Граны

Объяснить причину возникновения изомерии только с помощью структурных формул Кекуле невозможно. Первый шаг в этом направлении был сделан в 1848 г. французским химиком Луи Пастером (1822—1895). Кристаллизуя из водного раствора винограднокислый натрий-аммоний при комнатной температуре, Пастер обнаружил, что образованные в этих условиях кристаллы асимметричны. Причем наблюдаются две формы кристаллов правая и левая (при одинаковой ориентации кристаллов небольшая характерная грань у одних кристаллов находилась слева, а у других — справа). Пастер сумел под увеличительным стеклом при помощи пинцета тщательно разделить оба типа кристаллов. Свойства растворов этих кристаллов оказались полностью идентичными исключение составляла только их оптическая активность — растворы обладали противоположным вращением. Превратив кристаллы, обладающие в растворе правым вращением, в кислоту, Пастер обнаружил, что получил известную ранее природную правовращающую винную кислоту, из кристаллов другого типа получался ее оптический изомер — ранее не известная левовращающая винная кислота. Отсюда Пастер сделал вывод, что в кристаллах виноградной кислоты содержится равное количество молекул право- и левовращающих винных кислот и именно поэтому виноградная кислота оптически неактивна. Соединения, подобные виноградной кислоте, стали называть рацемическими (от латинского названия виноградной кислоты). [c.87]

Неметаллические материалы. При изготовлении химических аппаратов для целого ряда активных коррозионных сред наиболее целесообразно применять неметаллические материалы пластические массы (фаолит, винипласт, полистирол), стеклопластик керамику, фарфор, природные кислотоупоры (андезит и гранит). Указанные материалы широко применяют в качестве самостоятельных конструкционных материалов для соответствующих сред, температур и давлений. [c.66]

Рис. 40. Структуры диаграмм процессов в системе с химическим взаимодействием компонентов, а-Развёртка граней концентрационного тетраэдра с траекториями процесса открытого испарения б — концентрационный тетраэдр АВС с поверхностью химического равновесия, разделяющей плоскостью областей ректификации ВМО и плоскостью химического взаимодействия АВд чистых исходных реагентов А и В в-плоскость химического взаимодействия АВд чистых исходных реагентов А и В кривая АНВ —линия химического равновесия В,Ч — разделяющая линия областей ректификации пунктирные линии — траектории химической реакции (траектории изменения составов псевдоисходных смесей) г - качественные траектории открытого испарения п различных областях ректификации четырехкомпонентной системы.

Патентный фонд по теме огромен. Это, прежде всего, биографии замечательных людей, воспоминания. Затем — художественные произведения, например Жан Кристоф Ромена Роллана. Наконец, произведения на грани художественной и документальной литературы — Как закалялась сталь Н. Островского, Жизнь Бережкова А. Бека и т. д. [c.216]

Рис. 23.1. Модель растворяющейся грани кристалла металла с указанием энергетически неравноценных положений отдельного структурного элемента

Поскольку плотность упаковки неодинакова для граней разного индекса, то скорость их роста также должна быть различной. Можно, однако, с целью более общего рассмотрения проблемы временно игнорировать это различие, предполагая, что существенным является взаимодействие нового структурного элемента только с элементами кристалла, находящимися о ним в непосредственном контакте. Тогда в начальный момент роста грани присоединение новых структурных элементов, например атомов металла, на плоскости [c.336]

На рис. 16.5 показана винтовая дислокация, в результате которой на поверхности грани появляется мономолекулярный выступ. Присоединение уже первого структурного элемента к краю дислокации приводит к выигрышу эн( ргии 2а н обеспечивает появление повторяющегося шага с выигрышем энергии За. За счет присоединения новых элементов дислокационный выступ будет продвигаться в направлении I. Одновременно с этим у центра дислокации О появится другой выступ, перпендикулярный к ее первоначальному направлению, также способный к дальнейшему росту, но уже в направлении 2. У нового центра дислокации вновь возникают благоприятные условия для реализации повторяющегося шага в направлении 3 и таким образом спустя некоторое время после включения тока первоначальная дислокация разовьется в спиральный фронт роста. На иоверхности грани может быть не одна, а боль- [c.338]

Все изложенные соображения относятся лишь к грани кристалла определенного символа. При катодном выделении металлов, как правило, образуются поликристаллические осадки, т. е. осадки, состоящие из большого числа связанных между собой мелких кристаллов (или зерен) с гранями различных символов, что осложняет картину процесса. Одно из этих осложнений связано с тем, что грани различных символов растут с неодинаковой скоростью, и характер осадка изменяется в процессе электролиза. Для характеристики катодных осадков наряду с кристаллографической структурой используются поэтому и такие понятия, как структура роста, текстура и характер осадка. [c.343]

Измерения, проведенные с монокристаллами различных металлов (меди, висмута, хрома, кадмия, никеля, олова и свинца), показали, что водородное перенапряжение в значительной степени зависит от символа грани монокристалла, на которой катодно выделяется водород. Поэтому величины водородного перенапряжения, найденные для твердых катодов с поликристаллической структурой, представляют собой некоторые усредненные значения. Они могут [c.398]

Эти же цепи при определенных условиях можно использовать для установления температуры аллотропического превращения. Если повысить температуру до значения, при котором а-модификация переходит в р-модификацию, то оба -)лектрода окажутся в одной и той же модификации и э.д.с. системы будет равна (или близка) нулю. Э.д.с. системы может отличаться от нуля потому, что свободная энергия двух электродов, изготовленных из металла одной и той же модификации, не обязательно должна быть одинаковой. Это наблюдается, например, в том случае, когда электроды различаются по размерам образующих их зерен или находятся под различным внутренним напряжением. Электрод, образованный более мелкими кристаллами или находящийся под избыточным механическим напряжением, играет роль отрицательного полюса элемента. Он растворяется, а на другом электроде происходит осаждение металла. Более того, разность потенциалов может возникать даже, если в качестве электродов использоЕ1аны разные грани монокристалла одного и того же металла, поскольку они обладают разным запасом свободной энергии. Электрод, образованный гранью с по-выщенным запасом поверхностной энергии, будет растворяться, а ионы металла — выделяться на грани с меньшей поверхностной энергией. Следует, однако, подчеркнуть, что во многих из этих случаев разность потенциалов, существующая между двумя различными образцами одного и того же металла, не должна отождествляться с обратимой э.д.с., поскольку она отвечает не равновесному, а стационарному состоянию элект[)0Д0в. Разности потенциалов, возникающие в рассмотренных случая , обычно малы, тем не менее в некоторых электрохимических процессах, в частности в процессах коррозии, их необходимо принимать во внимание. [c.195]

Упражнение 1.13. Покажите, пользуясь формулами ( 1.38), ( 1.21), ( 1.23) п ( 1.66), что для пластины толщиной 2а с двумя пористыми гранями площадью А [c.141]

Стационарный режим не станет устойчивым вплоть до = ц = = 2,25. Другие стационарные режимы с увеличением будут менять свое положение и характер, и в конце концов исчезнут. При = 0,5 сепаратриса перестает пересекаться с границей области, а стационарный режим С становится неустойчивым, так что все траектории приводят к стационарному режиму А. Эта ситуация сохраняется вплоть до = 1,125, когда режим А находится на грани неустойчивости. Затем остается только один стационарны режим В, который по-прежнему неустойчив. Поскольку все траектории определенно входят внутрь полосы 055 5 1, Ог Гес оо, ав точку В они входить не могут, возникает вопрос, к какому же состоянию приближается реактор с течением времени. Ответ состоит в том, что траектории приближаются по спирали к предельному циклу, охватывающему точку В. Таким образом, стационарное поведение системы соответствует режиму нелинейных колебаний, что, разумеется, крайне неудовлетворительно с технологической точки зрения. [c.182]

Задача — на грани фантастики. Но составлена она на основе работ специалиста по ТРИЗ В. М. Цурикова и имеет вполне реальный ответ [c.186]

В подавляющем большнистве случаев поверхность электрода поликристаллична и представляет собой некоторый набор участков, отвечающих граням разного индекса. Разные грани одного и того же металла, как мы уже видели, обладают неодинаковыми работами выхода электрона и нулевыми точками различия между последними могут достигать нескольчнх десятых вольта. Кристал- [c.273]

Каждую возможную грань в кристалле можно определить по отрезкам, которые она отсекает на выбранных осях. Чаще всего берется отнощение отрезков, отсеченных единичной гранью, к отрезкам, отсеченным данной гранью. Эти отношения являются целыми числами, и их совокупность образует символ грани (hkl) для кубических решеток и (hktm) для гексагональной каждая отдельная величина и скобках является индексом символа грани. В качестве единичной грани принято выбирать грань, пересекающуюся со всеми координационными осями. Грани, характеризующиеся совокупностью одинаковых индексов, записанных в различной последовательности, как, наиример, (100) или (010), являются идентичными гранями. Различным граням отвечает совокупность различных индексов, так (100)—грань куба, (ПО)—грань нризмы и (111)—грань октаэдра. Грани различного символа отличаются по плотности упаковки, т. е. по числу атомов, приходящихся на единицу поверхности, обычно на 1 см . Так, для трех граней в гранецентрированной решетке (тип меди) отношение плотности упаковки составляет N (011) N (001) Л/(111) = 1 1,38 1,63, или по абсолютному значению [c.335]

При развитии кристалла, образующегося из газообразной фазы или из расплава данного веществг, например из расплавленного металла, закрепление каждого hoboi O структурного элемента на поверхности грани происходит за счет его взаимодействия с соседними труктурными элементами, уже входящими в состав кристаллической фазы. [c.335]

Далее могут возникать поверхностные моноатомные образования с уступами, на которых присоединение следующего атома будет облегчаться благодаря взаимоде йствию уже с тремя соседними элементами (положение ///) энергия взанмодействня составит здесь величину За. После созда1П1я такого поверхностного образования присоединение каждого следующего атома к нему сопровождается выигрышем энергии За и лишь в начале развития каждого нового ряда атомов — 2а, чем обеспечивается так называемый повторяющийся шаг и наибольшая скорость распространения монослоя атомов на поверхности, т. е. наиболее быстрый рост грани. Когда монослой атомов покроет всю поверхность грани, дальнейший ее рост будет вновь проходить те же стадии до тех пор, пока не образуется двухмерный островок, обеспечивающий повторяющийся шаг. Очевидно, что при образовании такого островка — двухмерного зародыша — затруднения роста грани становятся наименьшими. Скорость роста грани, т. е. скорость формирования кристаллической фазы, должна быть поэтому функцией энергии, пеоб- [c.336]

Фольмер (1930) распространил описанный механизм роста кристалла из парообразной фазы па случай электрокрнсталлизации металлов. В этом случае скорость роста грани (в единицах плотности тока) может быть выражена уравнением [c.337]

Будевский с сотр. (1966), проводя эксперименты с идеальной гранью (111) серебра, служившей катодом, продемонстрировал возможность такого процесса. В опытах Булевского на катод подавался кратковременный импульс тока, вызывавший смещение потенциала в отрицательную сторону, достаточное для образования двухмерного зародыша. Затем потенциал несколько сдвигали в положительную сторону, что исключало возможность возникновения новых двухмерных зародышей, но обеспечивало рост уже созданного зародыша. Ток, протекавший через ячейку, вначале возрастал, а затем —по достижении фронтом роста зародыша края грани — падал до нуля. Дальнейший рост грани требовал повторного сдвига потенциала в отрицательную сторону до величины, обеспечивающей возникновение следующего двухмерного зародыша. Результаты опытов Булевского показали, что при заданном потенциале наблюдаются периодические колебания силы тока (или, при постоянной силе тока, колебания потенциала) и что рост грани может совершаться через стадии образования двухмерного зародыша и его распространения на поверхности. Однако такой механизм справедлив лишь для некоторых предельных случаев, которые обыч- [c.337]

Кристаллохимическая теория предусматривает возможность образования пакетов слоев роста (состоящих из нескольких этажей двухмерных зародыщей) как результата наложения эффектов пассивации поверхности и изменения ионной концентрации раствора вблизи фронта роста. Предполагается, что часть поверхности, длительное время находившаяся в контакте с раствором, становится отравленной, и образование на ней нового двухмерного зародыша требует добавочной энергии. Напротив, поверхность только что возникшего двухмерного зародын.а остается свободной от адсорбированных посторонних частиц и на ней может с меньшими энергетическими затратами возникнуть новый двухмерный зародыш. Толщина такого пакета ограничивается падением концентрации в зоне наслоения двухмерных зародышей, который может поэтому продвигаться лишь по поверхности грани, а не в направлении, перпендикулярной к ней. Существование пакетов двухмерных зародышей наблюдалось многими авторами. [c.338]

До сих пор еще пе ясно, какой из вариантов является наиболее вероятным все же предпочтение, по-видимому, следует отдать двум иоследним. Существование адатомов (или адионов) было доказано рядом независимых методов, которые позволили также определить их концентрацию. Поверхностная диффузия частиц должна играть наибольшую роль в тех случаях, когда участки роста (дислокации, двухмерные зародыши) занимают лишь незначительную долю поверхности. Тогда, вследствие большого расстояния Ха, на которое должны переместиться адсорбированные частицы до места их включения в решетку, градиент концентрации Асив.с1х,1, а следовательно, и скорость поверхностной диффузии будут малы. Поверхностная диффузия может оказаться замедленной стадией при электроосаж-деыии металлов. Эти условия реализуются на бездефектных гранях (или гранях с малым числом дефектов) и в области низких поляризаций (малые илотности тока), когда число зародышей невелико. [c.342]

Данные, приведенные в табл. 22.1, относятся к обычным условиям электролиза, когда металл выделяется на поликристаллической основе и дает отложения, также имеющие поликристаллическую структуру. Поверхность таких осадков образована гранями с различными кристаллографическими индексами. В зависимости от режима электроосаждеиия на поверхности осадка могут преобладать те или иные грани. Поэтому вал<но выяснить, зависит ли металлическое перенапряжение от того, на какой грани выделяется металл. Оиыты с монокристаллами ряда металлов, ориентированными по отношению к раствору различными граниями, подтвердили существование подобной зависимости (см. табл. 22.2). [c.460]

Таблица 22.2. Зависимость металлического перенапряжения (В10= ) от лрироды грани монокристалла (при 10 А-м- , =25° С)

Из табл, 22.1 и 22.2 следует также, что значение металлического иеренаиряжения в большей стеиени определяется природой металла, чем кристаллографической ориентацией электродной поверхности. Независимо от того, на какой из граней происходит выделение металла, перенапряжение всегда выше для никеля, чем для меди, а для меди оно всегда больше, чей для олова или свинца. [c.460]

Было показано, что особые точки относительно указанных траекторий могут быть или узлами , или седлами различной структуры [30, 33]. Типы диаграмм прннято различать по соотношению особых точек этих типов, расположенных на различных элементах концентрационного симплекса (вершинах, ребрах, гранях и т. д.). Допустимые сочетания особых точек разных типов в диаграмме фазового равновесия жидкость — пар были выявлены методами топологии в независимо выполненных работах [29, 37—40], в которых получены взаимно дополняющие друг друга результаты. [c.193]

Таким образом, сумма особых точек, расположенных в вершииах тетраэдра и на его ребрах и входящих в первое уравнение системы (17.21), равна соот-. ветственно сумме особых точек, расположенных в вершинах квадрата и на сторонах. В то же время ни одна из особых точек, расположенных на гранях тетраэдра (тройные азеотропы), не представлена в квадрате. Что касае гся четверных азеотропов, то возможны случаи, когда поверхность химического равновесия пройдет через этот азеотроп. С учетом этого можно записать [c.197]

Особый случай наблюдается, если точка, расположенная на ребре тетраэдра, является седло-узлом N относительно его граней. Тогда наряду с особой точкой типа седло расположенной на стороне квадрата, внутри последнего появляется особая точка типа узел [л/4 которая соответствует хемиазео-тропу. Аналогичные закономерности наблюдаются и в случаях, когда в вершине [c.197]

Рассмотрим изменение соотношения П/Ш при изменении состава псевдоисходных смесей в интервале от исходного состояния системы, когда конверсии реагентов равны нулю, вплоть до количественного превращения лдного из реагентов или обоих. На рис. 41, а и б представлены проекции линий материального баланса процесса (для любого соотношения исходных реагентов) на треугольник грани тетраэдра АСО из вершины В. При этом все многообразие составов псевдоисходных смесей, расположенных в плоскости химического взаимодействия проектируется на прямую AQ. Из рис. 41, а непосредственно видно, что П1/Ш пр1 продвижении вдоль линии АО увеличивается от нуля (точка А) до некоторой максимальной величины, соответствующей разделению псевдоисходной смеси состава М, а затем снова снижается до нуля (точка Q). Аналогичным образом из рис. 41,6 видно, что П /Шз при продвижении вдоль линии АО постепенно уменьшается от + оо (точка А) до I (точка р). [c.204]

Биохимия Том 3 (1980) -- [ c.32 , c.44 , c.338 ]

Биофизика (1988) -- [ c.458 ]

Основы биологической химии (1970) -- [ c.315 ]

Фотосинтез (1972) -- [ c.12 , c.16 , c.50 ]

Биология Том3 Изд3 (2004) -- [ c.20 , c.27 , c.170 , c.177 , c.180 , c.181 , c.259 , c.262 , c.262 , c.275 , c.275 , c.278 ]

Химия биологически активных природных соединений (1970) -- [ c.9 ]

Курс физиологии растений Издание 3 (1971) -- [ c.120 , c.124 ]

Биофизика Т.2 (1998) -- [ c.294 ]

Цитология растений Изд.4 (1987) -- [ c.57 , c.59 , c.60 , c.151 ]

Рост растений и дифференцировка (1984) -- [ c.25 ]

Фотосинтез (1983) -- [ c.35 ]

Биохимия Т.3 Изд.2 (1985) -- [ c.180 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология