Пассивация катодная граней кристалл

Скорость роста металлического катодного осадка в различных направлениях зависит от режима электролиза. При низких значениях поляризующего катодного тока и незначительном смещении катодного потенциала от равновесного значения может произойти замедление роста кристалла в отдельных направлениях и кристалл начнет расти только в одном направлении, приобретая нитевидную форму. Такая форма наблюдается при кристаллизации серебра из раствора азотнокислого серебра в присутствии некоторых добавок, например олеиновой кислоты. Это связано с тем, что при малых плотностях тока происходит пассивация всех, кроме одной, граней кристалла за счет адсорбции на них поверхностно-активных веществ, которые всегда содержатся в растворе. Адсорбция поверхностно-активных веществ на гранях кристалла позволяет на одной из граней поддерживать даже при малой силе тока такую плотность тока, которая превышает скорость поступления к этой грани поверхностно-активных веществ и обеспечивает рост этой грани. [c.160]

Изложенные представления о росте кристалла весьма упрощенны. В реальных условиях электролиза мы сталкиваемся с торможением или даже- полным прекращением роста кристаллов в результате катодного пассивирования. Пассивирующим фактором может быть, например, адсорбция на поверхности грани Поверхностно-активных веществ, находящихся в электролите. Пассивация может иметь место также в результате химического взаимодействия металла с электролитом, приводящего к образованию окисных, сульфидных и других пленок. [c.126]

Скорость роста металлического катодного осадка в различных направлениях зависит от режима электролиза. При низких значениях поляризующего катодного тока и незначительном смещении катодного потенциала от равновесного значения может произойти замедление роста кристалла в отдельных направлениях, и кристалл начнет расти только в одном направлении, приобретая нитевидную форму. Такая форма наблюдается при кристаллизации серебра из раствора нитрата серебра в присутствии некоторых добавок, например олеиновой кислоты. Это связано с тем, что при малых плотностях тока происходит пассивация всех, кроме одной, граней кристалла за счет адсорбции на них поверхностно-активных веществ, которые всегда содержатся в растворе. Адсорбция поверхностно-актив- [c.144]

Возможными причинами неоднородного роста являются неравномерная диффузия и скорость роста отдельных граней кристалла, пассивация поверхности и др. Действие указанных факторов усиливается при увеличении плотности тока и толщины осадка. Перечисленные факторы" носят статистический характер, что позволило Гнусину и Коварскому [1] сделать предположение, что локальная толщина катодного осадка на достаточно большом участке электрода подчиняется закону распределения, близкому к нормальному. Указанными авторами был изучен целый ряд гальванических покрытий при различных условиях осаждения и было показано, что нормальное распределение металла в шероховатом слое является правилом. Однако Гнусиньш и Коварским исследовались покрытия небольшой толщины, полученные при низких плотностях тока (сотни а/м ) с шероховатостью, достигающей нескольких микрон (2—3 мк). Для осадков, имеющих дендриты или шишкообразные наросты, нормальный закон распределения металла в шероховатом слое резко нарушается. Таким образом, шероховатость изученных авторами образцов носила кристаллический характер и была обусловлена неравномерной скоростью роста отдельных кристаллов или граней кристаллов. [c.46]

При электроосаждепии серебра из раствора азотнокислого серебра наблюдается явление, которое часто называют катодной пассивацией граней растущего кристалла [119]. Однако механизм его отличается от механизма обычной пассивации металлов, о которой будет идти речь в следующей главе. [c.69]