Лауэ условие молекулярный вес

Выражения (13.37) — (13.39) были получены для решетки, у которой в вершине каждой ячейки находится лишь один атом однако нетрудно показать, что аналогичные выражения справедливы для любого реального кристалла. Повторяющимся элементом является элементарная ячейка. Кристалл — решетка из элементарных ячеек, каждая из которых определена векторами а, Ь и С (рис. 13.12,А). Независимо от того, что находится внутри каждой ячейки — атом, одна или несколько молекул, — распределение электронной плотности в кристалле периодически повторяется в результате трансляций вдоль векторов а, Ь и С. Поэтому условия Лауэ остаются в силе и вырезают из структурного фактора только его значения в точках обратной решетки. Но структурный фактор теперь — это не атомный рассеивающий фактор. Это молекулярный структурный фактор, или структурный фактор элементарной ячейки, определяемый выражением (13.27). Чтобы показать это, полезно воспользоваться математической операцией свертки. [c.338]

В кристаллической одномерной молекулярной решетке N может достигать 10 (или больше). Поэтому структурный фактор становится очень большим всякий раз, как только sin(jrS а) приближается к нулю. Это происходит во всех случаях, когда величина S а приближается к целому числу. По сравнению с острым пиком рассеяния при целом S а все остальные значения F(S) пренебрежимо малы. Следовательно, интерференционная функция для линейной цепочки (ряда) точек (атомов) приводит к дискретной картине рассеяния. (В Дополнении 13.4 иллюстрируются подобные эффекты при оптической дифракции.) Вообше рассеяние может наблюдаться только для определенных относительных ориентаций объекта и детектора рентгеновских лучей. Этот результат носит название условия Лауэ [c.327]

Долгое время исследование явления эпитаксии носило макроскопический характер. При визуальном рассмотрении природных минералов было замечено, что кристаллы некоторых веществ срастаются не случайно, а вдоль строго определенных граней. Затем в лабораторных условиях при кристаллизации одного вещества на грани кристалла другого удалось установить, что в ряде случаев растущие кристаллы осадка закономерно ориентируются относительно подложки. Несмотря на отсутствие данных о внутреннем строении вещества, в связи с этими опытами были высказаны интересные соображения относительно того, что наличие или отсутствие закономерных срастаний связано с величиной молекулярных объемов исследуемых веществ [7], а также выдвинуты идеи о связи эпитаксии с некоторыми известными химическими свойствами срастающихся веществ [8]. Этот период изучения эпитаксии продолжался около столетия — до открытия Лауэ возможности с помощью дифракции рентгеновых лучей на кристаллической решетке определять- атомно-кристаллическую структуру веществ. [c.7]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология