Замещение изовалентное

Известно, что при изовалентном легировании (например, при замещении в ОаК Са —> А1 или N Р) релаксационные эффекты имеют центрально-симметричный характер и сводятся к локальным сжатию или расширению решетки матрицы вблизи дефекта. [c.46]

При изовалентном замещении по катионной подрешетке (С —> Si) фиксируется анизотропия связей углерода с разносортными атомами его ближнего окружения (табл. 5.2) как результат [c.103]

Изоморфные замещения могут быть неограниченными, когда соединения смешиваются в любых отношениях (Аи—Ag), и ограниченными, когда одно вещество растворяется в другом в некотором предельном количестве Ag—2п до 36%). В твердых растворах замещают друг друга как атомы, так и ионы. Ионы могут быть равной валентности — изовалентный изоморфизм (2п+ — [c.20]

Изоморфизм в классе силикатов. В заключение нам хотелось вернуться еще раз к вопросу, затронутому в начале настоящего параграфа, а именно — к освещению причин неудач изучения силикатов чисто химическими методами. Как уже говорилось выше, одной из причин является чрезвычайная сложность состава этого класса веществ, сложность, связанная с наличием в силикатах изоморфных замещений как изовалентных, так и гетеровалентных. Для последних А. Е. Ферсманом было предложено правило диагональных рядов в периодической системе химических элементов. Оно связано с тем, что размер ионов у соседних элементов сильнее отличается по горизонтали и по вертикали, чем по диагонали. Табл. 41 представляет собой часть менделеевской таблицы наиболее важных для силикатов элементов, в которой указаны диагональные ряды, характерные для гетеровалентного изоморфизма в силикатах, по В. С. Соболеву. [c.320]

В зависимости от величины зарядов ионов, замещающих друг друга, различают изовалентные и гетеровалентные замещения. [c.79]

В изовалентном замещении участвуют ионы с одинаковыми электрическими зарядами и близкими по величине ионными радиусами. Например, ионы К , НН4 , и Сз могут заменять друг друга в кристаллических решетках. Взаимозаменяемы также ионы и Ва или и Ре " , имеющие близкие ионные радиусы. [c.79]

К рассмотренным вопросам примыкает представление об изовалентной гибридизации, которое будет обсуждено ниже. В гипотетической молекуле А—М—В замещение атома В на [c.65]

Таким образом, должны существовать производные соединения на основе BN и A1N, образующиеся в результате изовалентного взаимного замещения атомов бора и алюминия. [c.85]

В цементных фазах, формирующихся из сложных по составу смесей и содержащих в решетках разновалентные по сравнению с компонентами структуры цементных минералов (Са, А1, Fe, Si) ионы, основной причиной наличия избытка СаО является, по нашему мнению, гетеровалентный изоморфизм. Для цементных минералов, так же как и для природных [42—45], этот тип изоморфизма является наиболее распространенным. Основное условие его осуществления — соблюдение электростатического баланса структуры. Действительно, замещение Са в решетках цементных минералов на разновалентные ионы Na" , К , Сг , Fe " , АР , Мп " (изовалентные примеси не указываем), а Si " на Сг , В , W +, и другие требует зарядовой компенсации, которая может быть осуществлена самыми разнообразными способами. [c.276]

Переход одиночных ионов ионогенной примеси в узлы решетки кристаллизанта при одинаковой разности числа протонов и электронов у одноименных ионов примеси и кристаллизанта в момент пх перехода через границу раздела фаз (образование изовалентных твердых растворов замещения). [c.35]

Образование твердых растворов замещения компонентами с ионными решетками наблюдается при условии аналогии химического строения, равенства зарядов ионов, участвующих в замещении, близости ионных радиусов и полярности ионов, сходства симметрии и близости параметров кристаллических ячеек. В кристаллах с ионным типом химической связи наблюдаются два вида изоморфизма изовалентный и гетеровалентный. [c.218]

При изовалентном изоморфизме происходит замещение ионов с одинаковыми зарядами, например Ь " " на Na , Mg на [c.218]

Прежде всего, нужно подчеркнуть та обстоятельство, что под многокомпонентными тетраэдрическими фазами следует понимать в дальнейшем фазы, компоненты которых принадлежат к различным группам периодической системы в отличие от многокомпонентных фаз, образованных из более простых по методу изовалентного замещения (см. раздел В гл. П). [c.18]

Тройные системы на основе соединений типа A B с изовалентным замещением (го—структура вюртцита, 5—структура сфалерита) [c.132]

По этому поводу можно заметить, что возможность образования очень сложных систем на основе изовалентного замещения бесспорна, она, безусловно, шире, чем возможность гетеровалентного замещения атомов, которое ограничено семью комбинациями (по числу валентных групп Периодической системы). Предполагаемый тип системы включает только четыре сорта атомов разной валентности. [c.143]

Как следует из разд. В, имеется большое количество алмазоподобных фаз, образованных при помощи изовалентного замещения. При рассмотрении свойств изовалентных твердых растворов обращает на себя внимание следующее обстоятельство свойства бинарных соединений в вертикальных рядах, с заменой одного из атомов, меняются прерывно, подчиняясь описанным выше закономерностям. [c.192]

Большую возможность вариации физико-химических и электронных свойств дают твердые растворы на основе изовалентного и, в особенности, гетеровалентного замещения. Последние [c.203]

Как уже говорилось выше, твердые растворы на основе изовалентного замещения обнаруживают тенденцию к значительному снижению теплопроводности. По-видимому, эта тенденция будет значительно сильнее при гетеровалентном замещении. Эти области, а также и другие, где полупроводники уже находят или найдут применение, например телевидение, использование энергии радиоактивного распада, генерирование радиоволн, управление автоматикой, катализ в химических процессах и многие, многие другие, требуют разрешения проблемы рационального выбора материалов с оптимальным сочетанием свойств для каждой отдельной области технического применения. Эта / проблема не может быть решена иначе, как на основе комплекс- ного исследования больших групп веществ, связанных общностью химического строения. [c.204]

Такая ситуация сложилась благодаря исследованию более сложных, чем бинарные тетраэдрических фаз, из которых первыми по времени были твердые растворы на основе изовалентного замещения. Именно на примере этих тетраэдрических фаз переменного состава была подтверждена экспериментально важная мысль, лежавшая в основе исследования сложных полупроводниковых систем. Мысль эта имеет первоисточником высказанное еще Гольдшмидтом предположение о том, что в веществах с тетраэдрическим строением индивидуальность отдельных структурных единиц отступает на задний план перед всей постройкой кристалла в целом [3]. [c.204]

Третьим фактором, оказывающим весьма существенное влияние ма образование люминофора, является валентность активатора. По этому признаку активаторы могут быть разделены на две категории. К одной из них относятся активаторы, валентность которых не отличается от валентности вытесняемых ими атомов основания люминофора. Их внедрение в решетку не сопровождается местным нарушением электронейтральности или стабильной конфигурации электронов и потому не требует каких-либо дополнительных условий. В таком случае говорят об изовалентном замещении. Примером замещения такого типа является образование КС1-Т1, где Т1+ замещает К+ 2п5-Мп, где двухвалентный марганец замещает двухвалентный цинк, и А Оз-Сг, где Сг + занимает место АР+ в узле решетки. В этом случае оптимальные концентрации активатора часто довольно велики, составляя десятые доли процента и проценты. [c.101]

Другие виды взаимодействия точечных дефектов. Ряд фактов говорит о том, что ассоциация дефектов может иметь место и при изовалентном замещении атомов основной решетки активатором и сопутствующими примесями. Одной из причин этого является действие сил деформации, приводящее к тому, что крупному примесному атому, вызывающему сжатие решетки, выгодно располагаться по соседству с атомом, радиус R которого меньше радиуса вытесняемого им атома основания люминофора. Этот эффект называется объемной компенсацией [116] (о подобном явлении уже шла речь при рассмотрении сегрегации примесей вокруг дислокаций). [c.160]

Ассоциация примесных атомов при изовалентном замещении может быть обусловлена также их склонностью образовывать друг с другом более прочную химическую связь, чем с атомами (ионами) основания люминофора. По этой причине в хлоридах щелочных металлов, содержащих примеси бромидов и иодидов, ионы таких активаторов, так Т1+ и Ag+, стремятся расположиться рядом с ионами 1 или Вг , обладающими большей поляризуемостью, чем 160 [c.160]

В зависимости от зарядов ионов, замещающих друг друга, различают изовалентные и гетеровалентные замещения. В изовалентном замещении участвуют ионы с одинаковыми электрическими зарядами и близкими ионными радиусами, например, ионы калия, аммония, рубидия, цезия взаимозаменяемы также ионы стронция, бария, радия, магния и железа (П). При гетеровалентном изоморфизме нзаимоза-мещаемы разновалентные ионы равных или близких ионных радиусов. При этом различия в ионных радиусах могут быть значительно большими, чем при изовалентном изоморфизме. Например, ионы Li" можно заместить ионами Mg + (ионные радиусы одинаковы — 0,78 А). Замещаются также ионы Na+ ионами Са +, хотя ионный радиус натрия 0,98 А, а кальция 1,06 А. С другой стороны, ионный радиус меди (I) и натрия соответственно 0,96 и 0,95 А, но медь (I) образует ковалентные соединения, натрий — ионные, поэтому смешанные кристаллы таких медных и натриевых солей не образуются. Ионы с близкими ионными радиусами образуют изоморфные ряды соединений. Чем ближе величины ионных радиусов, тем легче катионы образуют изоморфные соединения. [c.78]

Изоморфизм в классе силикатов. В заключение необходимо еще раз вернуться к вопросу, затронутому в начале настоящего параграфа, а именно — к освещению причин неудач изучения силикатов чисто химическими методами. Как уже говорилось выше, одной из причин является чрезвычайная сложность состава этого класса веществ, сложность, связанная с наличием в силикатах изоморфных замещений как изовалентных, так и гетеровалент-ных. [c.346]

Изоморфные замещения могут быть неограниченными, когда соединения смешиваются в любых отношениях (Аи—Ag), и ограниченными, когда одно вещество растворяется в другом в некотором предельном количестве (Ag—Zn до 36 %). В твердых растворах замещают друг друга как атомы, так и ионы. Ионы могут быть равной валентности — изовалентный изомор- физм (Zn2+— d +—Fe2+ — Мп2+) и разной — гетеровалентный изоморфизм (Na+ —Са +-Y +). [c.28]

Кристаллизация фторслюд в присутствии элементов, замещающих калий. Экспериментальное изучение кристаллизации фторслюд проводилось с шихтами типа фторфлогопита, в которых калий замещался другими элементами Ме по схемам изовалентного (A eд.K -.т)Mgз[A SiзOlo]F2 или гетеровалентного (Ме,сК1- )М зХ Х[А1 +я51з-лОю]р2 изоморфизма (х — коэффициент при замещающем коэффициенте). Активность элементов Ме к замещению калия в кристаллах слюды характеризуется коэффициентом сокри-20 [c.20]

Термоэлектрические свойства многокомпонентных твердых растворов на основе Bi2T 3 рассмотрены в [64]. Подвижность носителей, решеточная теплопроводность и др. свойства описаны для различных изовалентных замещений в Bi2-zSb2Te3 i ,SejS,,. [c.246]

Замещаться в принципе могут катионы (или анионы) как одинакового (изовалентный изоморфизм), так и разного (гетеровалент-ный изоморфизм) по величине эффективного заряда. При изова-лентном изоморфизме (например, Ре + Мд + в оливинах и пироксенах, Ре + А1 + и в некоторых силикатах, Р А5 + в фосфатах и т. д.) решетка сохраняет свою электронейтральность.. При гетеровалентном изоморфизме действует принцип компенсации-зарядов, заключающийся в том, что если в результате замещений решетка приобретает избыточный заряд, то в кристалле всегда воз- [c.71]

Для подавляющего количества скандиеносных минералов характерно присутствие в катионной части Ьп +, Ре +, Л1п +, Mg +, Са +, 2 +. Большинство этих элементов имеет близкие значения ионных радиусов при одинаковых координационных числах (шесть), близкие значения электроотрицательности и некоторых других констант (табл. 20). Это и является причиной замещения скандием в природных условиях Ре +, М +, Са +, Мп +, Ьп +, А1 +, 2г +, Н +, ТЬ +, и +. Таким образом, для скандия характерен как изовалентный, так и гетеровалентный изоморфизм [6]. [c.245]

Собственные минералы скандия — тортвейтит, стереттит и их разновидности (бефаномит и кольбекит соответственно)— большая редкость, найдены лишь в нескольких местах земного шара в ограниченном количестве. Намного более распространены минералы, в которых скандий присутствует в виде изоморфной примеси. Известно более 100 минералов такого типа, содержащих 0,005—0,3% S 2O3 [12]. Это галогениды, окислы, вольфраматы и молибдаты, карбонаты, фосфаты, силикаты. Больше всего минералов принадлежит к окислам и силикатам. Для подавляющего количества скандийсодержащих минералов характерно присутствие ионов Ln +, Fe +, Мп +, Mg Са + и Zr +. Большинство этих ионов имеет близкий радиус при одинаковом координационном числе (шесть), близкие значения ряда констант, в том числе электроотрицательность [12]. В этой связи становится понятным замещение скандием в природных условиях указанных элементов и наличие не только изовалентного, но и гетеровалентного изоморфизма (табл. 6) [12]. [c.16]

Надежные результаты были получены с помощью микрорент-геноспектрального анализа [2—4], позволившего определить, что алитовая фаза промышленных клинкеров содержит повышенное количество окиси кальция. Поскольку цементные минералы представляют собой изоморфные смеси не двух-трех, а чаще всего большего числа компонентов, то нарушение стехиометрии окислов, составляю] их матричный минерал, является закономерным. Переменный состав клинкерных фаз в большой мере обусловлен многими гетеровалептными и изовалентными изоморфными замещениями и характером кристаллохимической компенсации. [c.278]

Из данных таблицы видно, что примесь 50в очень малой степени захватывается твердой фазой и поэтому наблюдается высокий эффект очистки От этой примеси (/С 100—200). Значительно меньп1ий эффект очистки твердой фазы наблюдается для примеси Ыа+, что связано, по-видимому, с изоморфным замещением ионов изовалентными ионами N3+. [c.81]

Изовалентные твердые растворы А В с замещением одного компонента двумя не исследованы. Только в работе [298] высказано предположение о существовании широких областей растворимости в системе AlSb—GaSb—InSb. [c.131]

Изовалентные твердые растворы с замещением одного компонента двумя не исследовались. Подобного рода композиции существуют среди минералов, так же как и продукты одновременного замещения обоих компонентов, например Hg, 2п (5, 5е) —гвадалказарит [314] и др. [c.133]

Приведенный нами анализ показывает, что полученные термодинамические свойства антимонида алюминия хорошо согласуются с общими закономерностями для полупроводников данной группы [14]. Это явилось основанием применения метода э.д.с. гальванических элементов с твердым электролитом для определения термодинамических характеристик системы AlSb—GaSb, в которой образуются твердые растворы с изовалентным замещением (15, 16]. [c.197]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология