Удельного электросопротивления соединений RA зависимость от температуры

МГц,не выявили зависимости электрического сопротивления от частоты измерения для всех фракЦий, что объясняется отсутствием скин-эффекта у порошковых систем. Вольтамперные характеристики системы, снятые на частоте 1600 Гц,подчинялись закону Ома без каких-либо отклонений. На температурных зависимостях изменения электросопротивления для всех фракций при температуре выше 350"С отмечается увеличение удельного электросопротивления с ростом температуры, что, по-видимому, связано с наличием металлического типа проводимости. При более низких температурах был обнаружен обратный тип зависимости. При этом для ряда фракций (113, 74, 45 мкм) наблюдается плато в области температур 280-320"С. Перечисленные факты позволяют предположить, что система в определенном интервале температур обладает полупроводниковой проводимостью, присущей ряду соединений никеля. [c.85]

Известно, что термообработка углеродистых материалов при 1000—1600 °С сопровождается процессами термической деструкции и рекомбинации свободных радикалов, обусловливающих непрерывное структурирование, что сказывается на физико-химических свойствах углеродистых материалов, в том числе и на их реакционной способности. Например, кривые изменения удельного электросопротивления (УЭС) нефтяных коксов при стандартных условиях в зависимости от температуры прокаливания имеют сложный вид и проходят через минимум, соответствующий 1350—1400 °С. Возрастание УЭС после 1350—1400°С обусловлено увеличением пористости коксов, связанной с удалением сернистых соединений и других элементов. Аналогичные изменения в структуре углерода сказываются и на его реакционной способности. [c.133]

Фиг. 8. Зависимость удельного электросопротивления соединений НА1г от температуры.

Эти исследования проводились на пленках, полученных но методу Векшипского па стеклянных подложках (см. [13]). Было установлено, что удельное электросопротивление пленки толщиной < 0,8—1 мк изменяется резко, а после 1 мп оно стабильно и сравнимо с высоким удельным электросопротивлением массивного образца, равным 10 —10 ом-см. Оптическая плотность слоев толщиной 0,1—0,15 жгене зависит от толщины слоя. Более толстые слои (0,3 мк) сильно поглощают свет в виДимой области с границей основного поглощения при длине волны 0,8 жк. Е , по красной границе основного поглощения, составляет 1,57 эв. Тонкие слои имеют дырочный тип проводимости (по знаку термо-э.д.с.). По наклону кривой температур-Н011 зависимости удельной электропроводности пленок толщиной 1 мк ширина запрещенной зоны колеблется в пределах 1,5—1,6 эв, что близко значению, полученному из оптических данных. Малая величина удельной электропроводности и большая величина Eg показывают наличие ионной связи у данного соединения. [c.29]