Вторичные электроны первичным пучком

Рис. 4.37. Схематическая иллюстрация образования вторичных электронов под действием электронов падающего пучка и под действием отраженных электронов по мере их вылета из первичного пучка образца.

Вылетающие с поверхности вторичные электроны обладают низкой кинетической энергией, поэтому их следует ускорить потенциалом в несколько сотен вольт. Ускоренные вторичные электроны направляются на детектор (кристалл-сцинтиллятор) и регистрируются. Отраженные электроны, энергия которых близка к энергии первичного пучка, детектируют без ускорения, используя сцинтилляционные или полупроводниковые устройства. [c.333]

Чувствительность электронного умножителя может быть настолько высока что он используется для счета отдельных частиц, таких, как электроны [137, 139] или положительные ионы [1116]. Аллен [31] впервые применил такую систему в качестве детектора в масс-спектрометре схема расположения электродов в умножителе Аллена изображена на рис. 97. Основные требования, предъявляемые к материалу электрода, состоят в следующем возможно большее соотношение вторичных и первичных частиц работа выхода должна быть большой, материал должен иметь высокую температуру плавления, обеспечивающую возможность его обезгаживания при высоких температурах кроме того, он не должен отравляться под действием ионного пучка или атмосферы. Аллен нашел, что всем этим требованиям удовлетворяет бериллий, который характеризуется отношением вторичных электронов к протонам примерно 2,2 [2161] при низких энергиях это отношение увеличивается до 8 при высоких энергиях [30] фотоэлектрическая работа выхода составляет 3,92 эв [1302], поэтому фотоэлектроны не могут образовываться на его поверхности под действием видимого света. [c.215]

Глубина выхода вторичных электронов представляет лишь малую долю длины пробега первичного пучка (для металлов лишь 1%). Вторичные электроны зарождаются внутри всей области взаимодействия электронов пучка в образце, но только те из них, которые образуются на расстоянии от поверхности, равном средней глубине выхода, несут информацию, которая может быть зафиксирована оператором электронного микроскопа. Регистрируемые вторичные электроны могут быть образованы падающими электронами пучка при их входе в образец и отраженными электронами при их вылете (рис. 3.28). В эксперименте можно различать относительные вклады этих двух процессов, измеряя коэффициенты вторичной электронной эмис- [c.60]

В результате ионизации электронных уровней генерируются электроны. Они покидают атомы в процессе столкновения последних с первичными электронами и проходят через вещество, теряя кинетическую энергию в результате описанных процессов. Электроны, образовавшиеся вблизи поверхности, испускаются в вакуум, собираются и регистрируются детектором вторичных электронов. С помощью таких электронов можно получить изображение объемных образцов с топографическим и морфологическим контрастом, если проводить развертку первичного пучка (сканирование) по поверхности образца и измерять ток вторичных электронов как функцию положения пучка электронов (рис. 10.2-5). Контраст изображения определяется главным образом углом между направлением первичного пучка и плоскостью поверхности в определенном участке. Это означает, что при сканировании неровных образцов этот угол меняется от точки к точке и также меняется интенсивность вторичной электронной эмиссии. Полученное изображение очень похоже на изображение [c.329]

Следующий метод, применяемый для исследования поверхностных явлений,— это метод вторичной ионно-ионной эмиссии. При бомбардировке поверхности твердого тела первичным пучком положительно заряженных ионов (обычно ионами инертного газа, например, Аг+) происходит эмиссия с поверхности вторичных положительных и отрицательных ионов — вторичная ионно-ионная эмиссия, а также нейтральных и некоторых других частиц [3, 8—11]. Прямое масс-спектрометрическое изучение вторичных ионов, а в ряде случаев дополнительное изучение вторичных нейтральных частиц (с ионизацией их электронным ударом) дает ценную информацию о поверхности твердого тела. [c.49]

В результате рассеяния рентгеновского и у-излуче-ний в контролируемом изделии вторичные электроны и кванты, образованные в процессе фотоэлектрического взаимодействия (фотоэффекта) и комптоновского рассеяния, в значительной мере отклоняются от направления первичного пучка излучения, что ухудшает выявляемость дефектов. При использовании ускорителей образующиеся в изделии пары электрон - позитрон существенно меньше отклоняются от направления пучка излучения. Такое рассеянное излучение способствует образованию скрытого изображения и незначительно ухудшает чувствительность. [c.57]

Кроме режима испускания, возможны другие режимы работы СЭМ. В режиме поглощения регистрируется разница между первичным и вторичным током электронов в образце. Если толщина образца достаточно мала, можно регистрировать сигналы со стороны, противоположной входящему первичному пучку, — это просвечивающий режим работы, для которого толщина образца составляет обычно менее 100 нм. Регистрирование оже-электронов позволяет проводить элементарный анализ в разных местах поверхности [13]. Можно также анализировать рентгеновские лучи, например микрозондированием, однако при высоких энергиях первичного пучка получаемые данные о составе образца не относятся к поверхностному слою. [c.406]

При неупругом взаимодействии с ядрами вещества электроны теряют энергию в кулоновском поле ядер и вызывают эмиссию рентгеновского излучения со сплошным спектром. Неупругие столкновения могут вызвать ионизацию атомов, в результате чего возникают характеристические рентгеновские лучи или Оже-электроны. Если неупругие взаимодействия происходят между первичным пучком электронов зонда и слабо связанными внешними электронами вещества, испускаются вторичные электроны, имеющие энергию не выше нескольких десятков электрон-вольт. Кроме процессов, связанных с возбуждением внутренних и валентных оболочек атома, существуют плазменное и фононное возбуждения. Первый тип возбуждения характеризуется осцилляцией свободных электронов объекта в месте прохождения первичного пучка за счет энергии последнего. Фононное возбуждение является результатом взаимодействия зонда с кристаллической решеткой, что приводит к колебаниям атомов в решетке, испусканию световых квантов и в конечном счете к локальному разогреву вещества. Время элементарного акта возбуждения электронов внутренних оболочек атома и плазменного возбуждения составляет 10 с, процесс передачи энергии решетке длится 10" °—10 с. [c.218]

Вторичная электронная эмиссия. Электронную эмиссию под действием электронной бомбардировки характеризуют отношением полного числа электронов, испускаемых поверхностью объекта в единицу времени (т. е, силы тока эмиссии, эм), к числу первичных электронов,падающих на поверхность в единицу времени (т. е. к току первичного пучка, 1п) [c.428]

Общие соображения по влиянию вторично-электронной эмиссии на спектры имеются в [Л. 4-4]. Количественные исследования [Л. 4-5] показали, что в электронном пучке ионного источника существует при нормальных режимах значительная доля (20—30%) вторичных электронов, существенным образом влияющая на величину ионного тока. С течением времени свойства металлических поверхностей ионизационной камеры изменяются вследствие образования различных пленок и напылений. Кроме того, при каждом пуске установки происходит постепенное обезгаживание электродов ионного источника, в связи с чем изменяется коэффициент вторичной эмиссии. Дополнительное влияние на нестабильность ионного тока может возникнуть благодаря действию стабилизатора эмиссии. Вторичные электроны, попадающие вместе с первичными на анод, искажают величину анодного тока. Если стабилизатор эмиссии стабилизирует ток анода, то при изменении величины коэффициента вторичной эмиссии (Т будет меняться температура катода, поскольку стабилизатор будет стремиться поддержать анодный ток неизменным. Изменение температуры катода будет менять распределение плотностей первичных электронов по сечению электронного пучка, т. е. влиять на интенсивность ионного тока. Вследствие этого целесообразно стабилизировать общий ток катода. [c.92]

Как нетрудно видеть из рис. 107, в направлении, являющемся продолжением первичного пучка, обе вторичные волны совпадают по фазе, и сложение колебаний приводит к удвоению амплитуды. Но если рассмотреть какое-либо другое направление, например направление на точку наблюдения N2, результат окажется иным путь первичного луча от источника до первого электрона и вторичного луча от него в точку наблюдения будет отличаться от пути луча, проходящего аналогичным образом через второй электрон, а вследствие этого будут разными и фазы колебаний в этих вторичных лучах. Ясно, что по мере увеличения угла между направлением первичного луча и направлением на точку наблюдения разность фаз будет постепенно возрастать, а амплитуда результирующей волны постепенно уменьшаться, пока, наконец, разность хода лучей не станет равной половине длины волны, или, иначе говоря, фазы волн не станут противоположными. В соответствующем направлении (направление на N3 на рис. 107) луч полностью гасится. При дальнейшем увеличении угла ф сдвиг по фазе увеличивается еще больше, что приводит к постепенному возрастанию амплитуды результирующей волны, и при разности фаз волн в один целый период (разности хода лучей в одну длину волны) амплитуда снова достигнет максимального значения. Далее картина повторяется. Рис. 108, а изображает зависимость интенсивности результирующего луча от угла отклонения ф. [c.178]

Интенсивность вторичного электронного излучения, возникающего под действием электромагнитной радиации, достигает максимальной величины на некотором расстоянии от поверхности облучаемого вещества. Это расстояние приблизительно равно наибольшему пробегу вторичных электронов. Затем интенсивность вторичного излучения постепенно падает по мере ослабления первичного пучка. Таким образом, непосредственно у поверхности внутри поглотителя в небольшом объеме возникают вторичные электроны и дополнительно появляются электроны, попавшие в этот объем из окружающих участков поглотителя (рис. 3.11), т. е. каждый элемент объема получает дополнительно со всех сторон рассеянные электроны. Исключение составляют области поглотителя, непосредственно прилегающие к поверхности. По мере удаления от поверхности возрастает доля электронов, попадающих в данный объем извне. Это наблюдается до расстояния, равного наибольшему пробегу вторичных электронов, когда интенсивность вторичного излучения в элементе 58 [c.58]

Ю. И. Гальперин. Этот вопрос имеет отношение к спектрам полярных сияний. В спектрах полярных сияний происходит свечение под действием электронов, а также и протонов с энергией именно в том диапазоне, который был указан. Интересно узнать, что вызывает это свечение первичные пучки, которые, замедляясь, будут иметь в конце концов соответствующую энергию, или же это свечение вызывается вторичными электронами. Вторичный электрон при этих условиях наверняка сработает , так как в условиях верхней атмосферы он не может быть потерян на стенках . Поскольку вторичные электроны имеют меньшую энергию, характер спектра должен быть другим по сравнению со спектром, получаемым при энергиях кэв. В связи этим интересно получить энергетический спектр вторичных электронов, особенно в той области энергий, где эти электроны могут вызывать электронное возбуждение атомов и молекул, т. е. не в области 1—2 эв, а заметно выше. [c.60]

При взаимодействии излучения с веществом различают первичное и вторичное действие. Первичное действие заключается в ионизации и возбуждении электронов рентгеновскими лучами, -лучами и электронными пучками. В случае нейтронов больших энергий первичное действие заключается в соударениях нейтронов с ядрами атомов водорода или других атомов, в разрушении химических связей между этими частицами и в образовании возбужденных электронов и ионов. Вторичное действие может проявляться во вторичных ионизациях или возбуждениях, обусловленных электронами, выбитыми из атомов при первичном действии излучения. [c.387]

Окончательно фокусированный и ускоренный электронный пучок бомбардирует экран, где и теряет свою кинетическую энергию. Некоторая доля этой энергии за счёт эффекта катодолюминесценции переходит в видимое излучение. Значительно большая часть переходит в тепло и идёт на вырывание вторичных электронов из люминофора и подложки. Эти электроны с малой скоростью двигаются по направлению к ускоряющему электроду (графитовое покрытие колбы). В процессе работы быстро наступает динамическое равновесие между числом поступающих на экран и уходящих с него электронов. В результате между экраном и ускоряющим электродом устанавливается такая разность потенциалов (экран на несколько вольт ниже анода), когда число приходящих на анод вторичных электронов равно числу приходящих на экран первичных. [c.33]

Из приведенных рассуждений ясно, что каков бы ни был первоначальный источник излучения, при рассмотрении следующей стадии процесса необходимо проследить судьбу электронов, освобожденных падающим пучком. В самом деле, первоначальная ионизация, как правило, составляет только несколько десятых процента полной ионизации, создаваемой излучением, и обычно ею целесообразно пренебречь. Поэтому мы можем сконцентрировать наше внимание на действии на вещество электронов, помня, что вид падающих первичных частиц все же имеет значение при определении того, насколько далеко распространится ионное облако, создаваемое вторичными электронами (плотность следа). [c.200]

Полезно также рассмотреть плотность вторичных электронов, эмиттированных с единицы площади за счет этих двух процессов, т. е. от падающих электронов пучка и отраженных электронов. В работе [44] отмечено, что генерация вторичных электронов первичным пучком происходит на расстоянии до Я/2 от траектории электрона пучка. Для металлов это расстояние, на котором яроисходит генерация, составляет приблизительно 0,5 нм. Вблизи поверхности в пределах глубины выхода, составляющей 5Я, первичный пучок не испытывает существенного рассеяния, так что диаметр области выхода вторичных электронов, создаваемых первичным пучком, соответствует диаметру падающего пучка, расщиренному на 2X 2=Я. Вторичные электроны, создаваемые отраженными электронами, эмиттируются со всей поверхности вылета отраженных электронов, размер которой может быть микрон или более в диаметре. Для того чтобы оценить эту величину, мы примем за диаметр размер области, с которой выходит 90°/о отраженных электронов (рис. 3.22). Отметим, что, вследствие того что распределение отраженных электронов имеет максимум в центре этой области, плотность вторично-электронной эмиссии, индуцированной отраженными электронами, будет обязательно неоднородной. [c.62]

ПОЛНОСТЬЮ закрытый, за исключением небольшого входного отверстия, контейнер (рис. 2.2). Для этой цели обычно используется диафрагма электронного микроскопа (диаметр 3 мм) с отверстием 25—100 мкм. Контейнер изготавливается из материала (Т или С), отличного от металла, используемого для изготовления столика микроскопа. В этом случае легко регистрировать любое рентгеновское излучение от цилиндра Фарадея. Конструкция цилиндра Фарадея не позволяет выходить наружу отраженным и вторичным электронам, возникаюш,им под действием первичного пучка. Поэтому ток, текуш,ий на землю, в точности равен току падаюш,его пучка / и может быть легко измерен пикоамперметром постоянного тока или калиброванным усилителем тока образца. В тех случаях, когда не требуется большой точности, цилиндр Фарадея может быть заменен плоским куском графита. В этом случае измеряемый ток образца г об и ток первичного (падаюш,его) пучка I связаны соотношением 1 = 1об/[1—(л + б)], где т] и б — коэффициенты отражения и вторичной электронной эмиссии (гл. 3) соответственно. Для графитового образца, расположенного перпендикулярно пучку, как т], так о б малы, так что ошибка составляет по порядку величины всего лишь 10%. [c.16]

Плотность вторичных электронов, генерируемых первичным пучком, намного больще плотности вторичных электронов, генерируемых отраженными электронами. При сканировании пучком по образцу создаваемые пучком вторичные электроны подвергаются воздействию локальных поверхностных неоднородностей и переносят информацию о них на изображение, в то время как вторичные электроны, генерируемые вышедщими на больщом расстоянии от пучка отраженными электронами, действуют как шум. [c.62]

НИЯ Ко от поверхности. При нормальном падении пучка длина пути первичного пучка К, вдоль которого образовавшиеся вторичные электроны будут вылетать, равна У о. По мере увеличения угла наклона образца 0 длина пути первичного пучка в пределах от поверхности будет возрастать как Так как мало, то первый пучок суш,ественно не меняет свою энергию при прохождении этого расстояния, а темп генерации вторичных электронов под действием первичного пучка электронов по суш,еству остается постоянным и пропорциональным Н. Таким образом, так как длина пути возрастает пропорционально зес0, то подобным же образом ведет себя и коэффициент вторичной эмиссии. Вторичные электроны генерируются также отраженными электронами. Коэффициент отражения возрастает с углом наклона (рис. 3.15), и, следовательно, число вторичных электронов, генерируемых отраженными электронами, также с наклоном возрастает. Генерация вторичных электронов как первичными, так и отраженными электронами возрастает с ростом угла наклона, что в целом аппроксимируется законом секанса [уравнение (3.25)]. [c.65]

Уменьшение зарядки при низких ускоряющих напряжениях связано с особенностями электронной эмиссии с твердых тел и может быть объяснено следующими соображениями [68]. Если коэффициент электронной эмиссии, включающий как отраженные первичные, так и вторичные электроны, построить как функцию энергии падающего пучка Ео, то получим график, показанный на рис., 10.3. Для диэлектриков существует область, где количество испускаемых электронов превышает количество падающих электронов, т. е. 6Ч-Т1>1. Эта область ограничена двумя значениями энергии Е и п, для которых б+т1=1 эти значения называются первой и второй характер1ными точками. Значения Е по порядку составляют несколько сотен электронвольт, Ец лежат в диапазоне 1—5 кэВ в. зависимости от материала. Если энерпня падающего пучка электронов меньше Е, то б-(-т1<1, и образец покидает меньшее число электронов, чем попадает на него, приводя к накоплению отрицательного заряда, Этот заряд понижает эффективную энергию падающего пучка, приводя к дальнейшему понижению б+т]. Такая ситуация продолжается до тех пор, пока образец не зарядится до такой [c.182]

Детектор непосредственно помещают вплотную к катоду фотоумножителя или же его свечение проектируют на этот катод при помощи разных оптических приспособлений. Возникающие фотоэлектроны направляют на другой металлический катод, покрытый СздЗЬ, МпО или другим соединением, увеличивающим эмиссию. Он испускает вторичные электроны в большем количестве, чем их было в первичном пучке. Эти вторичные электроны направляют на следующий катод и т. д. Если каждый катод увеличивает число электронов в к раз, то при п катодах импульс тока растет в к"- раз. В обычных фотоумножителях применяют 10—20 катодов, и усиление тока доходит до 10 —10 и более раз. В жидкостных счетчиках большого объема применяют несколько фотоумножителей для более полного использования свечения. [c.229]

Пространственное разрешение изображения во вторичных электронах составляет около Знм (в оптическом микроскопе — около 1мкм), поэтому можно достичь увеличения до 100000. Причина этого заключается в том, что глубина области, из которой вылетают вторичные электроны, всего около 10 нм. В пределах такой глубины расфокусировка первичного пучка незначительна и пространственное разрешение практически равно диаметру пучка. [c.330]

Вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) — эмиссия электронов, вызываемая бомбардировкой тел электронами [7]. Электроны, бомбардирующие поверхность тела, называются первичными электроны, эмиттирован-ные телом, — вторичными. Вторичные электроны могут эмиттироваться как со стороны облучаемой первичным пучком поверхности тела (ВЭЭ на отражение ), так и — в тонкопленочных эмиттерах — со стороны поверхности, противоположной облучаемой (ВЭЭ на прострел ), Отношение числа электронов N2, испускаемых телом, к числу падающих на него за то же время первичных электронов N1 называется коэффициентом ВЭЭ о данного тела 0 = N 2 N1 = ИгОи /а — первичный и вторичный токи соответственно). Значение а зависит от свойств и структуры эмиттера, состояния его поверхности, энергии первичных электронов Ер и угла падения первичного пучка на поверхность эмиттера. В потоке вторичных электронов имеются две группы электронов истинно вторичные — электроны вещества, получившие от первичного пучка достаточно энергии для выхода в вакуум, и отраженные (упруго и неупруго) — часть первичного пучка, отразившаяся от поверхности эмиттера. При малых Ер (Ер < < 0,1 кэв) основную долю вторичных электронов составляют упруго отраженные электроны. С ростом Ер доля упруго отраженных электронов быстро уменьшается и при Ер > 0,1 кав составляет лишь несколько процентов всей ВЭЭ. Истинно первичные электроны имеют энергии от О до 50 эе. Наиболее вероятная энергия истинно вторичных электронов составляет 1,5—3,5 эв и при Ер > > 20 эв практически не зависит от Ер. Неупруго отраженными условно принято считать электроны вторичного пучка, энергия которых превышает 50 эв. Отношение числа неупруго отраженных электронов к числу первичных электронов Т] = N2 (Е2 > 50 эв)Иг называется коэффициентом неупругого отражения (в /2 входят и упруго отраженные электроны, но число их мало и на величинеТ1 не сказывается). В металлах и полупроводниках максимальное значение ст лежит в пределах 0,5—1,8. В некоторых диэлектриках (MgO, щелочногалоидные кристаллы) о значительно больше (10—20). Это обусловлено тем, что в таких материалах запрещенная зона велика Eg 6-Н12 эв), сродство к электрону мало (х < 1 эв), вследствие чего медленные электроны с энергией, лежащей между % и Eg, могут из большой глубины без потерь энергии подходить к поверхности тела и выходить в вакуум. При наложении на диэлектрик сильного электрического поля, направленного от эмиттирующей поверхности вглубь слоя (т. е. ускоряющего вторичные электроны к поверхности), о значительно возрастает. Обычно сильное поле создается бомбардировкой тонкого слоя диэлектрика на металлической подложке электронами с Ер, при котором о > 1. В результате поверхность диэлектрика заряжается положительно относительно металлической подложки до потенциала, близкого к потенциалу коллектора, на который отсасывается ток ВЭЭ. Ток ВЭЭ, возникающий в присутствии сильного электрического поля в эмиттере, состоит из двух компонент малоинерционной, быстро следующей за изменениями первичного тока (эта часть ВЭЭ называется вторичной электронной эмиссией, усиленной полем, ее инерционность <10 сек), и само-поддерживающейся, существующей и при отсутствии первичного пучка, после того как осуществлена первоначальная зарядка слоя. В некоторых случаях ВЭЭ с электродов вакуумных приборов, подвергающихся бомбардировке электронами, является нежелательным паразитным эффектом. Для его устранения электроды покрывают веществами с малым а углерод (сажа, ак-вадаг), титан, цирконий, дисилициды переходных ме- [c.457]

Однако в условиях опытов Сокилл а химические изменения азидов могли быть вызваны как повышением температуры кристаллов, так и первичным действием электронного пучка. IIo-этому в дальнейшем исследования проводились при помощи растрового микроскопа, который может работать на просвет или на отражение [59]. В растровом микроскопе изображение получается подобно тому, как в телевизионной камере электронный пучок, сфокусированный в пятно, диаметром около 200 А, быстро перемещается по объекту. Если последний имеет неоднородную структуру, то для разных участков будет различным количество возникающих вторичных электронов, которые используются для образования изображения нри работе на отражение. Преимуществом растровой микроскопии является пониженная средняя интенсивность электронного облучения, что позволяет исключить возможность заметного нагревания препарата, недостатком — пока что низкое разрешение, которое в основном определяется диаметром пятна. [c.184]

С-электроны и поэтому поглощаются лишь вследствие выбивания Ь- и М-электронов, на что идет гораздо меньшая доля энергии первичного пучка. Как только энергия первичного кванта становится достаточной для возбуждения К-серии, происходит очень большая дополнительная затрата энергии, из-за чего коэффициент поглощения рлстет скачком. За пределами скачка поглощения, связанного с возбуждением вторичного характеристического излучения в поглотителе [c.150]

Первая попытка построить теорию вторичной электронной эмиссии из чистых металлов на основе волновой механики рассматривает возмущение собственной функции электронов в металле проникающими в металл первичными электронами. Из этой теории следует, что вторичная электронная эмиссия воздюжна (т. е. что в пучке электронов, отлетающих от эмиттора, появляются, кроме отражённых первичных электронов, также и электроны, вышедшие из металла), только начиная с некоторой минимальной энергии первичных электронов Ш i мин> близкой к максимальной энер-Аии электронов металла при абсолютном нуле. [c.84]

При бомбардировке поверхности испаряемого материала пучком ускоренных электронов наблюдается явление вторичной электронной эмиссии, в результате которого имеют место потери энергии, обусловленные рассеянием электронов. Так, например, при бомбардировке золота потоком первичных электронов с энергией 10 кэв потеря энергии за счет рассеяния вторичных электронов достигает 307о- Поток вторичных электронов вызывает [c.15]

Из теории Фрёлиха следует, что вторичная электронная эмиссия возможна (т. е. что в пучке электронов, отлетающих от эмиттора, появляются, кроме отражённых первичных электронов, также и электроны, вышедщие из металла), только начиная с некоторой минимальной энергии первичных электронов близкой к максимальной энергии электронов при абсолютном нуле. Фрёлих подчёркивает, что этот вывод вытекает из необходимости совместно удовлетворить закону сохранения энергии и закону сохранения импульса, который в данном случае выражен соотношением (161), и из принципа Паули, согласно которому в каждой ячейке пространства моментов может быть одновременно не более двух электронов. [c.183]

Ю. М. К у ш н и р, Ш. М. Р а х и м о в, Н. А. Л а з у к о в, ЖТФ, 16, 1105 (1Р46) (О зависимости вторичной электронной эмиссии полупроводников от угла падения первичного пучка.) [c.819]

В настоящее время природа регистрируемых на фотопластинке ореолов хорошо известна. Они образуются в результате взаимодействия с эмульсией фотопластинки вторичных электронов. Эти электроны выбиваются ионным пучком в момент встречи с фоточувствительным слоем пластинки. Фон создается также рассеянными первичными и вторичными ионами, траектории которых отклоняются высоковольтным потенциалом, образующимся на фотопластинке вследствие плохой проводимости эмульсии. При взаимодействии ионов высокой энергии с фото-чувствнтельпым слоем пластинки и с металлическими поверхностями приемника возникает интенсивное рентгеновское излучение, которое также может принимать участие в образовании ореола. [c.52]