Дислокации образование

Рис. 100. Схематическое представление распространения трещины в а-сплаве при коррозионном растрескивании (с+а) — дислокации, образованные в вершине трещины или вблизи ее, продвигаются вдоль плоскости скольжения А и сталкиваются с границей зерна ХУ (заметим, что если полоса скольжения узкая, то вершина трещины остается острой) / — трещина 2 — трещина после сдвига 3 — плоскость скола.

Интенсивность такого взаимодействия зависит от скорости движения кристаллов в суспензии, т. е. от скорости ее перемешивания. Соударения кристаллов приводят к появлению сильно деформированных участков в зоне их непосредственного контакта, сдвигов и отдельных дислокаций, разбросанных вокруг этой зоны [50, 52, с. 35]. При повторных соударениях дислокации, образованные ранее, перемещаются под влиянием ударных волн, что вызывает образование вакансий и стимулирует движение примеси в приповерхностной зоне твердой фазы [51]. [c.24]

Рис. 21. Дислокации, образованные за счет микросегрегации и выявленные методом термального травления ямок у границ ячейки (ср. с рис. 17) [76].

Однако такая интерпретация требует осторожности, так как и энергии активации других процессов, таких, как самодиффузия, образование внедренных атомов (т. е. внутренняя сублимация ), движение дислокаций со ступеньками, пересечение дислокаций, образование на дислокациях двойных перегибов, отрыв дислокаций от препятствий и т. д., также близки по величине к энергии сублимации. Кроме того, нетрудно комбинацией из нескольких разных процессов получить суммарную энергию активации, совпадающую по величине с сублимационной. [c.125]

Повышенная химическая активность сохраняется достаточно долго, до тех пор, пока не исчезнут обусловленные механической активацией дефекты структуры. К их числу относятся образование новой поверхности, диспергирование сдвиговые напряжения в решетке и искажения типа дислокаций образование твердого продукта механолиза. С увели- [c.212]

При определении концентрации и вида Р. д. важно учитывать не только процессы, приводящие к образованию Р.д. в кристаллич. решетке, но и обратные процессы (нанр., рекомбинация парных дефектов), ускоряющиеся при повышении темп-ры облучаемого кристалла (отжиг). В процессе отжига может происходить ие только уменьшение концентрации точечных дефектов, но и агрегация их, приводящая к появлению линейных дефектов кристаллич. решетки — дислокаций. Образование Р.д. в кристаллах может приводить к существенному изменению физич. и химич. свойств твердых тел. При этом в результате облучения может происходить как нарушение равновесных состояний в твердом теле, так и приближение к равновесию систем, к-рые находились до этого в метастабильном состоянии. Следствием облучения может быть изменение механич. свойств, электропроводности, оптпч. свойств, магнитной восприимчивости, плотности и других физич. свойств кристаллов. Появление Р. д. [c.217]

Перечисленные выше дефекты кристаллической решетки относятся к точечным, не выходящим за пределы элементарной ячейки. Наряду с ними реальные кристаллы могут иметь протяженные дефекты — микротрещины и мозаика, открытые и закрытые микрокаверны, краевые и винтовые дислокации. Образование этих дефектов является предметом изучения физики и химии твердого тела. [c.221]

Котт релл [98, с. 30—58 152] предложил модель образования зародыша трещины при пластической деформации, сущность которой сводится к следующему дислокации могут двигаться в двух пересекающихся плоскостях скольжения. У линии пе ресечения полос скольжения лроисходит слияние дислокаций— образование раскалывающей дислокащии (рис. 33). Это слияние приводит к образованию концентратора напряжений и сопровождается значительным локальным искажением. [c.120]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология