Системы с гетеровалентным замещением

Детальный анализ локальных зарядовых распределений показал [104], что при гетеровалентном замещении А " 81 происходит уменьшение электронной плотности вблизи замещаемого узла решетки матрицы, рис. 7.7, и образование оборванных связей . Таким образом, расчеты [104] фиксируют начальные условия последующей структурной релаксации, необходимой для оптимизации химического взаимодействия примеси с локальным кислородным окружением и минимизации энергии примесной системы. Более подробно релаксационные явления на примере примесных систем на основе неметаллических нитридов обсуждаются в гл. 4. [c.161]

По этому поводу можно заметить, что возможность образования очень сложных систем на основе изовалентного замещения бесспорна, она, безусловно, шире, чем возможность гетеровалентного замещения атомов, которое ограничено семью комбинациями (по числу валентных групп Периодической системы). Предполагаемый тип системы включает только четыре сорта атомов разной валентности. [c.143]

По работе [18] плотность, рассчитанная по данным рентгеновского анализа, хорошо совпадает с экспериментально определенной плотностью для сплавов, близких к арсениду галлия. Отклонения от обычных закономерностей, наблюдаемые у свойств сплавов, богатых дефектным компонентом, несомненно свидетельствуют об осложненном механизме гетеровалентного замещения в дефектных структурах. Интересно, что в этой системе никем не были обнаружены какие-либо признаки упорядочения структуры сплавов. [c.161]

Изоморфизм в классе силикатов. В заключение нам хотелось вернуться еще раз к вопросу, затронутому в начале настоящего параграфа, а именно — к освещению причин неудач изучения силикатов чисто химическими методами. Как уже говорилось выше, одной из причин является чрезвычайная сложность состава этого класса веществ, сложность, связанная с наличием в силикатах изоморфных замещений как изовалентных, так и гетеровалентных. Для последних А. Е. Ферсманом было предложено правило диагональных рядов в периодической системе химических элементов. Оно связано с тем, что размер ионов у соседних элементов сильнее отличается по горизонтали и по вертикали, чем по диагонали. Табл. 41 представляет собой часть менделеевской таблицы наиболее важных для силикатов элементов, в которой указаны диагональные ряды, характерные для гетеровалентного изоморфизма в силикатах, по В. С. Соболеву. [c.320]

Важную роль играют замещения в структуре алюмосиликатов, вызывающие в ней напряжения и, деформации, а также изменяющие энергетический баланс системы и ее заряд. Так, А1 из-за своей амфо-терности может в гидраргиллитовом слое выступать как катион, а в кремиекислородном как анион, замещающий кремний. В некоторых случаях па подобное замещение способен и Т1. Как правило, эти замещения происходят при компенсирующем участии катионов а" ", К+, Са +, Ва + и др. В октаэдрических слоях также имеют место изо- и гетеровалентные замещения А1, Ге Ре , Mg, Са и т. п. Возникающий избыточный отрицательный заряд может компенсироваться дополнительными анионами 0 ", (ОН)", СГ, Р", (СОз) и некоторыми другими. В ряде случаев допускают, что кислород и в комплексном анионе (по не кремнекислородном) может замещаться на (ОН) или Г" [3]. Во всех видах замещений большую, а зачастую и решающую роль играют стерические факторы, в частности размеры ионов. [c.18]

Отсюда, установив электронно-энергетическое состояние базисного соединения, на основе которого развивается процесс концентрационного политипообразования, оказьшается возможным провести прямое квантовохимическое моделирование вероятных составов политипов, которые могут возникать, например, при гетеровалентном замещении атомов решетки исходной фазы элементами иного сорта. Критерием отбора элементных составов возможных политипов будет служить соответствие их ЭЭС и условий химического связьшания таковым для базисной фазы как наиболее устойчивой системы в образующемся политипном ряду. [c.107]

Полное гетеровалентное замещение. Н. А. Горюнова с сотрудниками рентгенографически установила полное гетеровалентное замещение (взаимозамещение атомов различной валентности) в системе ZnSe — GajSes. Диаграмма состояния и электрические свойства этой системы не изучены. Были получены и исследованы твердые растворы, образованные по принципу гетеровалентного замещения между соединениями А В и Аг в [c.254]

Ферсман заметил, что способность к гетеровалентному изоморф-ому замещению проявляют элементы, расположенные в периоди-еской системе на диагоналях, направленных из левого верхнего тла в правый нижний. Эти ионы имеют почти одинаковые раз-1еры (см. стр. 151). Так, осушествляется гетеровалентное замеще-ие ионов L1+ и Mg Na+ и Са +, Са + и Y +, Mg + и 8с +, 8с + Zr +, Ti + и Nb5+. [c.253]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология