качество. Значительно более высокую химическую активность кислорода в сравнении [c.441]

Нитрид кремния. Пленки SisN4 химически инертны и с большим трудом поддаются травлению. Наиболее подходящим травителем является концентрированная (48%) HF при этом скорость травления изменяется от 150 А мин [110] до 500 я 1000 А мин- [98], в зависимости от метода получения пленок и их толщины. Буферные растворы HF взаимодействуют с гораздо меньшей скоростью, около 15 А мин [ПО]. Еще одним травителем может быть раствор, состоящий из 3 мл концентрированной HF и 10 мл концентрированной HNO3 травление осуществляется при температуре 70° С i[98]. Общий недостаток всех этих реактивов состоит в том, что все существующие фоторезисты не выдерживают взаимодействия с ними достаточно продолжительное время, чтобы вытравить несколько сотен ангстрем пленки 31з 4. Для преодоления этого препятств.чя с помощью рельефа рисунка по покрытию фоторезиста изготавливают защитные пленки из молибдена [ПО] или сплава хром — серебро [98]. Эти металлы не взаимодействуют с HF и она не проникает под пленки этих металлов, так что таким способом могут быть изготовлены сравнительно бездефектные рисунки. Сообщают об изготовлении таким способом отверстий диаметром около 7,5 мкм и прямых линий с четкими и резкими краями, [110]. Известно, что в качестве маскирующего покрытия применяют пленки ЗЮг и пленки 51зМ4. которые затем травятся горячей, концентрированной серной кислотой [113]. [c.610]

Свойства других травителей, состоящих из равных количеств концентрированной азотной кислоты и воды или азотной кислоты и глицерина (смеси концентрированной азотной кислоты и определенных органических соединений, например, спиртов, как известно, после продолжительного хранения самопроизвольно взрываются. Такие смеси хранить нельзя ), описаны Уотшем <[98]. Скорости травления не приводятся, но можно предполагать, что в этом случае получается очень хорошая четкость рисунка, потому что пленки серебра часто используют в качестве защитных при травлении нитрида кремния. Еще одним возможным, но еще не испытанным, составом для травления тонких пленок серебра являются растворы ферри-цианида с добавкой тиосульфата натрия, для того, чтобы предотвратить осаждение железосинеродистого серебра и железистосинеродистого серебра [69]. [c.611]

Высокая энергия бомбардирующих растущие пленки нитрида кремния частиц плазмы вызывает сжимающее механическое напряжение в пленках, величина которого может управляться с помощью ВЧ мощности в целях минимизации растрескивания пленок. В плазмоактивированных процессах ХОГФ образуются слои нитрида кремния не стехиометрического состава, которые содержат водород и обогащены кремнием. Обогащение кремнием приводит к низкой плотности пленок нитрида кремния и их высоким скоростям травления в стандартных жидкостных травителях (см. табл. 7). [c.131]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология