Контраст топографический

Топографический контраст возникает за счет того, что отражение электронов и вторичная электронная эмиссия зависят от угла падения пучка на образец. Угол падения будет меняться из-за неровностей (топографии) образца, приводя к образованию контраста, связанного с физической формой объекта. Топографический контраст — это наиболее часто встречающийся контраст в растровой электронной микроскопии общего назначения. [c.143]

На основе информации, представленной в гл. 3, можно ожидать, что следующие эффекты дадут вклад в формирование топографического контраста. [c.143]

Общий коэффициент отражения монотонно возрастает в зависимости от наклона образца. Этот эффект создает компоненту топографического контраста, обусловленную количеством частиц. [c.143]

Хотя этот метод интерпретации топографического контраста является успешным в большинстве случаев, встречаются случайные изображения, на которых смысл топографии не очевиден, возможно, из-за особенностей сбора электронов. В таких случаях могут понадобиться наклон и поворот образца либо изготовление стереопар для определения точного смысла топографии. [c.148]

Топографический контраст, получаемый с помощью других детекторов [c.148]

Если исходный контраст велик, как это обычно бывает в случае топографического контраста, тогда линейное усиление будет создавать удовлетворительное конечное изображение, на котором исходный контраст укладывается в диапазоне изменения серого цвета и хорошо различается, как показано на рис. 4.41. Значения исходного контраста, лежащие ниже 5%. не будут видны наблюдателю на таком изображении, а реальный контраст в диапазоне 5—10% будет с трудом различим. В общем [c.166]

Рис. 4.41. Пример применения линейного усиления к объекту, создающему по своей природе сильный топографический контраст.

Обращение контраста полезно в тех случаях, когда природа сигнала детектора такова, что контраст имеет противоположный знак по сравнению с ожидаемым наблюдателем, как это имеет место в сигнале поглощенного тока. Обращение топографического контраста, наблюдаемого в поглощенных электронах, проиллюстрировано на рис. 4.43. Отметим, что обращение контраста в эмиссионном режиме создает нежелательный контраст, который может ввести наблюдателя в заблуждение относительно истинного смысла топографии, как показано на рис. 4.43. [c.168]

Одной нз наиболее часто встречающихся проблем контраста при получении изображений а РЭМ является случай, когда образец дает слабый исходный контраст. Контраст от атомного номера н топографический контраст могут часто падать ниже [c.170]

Вторичные электроны формируют топографический и морфологический контраст изображений. [c.329]

В результате ионизации электронных уровней генерируются электроны. Они покидают атомы в процессе столкновения последних с первичными электронами и проходят через вещество, теряя кинетическую энергию в результате описанных процессов. Электроны, образовавшиеся вблизи поверхности, испускаются в вакуум, собираются и регистрируются детектором вторичных электронов. С помощью таких электронов можно получить изображение объемных образцов с топографическим и морфологическим контрастом, если проводить развертку первичного пучка (сканирование) по поверхности образца и измерять ток вторичных электронов как функцию положения пучка электронов (рис. 10.2-5). Контраст изображения определяется главным образом углом между направлением первичного пучка и плоскостью поверхности в определенном участке. Это означает, что при сканировании неровных образцов этот угол меняется от точки к точке и также меняется интенсивность вторичной электронной эмиссии. Полученное изображение очень похоже на изображение [c.329]

Рис. 10.5-4. СТМ Изображение с пространственным атомным разрешением кремния, покрытого одной третью монослоя серебра. Можно четко различить адсорбированные атомы Ag и атомы кремния вследствие топографического контраста и контраста, зависящего от локальной высоты барьера [10.5-9].

Оба вида контраста гораздо слабее, чем топографический (например, для каналирования различия яркое- [c.559]

Угловое распределение отраженных электронов зависит от наклона образца. При нормальном падении (6 = 0°) распределение подчиняется закону косинуса, в то время как при е>0° распределение становится более вытянутым в направлении прямого рассеяния, а максимум находится в плоскости пучка и нормали к поверхности. Направленность отражения при наклонных поверхностях образца создает траекторную компоненту топографического контраста в режиме отраженных элек" ронов. [c.143]

Полученное изображение (рис. 4.29,6) выглядит более равномерно освещенным, причем сигналы идут со всех поверхностей. Отметим, что изображение правильно считать как изображение в суммарном сигнале вторичных и отраженных электронов— факт, который часто упускают пз вида. При интерпрета-цпи топографических изображений важно учитывать оба вклада в сигнал. Сравнивая рис. 4.29,6 (лищь отраженные электроны) н 4.30,6 (отраженные и вторичные электроны), отметим, что те фасетки, которые были светлыми на изображении в отраженных электронах, остаются светлыми и на изображении в суммарном сигнале вторичных и отраженных электронов. Принципиальное различие, связанное с добавкой вторичных электронов, состоит в получении некоторого сигнала с бомбардируемых пучком поверхностей, что сглаживает резкий контраст в одних отраженных электронах и обеспечивает сбор информации со всего поля зрения. Наличие сигнала отраженных электронов дает напбольщую информацию с точки зрения топографии, т. е. является ли данная неоднородность выпуклостью или впадиной. [c.147]

Особые характеристики определенных детекторов сигнала могут быть иногда использованы для разделения отдельных компонент контраста, когда действуют конкурирующие механизмы контраста. Например, если образец с шероховатой поверхностью имеет области с различным химическим составом, то на одном и том же изображении можно получить топографический контраст и контраст, зависящий от атомного номера. Как говорилось при описании детектора Эверхарта — Торнли, топографический контраст имеет сильную траекторную компоненту и несколько более слабую обусловленную количеством вылетающих частиц компоненту, в то время как контраст -в зависимости от атомного номера имеет главным образом числовую компоненту, обусловленную количеством вылетающих частиц, и более слабую траекторную компоненту. Так, выбирая детектор, являющийся чувствительным лишь к числовым компонентам, обусловленным количеством вылетающих частиц, можно визуализировать раздельно контраст от атомного номера и топографический контраст. В схеме с двумя детекторами можно достичь такого разделения 1) детектор поглощенного тока и 2) пара детекторов отраженных электронов, расположенных под большими. углами выхода. [c.184]

Методы, разработанные для повышения объемной проводимости, особенно полезны в сочетании с методам,и нанесения покрытий и часто используются при исследоваиии внутренней морфологии поверхностей излома трехмерных образцов. Например, субструктуру пов врхио стей излома можно выявить при обработке осмием за счет контраста, зависящего от атомного номера, а не за счет топографического контраста, обусловленного поверхностны ми неодаородностя ми. [c.185]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология