Распределение зарядовое

Не м енее поучительны карты общей электронной плотности полярных молекул ряда гидридов от LiH до HF (рис. 62) [20]. Полностью подтверждено представление о распределении зарядовой плотности в гетеронуклеарных молекулах. Исчез центр симметрии электронного облака. Преобладающая часть электронного заряда сосредоточена у более электроотрицательного атома, каким является Н в LiH и F в HF. В молекуле HF частично оголенный протон втянут в почти сферическую оболочку, окружающую ядро фтора. Такой почти сферический вид контура электронной плотности указывает на близость связи к ионной. [c.154]

Теперь известно, что пространственное распределение зарядовых и спиновых плотностей электрона не одинаково и подчиняется особым законам. [c.8]

Электронная характеристика молекулы О2 будет далеко недостаточной, если ограничиться рассмотрением конфигураций и набора потенциальных кривых. На рис. 106 представлена контурная диаграмма распределения зарядовых плотностей в сечении молекулы плоскостью, в которой лежит связевая ось. При рассмотрении рис. 106 видно исчезновение самостоятельности составляющих молекулу атомов оба ядра входят в [c.180]

На графике набора потенциальных кривых получаются резко отличные друг от друга линии каждой потенциальной кривой соответствует контурная диаграмма распределения зарядовых плотностей, имеющая вид сплошного пространственного облака. Чтобы увидеть, как изменяется распределение зарядовой плотности р при образовании молекулы (в основном состоянии) из распределений в свободных невозбужденных атомах, следует рассмотреть разностную диаграмму распределения Лр, характеризующую отличие основного состояния молекулы О 2 от простого геометрического наложения друг на друга диаграмм свободных атомов. [c.181]

Так как все же при почти неизменном распределении зарядовых плотностей энергии возбуждения довольно значительны (они отвечают правилу Хунда и большей устойчивости триплетного состояния) [c.182]

Большое значение представляет сравнение контурных распределений зарядовых плотностей катионных молекул Ог и анионных молекул Oj с основным состоянием. [c.184]

Рис. 136. Распределение зарядовой плотности в двухатомных молекулах ряда Щ,

Вообще при обсуждении проблемы распределения зарядовой плотности не следует забывать об этом запрете и об отталкивательном действии псевдопотенциала. Несомненно, что окончательное решение об устойчивости связи может быть достигнуто лишь при вычислении силовых векторов, направленных на ядра молекулы. [c.254]

Рис. 150. Распределение зарядовых Рис. 151. Распределение зарядовых плот-

Энергия электростатического взаимодействия представляет собой энергию кулоновского взаимод, вычисленную в предположении, что распределение зарядовой плотности отвечает изолир. молекулам R = ос). В общем случае электрич. потенциал вокруг молекулы изменяется не только по абс. величине, но и по знаку. Если взаимная ориентация двух молекул такова, что область положит, потенциала одной из них приблизительно совпадает с областью, в к-рой локализован отрицат. заряд другой, то < О, т. е. электростатич. взаимод. молекул ведет к их притяжению. При R / энергия становится равной [c.12]

Одна из наиболее существенных характеристик системы — распределение зарядовой плотности. Основными величинами, позволяющими судить о нем, являются заряды на атомах. К сожалению, невозможно дать вполне однозначное определение понятию заряд на атоме , поскольку недостаточно ясно, как установить границы между атомами в молекуле. В методе МО ЛКАО под зарядом подразумевают величину [c.42]

Физический смысл вириального разбиения основан на следующих наблюдениях [1, 2, Ш. Степень, в которой свойства фрагмента молекулярной системы аддитивны, определяется степенью неизменности зарядового распределения данного фрагмента в различных системах. Действительно, метод вириального разбиения определяет фрагмент в рамках топографического описания распределения зарядовой плотности. Следовательно, судить о неизменности свойств фрагмента, находящегося в различном окружении, в данном случае можно по отсутствию заметных различий в зарядовом распределении фрагмента [c.27]

Распределение зарядовой плотности в (X 2" ) и Ь1Н [c.30]

Величину р(г) в выражении (20) можно рассматривать как зарядовую плотность. Таким образом, матричные элементы представляют собой взаимодействие распределений зарядовой плотности p(fi) и р(гг). Эти распределения в направлении водородной связи изображены на рис. 1Q0. Величины зарядов [c.282]

Величины (36) мы опять можем рассматривать как распределение зарядов. Матричный элемент тогда представляет диполь-дипольное взаимодействие р(гО и р(Гг). Вид волновых функций и распределение зарядовой плотности схематически [c.289]

Наряду с электронами протон также способен к легкому обмену. Его отнятие или присоединение определяет кислую или основную диссоциацию (протолиз). Протон в недиссоциированной кислоте связан парой валентных электронов. В полностью симметрично построенных неполярных соединениях электроны равномерно распределяются между отдельными партнерами. При несимметричном строении распределение зарядового облака валентных электронов на отдельных участках молекулы различно. [c.187]

Решив секулярную проблему и получив разложение по взаимодействующим конфигурациям (6.4.1), легко получить распределение зарядовой и спиновой плотности для состояния Т, пользуясь формулами [см. (4.4.9)] [c.212]

Дальнейшие вычисления легко проводятся непосредственно Секулярные уравнения можно разбить на блоки, группируя струк туры в симметричные линейные комбинации , в восьми из которых нижнее триплетное состояние характеризуется симметрией Л1 Используя решения секулярных уравнений, легко найти распределения зарядовой и спиновой плотности по формулам (6.4.10) и (6.4.11), которые удобно представить в виде [c.216]

Однако использование в молекулярных расчетах потенциалов в виде бесконечных рядов не вполне удобно, так как не всегда известно, где обрывать суммирование. С другой стороны, такая форма потенциала в конечном счете связана с модельным представлением о распределении зарядов в решетке в виде точечных зарядов. Другой возможной аппроксимацией могло бы быть некоторое непрерывное распределение зарядов в решетке кристалла. По-видимому, наиболее простой и в то же время достаточной для описания приповерхностного потенциала могла бы быть модель гармонического распределения зарядовой плотности в решетке. Такое приближение, как оказалось, позволяет получить достаточно удобные конечные выражения для [c.79]

Химическая связь, образованная атомами, сильно отличающимися по электроотрицательностн, приобретает все черты ионной связи, как в молекулах галогенидов щелочных и щелочноземельных металлов (МеХ и МеХз). Это подтверждает и квантовомеханический расчет для LiF (см. 38). В реальных молекулах нет двух ионов с автономными сферическими оболочками, но картина распределения зарядового облака очень близка к той, которая наблюдалась бы в идеальной ионной молекуле (см. рис, 63). В этом смысле будем далее называть эти молекулы ионными, ахимическую связь, существующую в них, —ионной связью. Молекулы галогенидов щелочных металлов МеХ служат классическим примером ионных молекул. На основе представления о ионах в молекуле можно построить модель для расчета ее свойств. Разные варианты такой ионной модели проверены на молекулах МеХ. Наиболее простая модель — модель сферических ионов — объясняет ионную связь исходя из следующего [c.159]

Статистическое распределение зарядовых плотностей электронов, подчиняющихся законам квантовой механики и двигающихся в атоме с неимоверной быстротой, определяется центральными силами притяжения их к положительно заряженному ядру, взаимными их отталкиваниями, завися-шими от одноименности отрицательных электронных зарядов, магнитными взаимодействиями, а также корреляцией электронных движений. Большое значение имеет при этом также скорость движений электронов и, в частности, центробежные силы, порождаемые большими орбитальными вращательными моментами имеют влияние и релативистские возрастания электронных масс, которые появляются при скоростях движения электронов, приближающихся к скорости света. [c.8]

Представляет интерес с этой точки зрения сравнение контурных графиков (рис. 78, 79 и 80) распределения зарядовой плотности для возбужденных состояний 5 2 и за2ра и 2 5а25о в сопоставлении их с 2д15ст . в то время как нормальная молекула На имеет весьма небольшой размер (оба электрона в первом слое) и малое межъядерное расстояние [c.142]

Рис. 107. Размостная диаграмма контурного распределения зарядовых плотностей электронного облака молекулы в нормальном состоянии

Рис. 1.4. Интегральные распределения зарядовой плотности р вдоль линий связи М—N (М = В, А1, Ое, 1п) и карты изоэлек-тронных линий р в л2-се-чениях вюртцитоподоб-ных кристаллов МЫ [74]

Химическая связь в Ш-нитридах имеет смешанный ионно-ковалентный тип. Эффекты зарядовой поляризации (в направлении М Н, где М = В, А1, Оа, 1п), обеспечиваюцще ионную составляющую связи, можно проследить на рис. 1.4, где приводятся контуры распределения зарядовой плотности (р) вдоль линии связи М— К, а также карты изоэлектронных контуров в х2-плоскости кристаллов. Общее представление о характере изменения ионности связи в ряду ВК -> АЫ -> ОаК 1п позволяют составить данные табл. 1.2, где суммированы величны эффективных атомных зарядов (схеме анализа Малликена и методом интегрирования р в атомных сферах [47]. В целом расчеты фиксируют значительную долю ковалентной составляющей связей М—Н существенные различия в двух схемах определения вклада ионной составляющей отражают известные трудности корректного расчета эффективных зарядов [c.14]

Качественно соотношение между полярностью связи и прочностными свойствами можно проиллюстрировать (рис. 3.3), сравнив распределение зарядовой плотности (р) вдоль линий межатомной связи в алмазе, Р-СзМ4 и ВЫ. Видно, что Р-СзН4 занимает промежуточное место между чисто ковалентным кристаллом — алмазом и нитридом бора, для которого характерны поляризация р в направлении В N и заметная роль ионной составляющей в об- [c.70]

Рис. 3.3. Распределение зарядовой плотности р (по отношению к числу валентных электронов в ячейке р ) вдоль линий связи в алмазе (7), Р-СзК4 (2) и нитриде бора (3)

Рис. 6.4. Изоэлектронные контуры распределения зарядовых плотностей валентных состояний а-А120з а, 6 — в плоскост х атомов А1 и О перпендикулярно оси г, в — в плоскости вдоль оси 2 включающей атомы А1 и О, рис. 6.1

Рис.З.И. Зарядовое состояние гистидино-вых колец в активных центрах НРг-протеина н фактора III до (I) и после (II) переноса фосфатной группы при значении pH --7,4. Распределение зарядовой плотности определено по спектрам ЯМР [3.8].

В случае сульфидов использованы как sp-, так и spa-прибли-жения. Как видно из рис. 47, расчет распределения зарядовой плотности в Sjpd-приближе--нри, предпочтенный авторами [c.224]

Неспаренный электрон, делокализованный по системе связей в радикале, вызывает возмущение волновой функции всей системы и изменяет распределение электронной плотности. Это изменение приводит к различию в дипольных моментах радикалов по сравнению с дипольнымн моментами соответствующих им молекул. Таким образом, если ЭПР позволяет исследовать распределение спиновой плотности в радикале, то дипольные моменты дают возможность судить о распределении зарядовой плотности. [c.137]

На основании приведенных дашых можно заключить, что, во-первых, даваемые программами "Орбиталь-Э" и "Орбиталь-Ю", количественные результаты хорошо согласуются как с зичес-кими соображениями, так и с результатами расчетов, выполненных другими авторами. Во-вторых, разработанные программы с упрощениями в духе метода сотю позволяют при сравнительно небольших затратах машинного времени получать правильную картину (речь идет о распределении зарядовой плотности), качественно согласующуюся с результатами строгих неэмпирических, а также традиционных полуэмпирических расчетов. [c.248]

Изучение спектров ЯМР С было предпринято с целью найти количественные соотношения между распределением зарядовой плотности в вйнильной группе алкилвинилсульфвдов и различными структурными константами алкильных заместителей. [c.67]

Фактически новый этап в развитии теоретических представлений о влиянии распределения заряда, а также энергетики атомов и молекул, на рассеяние электронов и рентгеновских лучей) открылся с работ Бартелла и Гэвина [171--174], Бартелла и Кола [175, 176], Та-вара с сотр. [177—182] и ряда других авторов [129, 183—186]. В этих работах в борновском приближении были установлены основные соотнощения, связывающие интенсивность рассеяния электронов (и рентгеновских лучей) с полной (а также корреляционной и другими составляющими) электронной энергией атомов и молекул, энергией образования молекул, с распределением зарядовой плотности в атомах и молекулах. Было показано, что электронографический эксперимент в принципе дает возможность определить не только ядер-ядерную, но п ядер-электронную О г) и электрон-электронную Р г) функции распределения в отдельности и даже трехмерную функцию распределения электронной плотности в молекулах р(г) [c.251]

Машер (1965) подвергает критике понятие кольцевых токов я-электронов в ароматических молекулах и, в частности, доказательство, данное Лондоном (1937), По мнению Машера, более правильным является представление магнитной восприимчивости молекулы х в виде вкладов отдельных локализованных распределений зарядовой плотности электронов. Автор не отрицает, что в некоторых случаях все же возможны кольцевые токи , но считает необходимым учитывать тогда кольцевые гоки не только л-электро-нов, но и а-элек1ронов. — Прим. перев. [c.52]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология