Дефекты линейные

В противопо-ложность точечным дефектам, появление которых в решетке кристалла повышает его энтропию и тем самым снижает его свободную энергию, дислокации и межзеренные границы мало влияют на энтропию кристалла энергия образования этих протяженных дефектов велика, и поэтому они не могут существовать в измеримых концентрациях как термодинамически устойчивые дефекты. Линейные и поверхностные дефекты легка образуются при выращивании монокристаллов и при приложении к ним неоднородных термических и механических воздействий. Поскольку эти дефекты при небольших концентрациях распределены по объему кристалла неравномерно, нарушение свойств кристалла, обусловленное их присутствием, локализовано в небольших объемах, окружающих дислокации или границы. Вблизи дислокаций или межзеренных границ свободная энергия кристалла имеет по сравнению с энергией частей кристалла, удаленных от него, повышенное значение. Следовательно, при взаимодействии кристалла с внешней средой кинетика процессов, протекающих вблизи дефектов на поверхности или в объеме кристалла, будет иной, и однородность свойств кристалла будет нарушена. [c.222]

В общем случае величина а Т. т. зависит от механизма рассеяния носителей заряда, к-рое может происходить на тепловых колебаниях атомов (ионов), нейтральных и заряженных собств. и примесных точечных дефектах, линейных, поверхностных и объемных дефектах кристаллич. решетки. В случае металлов а имеет электронную природу и подчиняется закону Ома. Для металлов характерно уменьшение а с т-рой. В отличие от металлов у полупроводников с повышением т-ры а увеличивается вследствие значит, возрастания концентрации своб. носителей заряда. В диэлектриках осн. носители заряда-ионы, вследствие чего а сопровождается переносом в-ва. Электронная проводимость диэлектриков возникает лишь при высоких электрич. напряжениях, близких к пороговым и соответствующих пробою. Как и в полупроводниках, о возрастает с повышением т-ры. [c.502]

Линейные дефекты. Линейные дефекты, или дислокации, относятся к наиболее хорошо изученным дефектам кристаллической [c.175]

Слово нематик придумал Ж. Фридель. Оно происходит от греческого ут)) (нить) и связано с определенными нитеподобными дефектами, обычно наблюдаемыми в этих материалах. Физическая природа этих дефектов ( линейных дисклинаций ) будет обсуждаться в гл. 4. [c.20]

Бочков В.Е. Применение спутниковой навигации при определении местоположения дефектов линейной части магистральных газопроводов на основе геодезического позиционирования // Газовая промышленность. - 2005. - Nq 3. [c.128]

Можно Привести еще ряд примеров аварий, происшедших при подобных обстоятельствах. На магистральных трубопроводах аварии чаще всего происходят в линейной части (на трубах, на линейной арматуре и на фасонных деталях — тройниках, крестовинах, отводах и т. п.). Опыт эксплуатации свидетельствует о том, что в первые годы аварии обусловлены заводским и строительно-монтажным браком, а после 10—20 лет работы — коррозией металла. Аварии на трубопроводах могут быть вызваны сварочным, металлургическим, коррозионным или строительным дефектами, а также отклонением от номинальных условий эксплуатации (гидравлический удар, переохлаждение стенок труб, подмыв основания траншеи и т. п.). [c.110]

Поверхностные дефекты, наблюдаемые на поверхности кристаллического тела или на границе кристаллов между собою, представляют собой комбинации большого числа различных точечных и линейных дефектов. [c.163]

На рис. 90 приведены концентрационные градиенты (по Вагнеру) в окислах с избытком и недостатком металла при разных давлениях кислорода в предположении линейности распределения дефектов. [c.130]

Для проверки состояния рамы проводят ее наружный осмотр, позволяющий обнаружить видимые трещины, поломки, забоины, наклеп, раковины, отставание от фундамента и другие видимые дефекты обмеряют линейным измерительным инструментом, позволяющим установить изгиб строганых поверхностей по длине и ширине рамы, размеры и направления уклона рамы, глубины забоин, раковин, трещин и т. д. осуществляют гидравлические испытания в масляной ванне, позволяющие установить место течи. [c.214]

Для подготовки и проведения остановочного ремонта необходима следующая документация ведомость дефектов сметы план организации ремонта (по необходимости) график сетевой (линейный) чертежи, схемы на ремонтируемые объекты технические условия на капитальный ремонт основных объектов. [c.130]

При подготовке к ремонту составляют ведомость дефектов, проект организации работ, сетевой или линейный график ремонта, схему обеспечения безопасной работы производства. [c.384]

Максимально допустимый линейный размер дефекта, мм [c.489]

Рентгеноструктурные и микроскопические исследования моно-и поликристаллов природного графита позволяют обнаружить в них ряд отклонений от идеальной упаковки атомов в гексагональной решетке графита (рис. 5-5) в виде линейных дефектов в основном дислокационной природы. Дислокационная структура графита определяется следующими сочетаниями направлений линейных дислокаций (ЛД) и векторов Бюргерса (ВБ) [1-3] [c.239]

Контроль сплошности основного металла (в объеме от 15 до 30%) сосудов и трубопроводов ультразвуковым методом в соответствии с [100, 103, 114-116] и специальными методиками, учитывающими специфику развития водородного расслоения, проводят в зонах шириной 200 мм по обе стороны от контролируемых сварных швов и ПОУ. Остальные зоны обследуют согласно карте контроля. УЗК основного металла конструкции осуществляют с помощью прямого раздельно-совмещенного преобразователя (частота 4-5 МГц, рабочий диаметр не более 18 мм) путем многократного дискретного линейного сканирования дефектного участка конструкции в продольном направлении с шагом не более 20 мм. В области контура дефекта и в примыкающей к ней зоне шириной 100 мм шаг сканирования не должен превышать 10 мм. При малых размерах дефектов в плане (менее 50 мм) и их условной высоте более 20% толщины стенки конструкции проводят сплошное сканирование. Условные линейные размеры протяженных (более 50 мм) дефектов определяют с точностью не менее одного шага сканирования, а глубину их залегания — не менее 0,3 мм. [c.162]

Установлено, что в некоторых случаях смещение кромок (А 0,5) способствует повышению прочности сварных соединений с непроваром в центре шва (рис.5.31,а и б). В условиях опыта прочность сварных соединений из стали 16 ГС и 09 Г2С не ниже временного сопротивления основного металла, вплоть до значений относительной глубины непровара ти=0,4 (рис.5.31,а). Дальнейшее увеличение параметра mh приводит к снижению прочности примерно по линейному закону. При фиксированном значении шь (тн 0,35) увеличение смещения кромок А приводит к росту прочности и при некотором критическом значении Акр достигается равнопрочность сварного соединения и основного металла (рис.5.31,б). При этом многие образцы разрушались по основному металлу вдали от шва с дефектом (затушеванные точки на рис.5.31,6). [c.332]

Зависимость критической глубины дефектов от логарифма времени выдержки близка к линейной (рис.5.39,6). При т 10 часов в этой зависимости наблюдается перелом, характерный для временных зависимостей прочности. Экспериментальная зависимость = ((х) аппроксимируется формулой [c.358]

В настоящее время достоверно установлено, что процессы деформации и разрушения связаны с эволюцией таких структурных элементов твердых тел как вакансии и дислокации, которые воспринимаются как точеные и линейные дефекты, а также дефектов, связанных с внедрением чужеродных атомов. Многократно экспериментально подтверждено, что любому разрушению предшествует пластическая деформация [88,89], элементарным актом которой является перемещение дислокаций в соседнее положение [90]. [c.143]

Изменение условий виброизмельчения — амплитуды и частоты вибрации, отношения массы шаров к массе графита — не позволяет резко уменьшить размеры частичек [6-143], но дает возможность получить различную концентрацию дефектов, которые в основном проявляются через образование микротрещин. Во всем интервале получаемых размеров наблюдается линейная связь толщины чешуйки с ее диаметром. [c.369]

При анализе выражения (11.12) понятия простоты для математической и физической модели существенно различаются. Простые функции p(>v) могут иметь очень сложный физический смысл. Особенно трудно объяснить наиболее простую с математической точки зрения равномерно неоднородную поверхность, когда p(X)= onst. Функция p( )= onst не может быть связанной со структурной неоднородностью поверхности, так как ей отвечает одинаковое количество адсорбционных мест для элементов кристаллической решетки с различной размерностью (точечные дефекты, линейные дефекты и ребра кристаллов, плоские поверхности), что принципиально невозможно. [c.26]

Стехиометрические нарушения, а также инородные примеси неизбежно вызовут местные искажения геометрического порядка в кристалле. Все эти нарушения могут в ряде случаев привести к тому, что кристалл окажется разделенным трещинами на отдельные микрокристаллические блоки, в той или другой степени скрепленные друг с другом. Такое блочное строение характерно для многих кристаллических тел (например, различные силикагели, алюмогели, активированный уголь и др,), имеющих важное значение в гетерогенном катализе. Таким образом, в реальном кристалле, кроме обусловленных термодинамическими причинами тепловых дефектов, имеются необратимые нарушения, связанные с историей образования данного образца, так называемые биографические дефекты. Поскольку нарушения решетки приводят к энергетической неравноценности отдельных элементов кристалла, наличие этих нарушений облегчает образование и дополнительного количества тепловых дефектов, число которых может быть значительно больше, чем в идеальном кристалле. Отклонения от свойств идеального кристалла могут быть обнаружены и экспериментально. Так, сухие кристаллы поваренной соли разрушаются при натяжениях порядка 4 кГ/см , в то время как теоретический расчет дает величину порядка 200 кГ1см . Если же эксперимент проводить с кристаллом, погруженным в насыщенный раствор соли, т, е, в условиях, когда возможно залечивание микродефектов, опытная нагрузка приближается к теоретической. Изучение интенсивности отражения от кристалла рентгеновских лучей (Ч, Г. Дарвин) показало, что многие кристаллические тела состоят из совокупности микрокристаллов, повернутых друг к другу под различными углами. При этом было установлено, что для большинства кристаллических тел линейный размер отдельных блоков равен 10 -ь10- см. Такой же результат был получен и при исследовании лауэграмм механически деформируемых кристаллов (А. Ф. Иоффе). Объемная блочная [c.340]

Дефекты структуры реальных кристаллов разнообразны. Прежде всего, различают точечные, линейные и поверхностные дефекты. Простейшие и в то же время важнейшие точечные дефекты это незанятые узлы решетки или вакансии и атомы, находящиеся в междуузлиях. Существование таких дефектов связано с тем, что отдельные атомы или ионы решетки имеют энергию, превышающую ее среднее значение при данной температуре. Такие атомы колеб- [c.162]

Линейные дефекты структуры называются дислокациями. Простейший вид днслокации — краевая дислокация. Она представляет собой край одной из атомных плоскостей, обрывающейся внутри кристалла. Дислокации возникают как в процессе роста кристаллов, так и при местных механических, тепловых и других воздействиях на кристаллы (см., например, рис. 142, а, б на стр. 538). На рис. 02 изображена краевая дислокация (линия АВ), возникшая в результате сдвига части кристалла по плоскости АВСО в направлении, указанном стрелкой. [c.163]

Прочность металлов в среднем на два порядка меньше теоретической прочности бездефектного кристалла сТтеор (сгтеор 0,1 Е). Такое различие обусловлено тем, что термодинамически вероятно наличие в металле достаточно высокой плотности дефектов кристаллического строения еще до деформации. Пластичность - как свойство подвергаться остаточному формоизменению - реализуется при деформации путем скольжения (трансляционного и зернограничного) и двойникования структурных элементов. Причем процесс скольжения не является результатом одновременного смещения атомов соседей. Процесс скольжения осуществляется путем последовательного смещения отдельных групп атомов в областях с искаженной решеткой. Нарушение кристаллической ре-ше йси означает, что их атомы выведены из положения минимума потенциальной энергии. Поэтому для их смещения требуется меньше энергии и напряжения. Наиболее распространенными дефектами кристаллической решетки являются линейные дефекты - дислокации (винтовые и краевые). Под действием приложенных напряжений про- [c.77]

Остановимся лишь на пределе прочности при растяжении. Зная характер связей между частицами, энергию этих связей и другие параметры, можно путем теоретического расчета приближенно оценить величину предела прочности при растяжении. У некоторых веществ теоретически рассчитанные параметры прочности удовлет-ворительно согласуются с опытными данными. Однако значения предела прочности, получаемые из опытных данных, для линейных полимеров (и ряда других групп материалов) большей частью оказываются много ниже, чем рассчитанные. Это связано с тем, что в результате наличия разных трудно учитываемых дефектов в структуре материала (трещины, инородные включения и пр.) показатели прочности материала сильно искажаются обычно в сторону снижения. [c.587]

ГЧ УЛьпые кристаллы. Кристаллы, состоящие из соверщенно оди-нaк JBыx элементарных ячеек, называются идеальными. Образующиеся в реальных условиях кристаллы могут несколько отличаться от кристаллов идеальных. Реальные кристаллы построены из некоторого числа блоков правильного кристаллического строения, расположенных приблизительно параллельно друг другу, ио все же несколько дезориентированных. Это явление называется мозаичностью структуры кристаллов, которая ведет к возникновению дислокаций, т. е. линейных, а также поверхностных и объемных дефектов структуры, образующихся 1з процессе роста кристаллов или же при пластической деформации. Помимо дислокаций в реальных кристаллах образуются также участки неупорядоченности, локализованные обычно около отдельных узлов решетки, — так называемые плоские дефекты. [c.72]

Стальной вертикальный резервуар (РВС) в расчете на прочность представляется как композиция оболочечньгх элементов, соединенных между собой в узлах сопряжения кольцевы.ми эле.ментами. Оболочечными элементами являются пояса с-тенки РВС, днище, верхнее покрытие и кольцевыми элементами - узлы сопряжения днища с нижним поясом, верхнего пояса с покрытием и поясов стенки между собой. Для серединной поверхности оболочечньгх элементов вводятся векторы обобщенных перемещений и, вектор обобщенных деформаций и вектор обобщенных усилий N. Локальные дефекты геометрии стенки РВС задаются как отклонения от правильной цилиндрической формы в отдельном поясе стенки через начальные прогибы срединной поверхности оболочечного эле.мента. Составляются в геометрически нелинейной постановке кинематические соотнощения и уравнения равновесия оболочечных элементов с учето.м начальных прогибов и деформации координатных осей. Физические соотношения принимаются линейными. [c.172]

Ведомость дефектов (ВД) служит основанием для определения объемов ремонтных работ по видам, необходимых для ремонта материальных ресурсов, распределения их по отдельным o ъeктaм ремонта (единицам оборудования), составления смет, разработки сетевых нли линейных графиков, технологических карт производства работ на отдельных объектах ремонта, общей организации и технологии ремонта всего технологического комплекса. [c.158]

Пикнометрическая плотность по этиловому спирту отражает плотность упаковки кристаллов с учетом межкристаллитовых пор и структурных дефектов соответствующих размеров. Показатель du весьма важен как фактор суммарной оценки степени упорядочения структуры того или иного типа кокса. Меньшие чем 2,08 г/см значения пикнометрической плотности отражают неудовлетворительные структурные характеристики, в том числе повышенный коэффициент линейного термического расширения. [c.35]

Наружная поверхность кату шки К-1 также содержала дефекты в виде язвенной коррозии (глубина — 8 мм, линейные размеры — 145x65 мм). По расчетным данным разрывное давление этой катушки составляло 120-150 атм. [c.197]

В данной монографии мы рассмотрим физическую природу образования дефекта на примере линейных термопластов и эластомеров (табл. 1.1). Известно, что эти материалы имеют широкий диапазон свойств, хотя и состоят из подобных молекул. Их молекулы преимущественно линейные, гибкие имеют высокоанизотропные (невытянутые) цепи с молекулярными массами 20000—1 000000 и более. На рис. 1.9 представлена цепная молекула полиамида-6 (ПА-6) в невытянутом состоянии с произвольным выделением сегментов, а на обведенной вставке показано ее основное звено. Относительные положения атомов и часть объема, занятая ими в цепи, иллюстрируются с помощью модели Стюарта для сегмента полиамида (рис. 1.10). Действительный размер распрямленного сегмента —1,97 нм. Если бы к такому сегменту можно было приложить напряжение вдоль оси цепи, то изгиб и растяжение основных связей обеспечивали бы в результате жесткость цепи 200 ГПа [15], в то время как межмолекулярное взаимодействие сегментов вследствие более слабых вандерваальсовых сил обеспечивает жесткость только 3—8 ГПа в направлении, перпендикулярном оси цепи. Характерные свойства твердых полимеров, а именно анизотропия макроскопических свойств, микронеоднородность и нелинейность, а также сильная временная зависимость [c.12]

Механизмы искажения полос ИК-поглощения напряженных полимеров детально исследовались Губановым [7—9], Кособу-киным [13], Веттегренем и Новаком [15], а также Вулом [36]. Авторы этих работ пришли к общему согласию, что искаженный профиль полосы ИК-поглощения D(v) может быть связан с большим числом независимых осцилляторов, с сильным перекрытием полос поглощения, максимумы которых имеют различные частотные сдвиги. Показано, что возможные причины сдвига частоты отдельных осцилляторов под напряжением связаны с квазиупругим деформированием гармонического осциллятора (уменьшением силовой константы под действием напряжения), с увеличением упругости угловых связей, с изменениями конформационных состояний сегментов и образованием дефектов. В работах [4—16, 36] показано, что при малых деформациях первым трем механизмам вполне соответствует линейная зависимость частоты от молекулярного напряжения 1 5 [c.231]

Мезофазные сферы в момент их возникновения и при последующем росте, по данным световой микроскопии в поляризованном свете, а также дифракционного и рентгеноструктурного анализов, являются оптически одноосными положительными кристаллами гегсагональной системы. Показанные на рис. 2-4, а изгибы слоев приводят к тому, что на краях они перпендикулярны к касательной поверхности сферы. Это, по-видимому, способствует начальной коалесценции. В условиях относительно низкой подвижности мезофазы и случайной взаимной ориентации коалесцирующих сфер образования простой слоистой структуры не происходит. При этом возникают структуры, отличающиеся множеством дефектов упаковки слоев линейных, изгибов, нарушений непрерывности. Исследования профилей рефлексов (002) рентгенограмм мезофазы с учетом эффектов гьбсорбции и поляризации рентгеновских лучей, а также фактора рассеяния атомов углерода показывают, что средние значения межслоевого расстояния 002 равны примерно 0,350 нм [2-89]. Отдельные пачки слоев с разными значениями межслоевого расстояния имеют размеры до 2 нм. При нагревании сферы мезофазы могут расщепляться и приобретать относительно плоскую конфигурацию. То же происходит и при графитации мезофазы. Флуктуация межслоевых расстояний у графитирующейся мезофазы наивысшая. [c.46]

При термоциклировании происходит накопление повреждений в материале [9-17]. В связи с отличием в коэ( )фициен-тах линейного термического расширения углеродного волокна и связующего возникают знакопеременные напряжения, которые вызывают образование дефектов. Их число увеличивается с уменьшением предельной деформации до разрушения компонентов. С понижением температуры до криогенных значений (4,2 К) предельная деформация термореактивных смол снижается и он становятся хрупкими [9-43]. [c.538]

Физическая химия (1978) -- [ c.591 ]

Химия твердого тела Теория и приложения Ч.2 (1988) -- [ c.0 ]

Очерки кристаллохимии (1974) -- [ c.266 ]

Кинетика гетерогенных процессов (1976) -- [ c.71 ]

Введение в физическую химию кристаллофосфоров (1971) -- [ c.81 ]

Химия несовершенных ионных кристаллов (1975) -- [ c.0 ]

Введение в химию полупроводников Издание 2 (1975) -- [ c.50 ]

Курс общей химии (0) -- [ c.81 ]

Курс общей химии (0) -- [ c.81 ]

Предмет химии (0) -- [ c.81 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология