Фотосопротивление сернисто-свинцовое

Электрическая цепь, к которой присоединяются измерительные устройства, составляется таким образом, что гальванометр отклоняется пропорционально интенсивности пропускаемого излучения. Для детектирования при длинах волн не больше 2—3 мк можно использовать сернисто-свинцовое фотосопротивление. [c.77]

Как фотографическая пластинка, так и фотоэлементы с запирающим слоем и с внешним фотоэффектом нечувствительны к инфракрасному излучению с длиной волны примерно больше 1 р.. Такое излучение может быть обнаружено и измерено по вызываемому им нагреванию или чувствительной термопарой или термометром сопротивления болометром). Электрическая цепь, к которой присоединяются измерительные устройства, составляется таким образом, что гальванометр отклоняется пропорционально интенсивности пропускаемого излучения. Для детектирования при длинах волн не больше 2 или 3 х можно использовать сернисто-свинцовое фотосопротивление. [c.266]

Рис. 3.21, К изменению Нт сернисто-свинцового фотосопротивления в зависимости от температуры слоя

Как видим, спектральная характеристика приемника определяет возможность обнаружения того или иного объекта. Например, с помощью сернисто-свинцовых фотосопротивлений выгоднее обнаруживать более нагретые предметы, а с помощью германиевых — менее нагретые (по формуле (1.33) Ятах = 2898/7 ). [c.137]

Температурная характеристика определяет изменение параметров приемника от температуры чувствительного слоя. Внутреннее сопротивление сернисто-свинцового фотосопротивления изменяется почти на порядок при снижении температуры слоя от комнатной до —78° С. Легко убедиться, что такое изменение сопротивления приведет к значительному увеличению фототока, а следовательно, и чувствительности приемника. Повышение чувствительности при охлаждении можно объяснить уменьшением энергии электронов, противодействующих протеканию тока сигнала одновременное уменьшение шумов при снижении температуры следует из формул (3.32) и (3.35). [c.138]

Например, для неохлаждаемого сернисто-свинцового фотосопротивления и черного тела с Г=600°К, характеристики Sx и х которых изображены на рис. 3.31, 01=1,5 см а 02=50 см . [c.143]

Например, для неохлаждаемого сернисто-свинцового фотосопротивления известны значения Фп = 5-10- вт гц и 5п = 10 000 е/вг, измеренные для источника излучения с 7 п=500°К (227°С). [c.144]

Мозаика состоит из 30 элементов размером 1X2 мм, расположенных вертикально. Элементами служат сернисто-свинцовые фотосопротивления. Мгновенное поле зрения оптической системы и одного элемента в горизонтальной плоскости (по азимуту) 2,7°, в вертикальной (по углу места) 1,3°. [c.235]

Излучение обнаруживаемого космического объекта фокусируется на входную щель монохроматора зеркальным объективом 2 диаметром 200 мм с фокусным расстоянием 1000 мм. Развертка по спектру производится качающимся зеркалом 1, частота сканирования которого может меняться от 2,5 до 180 гц. В процессе работы производится непрерывная запись интенсивности ИК-излучения в пределах 0,3—3,6 мк. Чувствительными элементами монохроматора являются сернисто-свинцовое фотосопротивление 3 и термоэлемент 4. [c.273]

Для измерения спектров применялась установка, состоящая из зеркального монохроматора с дифракционной решеткой, сернисто-свинцового фотосопротивления, усилителя переменного тока и самописца. Источником возбуждения в этом случае служила лампа СВД-250. [c.5]

Полупроводниковые свойства сульфидов уже давно используют в науке и технике. Так, сульфид кадмия находит широкое применение в фотоэлектрических, регистрационных и регулировочных устройствах, например на основе сульфида кадмия изготовляют полевые фототриоды, так называемые диэлектрические диоды и триоды. Фотосопротивления, изготовленные из dS, превосходят в видимой области света по своей чувствительности все другие подобные устройства. Сульфид свинца обладает высокой чувствительностью к инфракрасному излучению и используется в качестве приемника ИК-излучения. Сернисто-свинцовые сопротивления — одни из самых распространенных для ИК-области спектра. [c.284]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология