Двойной электрический Гельмгольца Перрена

Рис. VII, 7. Двойной электрический (VII, 1) слой по Гельмгольцу — Перрену и соответствующий скачок потенциала.

Рис. VII, 19. Поведение двойного электрического слоя при электрокинетических явлениях а —схема двойного слоя по Гельмгольцу— Перрену б—схема двойного слоя с учетом диффузного слоя Гуи и адсорбционного слоя Штерна.

На границах раздела двух фаз различного химического состава, как правило, происходит перераспределение электрического заряда, связанное с переходом заряженных частиц (ионов, электронов) из одной фазы в другую. Это приводит к образованию заряда на поверхности одной фазы и равного, но противоположного по знаку заряда в другой фазе. Таким образом, на границе раздела фаз возникает двойной электрический слой. Теория двойных электрических слоев была впервые разработана Гельмгольцем [53] значительный вклад в эту теорию внесли Перрен [54], Гюи [55], Дебай и Хюккель [56]. [c.16]

Первоначально считали, что двойной электрический слой имеет плоское строение. Он уподоблялся конденсатору, одна обкладка которого расположена на поверхности металла, а вторая — в слое прилегающей к электроду жидкости. Расстояние между обкладками равно молекулярному диаметру (Перрен). При этом учитывалось только лишь проявление электростатических сил взаимодействия между зарядами противоположного знака (Г. Гельмгольц). [c.249]

На основе строения ССЕ и теории двойного электрическог1) слоя Штерна, но МОжны два случая. Первый характеризуется отношением hjr—>-0 в этом случае толщина двойного слоя П(з Гельмгольцу — Перрену на поверхности ядра ССЕ мала и приближается к монослою. Второй случай описывается отношением /г/г—оо. Для этого случая толщина двойного электрического слоя. значительна по сравнению с радиусом кривизны ядер ССЕ. Распределение молекул в адсорбционно-сольватном слое отличается от первого случая. [c.159]

Первые предположения о его образовании были сделаны Квинке. Строение двойного электрического слоя впервые было представлено Гельмгольцем и Перреном по аналогии со строением плоского конденсатора. Предполагалось, что, как и в плоском конденсаторе, на границе соприкасающихся фаз заряды располагаются в виде двух рядов разноименных ионов. Толщина слоя считалась близкой к молекулярным размерам или размерам сольватированных ионов. Потенциал слоя снижается на этом расстоянии линейно до нуля. Поверхностный заряд <7 определяется в соответствии с теорией плоского конденсатора уравнением (11.80) [c.54]

Строение двойного электрического слоя. Основываясь на экспериментальных данных, полученных Квинке при изучении электрокинетических явлений, Г. Гельмгольц предложил первую модель двойного электрического слоя. Согласно воззрениям Гельмгольца, в дальнейшем развитым М. Смолуховским и Ж. Перреном, двойной электрический слой рассматривается как заряженный плоский конденсатор. На поверхности находится слой ионов, называемых потенциалобразующими, а на некотором расстоянии от нее в жидкой фазе находятся, удерживаемые силой электростатического притяжения, ионы противоположного знака, называемые противоионами. Модель Квинке — Гельмгольца предполагает, что расстояние между плотным слоем противоионов и слоем потенциалопределяющих ионов повсюду одинаково. По условию электронейтральности удельные поверхностные заряды (поверхностные плотности зарядов) обенх составляюш,их частей двойного электрического слоя должны быть равны по абсолютной величине д+=д . Скачок потенциала для модели Квинке — Гельмгольца рассчитывается по известной формуле для плоского конденсатора 9=СД >1, в которой С—емкость плоского конденсатора на единицу площади, причем С = еео- - (еео — [c.87]

Теория этих явлений была дака сначала Гельмгольцем, а затем развита рядом других исследователей Смолуховским Перреном 2 и в последнее время Дебаем и Гюккелем . Для объяснения этих явлений Гельмгольц предполагал, что при соприкосновении какой-либо твердой поверхности с жидкостью граница, разделяющая фазы, несет двойной электрический слой, причем твердое тело обычно заряжается положительно и на ого поверхности находятся положительные заряды, а к жидкости обращены заряды отрицательные (рис. 62). Эти отрицательные заряды расположены в жидкости и возникают таким же путем, как и ири трении. Совершенно ясно, что при таком распределении зарядов суспендарован- Жадг/ость ные частицы со своими окружаю- [c.201]

Во всех случаях, когда используется это выражение, следует иметь в виду, что входящие в него е п т] являются эффективными величинами. В этом случае можно применять все уравнения, иолученные при помощи элементар-но теории электрокинетических явлении. Не следует забывать, что Гельмгольц в сущности но делал никаких специальных предположений о структуре двойного электрического слоя. Не Гельмго.тьц, а Перрен использовал представление о плоском конденсаторе в теории электро-кинетическпх явлений. На основании изложенного выще можно сделать вывод, что рассмотренный удобный и простой метод расчета можно успешно использовать при условии, что электрические и гидродинамические константы, обусловливающие электрокпнетическпе явления, рассматриваются как усредненные, эффективные величины. Такая приближенная теория обычно удовлетворнте.льно объясняет ряд свойств коллоидных систем. [c.116]

Подробнее это явление в 1852 г. исследовал Видеман, затем Квинке (1861) и Гельмгольц (1879) именем последнего был назван установленный им двойной электрический слой на границе фаз. К оличественные законы были даны Ламбом, Смолу-ховским, Перреном и др. [c.202]

По классическим представлениям о двойном электрическом слое (впервые высказанным Квинке, а затем развитым р. обшем виде Гельмгольцем и применительно к коллоидным системам разработанным Перреном) вокруг каждой коллоидной частицы ионы с противоположными зарядами располагаются двойным слоем наподобие своеобразного конденсатора. Внутреннюю обкладку такого конденсатора составляют ионы, находящиеся на поверхности частицы и составляющие с этой частицей как бы одно целое это потенциалобразующие ионы. [c.119]

Булл, Гортпер, Иенсен [14,15] вообп1,е предпочитают оперировать с э.лектрическим моментом двойного электрического слоя, а не С-потенциа-IOM. Гуггенгейм [16] высказал миение, что болео точной является классическая формула Гельмгольца, не включающая диэлектрической постоянной, введенной Перреном. [c.319]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология